在摩爾定律邁向5納米之際，人們的目光多被幾家半導體公司間的先進工藝之爭所吸引。然而，邏輯芯片的制造工藝極其復雜多樣，5納米、7納米等標準工藝只是一部分，晶圓代工廠可以發(fā)展的制造工藝平臺還有很多，如混合信號、高電壓、射頻、微機電系統(tǒng)（MEMS）等。聯電作為第三大晶圓代工廠，盡管于2018年宣布不再投資12納米以下的先進工藝，轉向多元化發(fā)展，追求投資回報率，但是競爭力依然強勁，在諸多成熟、特色工藝平臺上均具備領先優(yōu)勢。今年正是聯電成立40周年。聯電的發(fā)展經驗，值得業(yè)內借鑒。

持續(xù)加碼成熟工藝平臺

目前，聯電在成熟、特色工藝代工市場占據領先優(yōu)勢。在面板驅動IC領域，聯電的市占率居于全球首位，在有機發(fā)光二極管（OLED）驅動IC領域也居領先地位。隨著5G的部署加快，驅動了智能手機市場的增長，加上大尺寸電視面板需求逐步回溫，市場對面板驅動IC的需求持續(xù)提升。日前有消息稱，聯電12英寸廠在驅動IC龍頭聯詠大量投片下，今年1月45/40納米工藝段的出貨量較去年第四季度平均出貨量多出近10%。此外，5G高端機型已普遍開始采用OLED面板。受此影響，OLED面板驅動IC也成為市場重點。聯詠等廠商的OLED面板驅動IC多采用聯電40納米及28納米工藝量產投片。聯電在面板驅動IC領域的領先優(yōu)勢不斷提升。

22nm超低功耗（ULP）工藝也是聯電推進的重點。2019年年底，聯電宣布推出基于22納米超低功耗（ULP）與22納米超低漏電（ULL）工藝的基礎元件IP解決方案。該方案是聯電與智原科技共同研發(fā)的。針對低功耗SoC需求，22ULP/ULL基礎元件IP具備進階繞線架構，以及優(yōu)化的功率、性能和面積設計。相比28納米技術，22納米元件庫可以在相同性能下減少10%的芯片面積，或降低超過30%功耗，可滿足連接、移動、物聯網、可穿戴設備、網絡和汽車等對低功耗有著很高需求的應用領域產品。

增資并購布局5G、物聯網

在投資收購方面，近段時間聯電的動作也是不斷。4月份，聯電在廈門市舉行的重大招商項目中，簽約對聯芯實現35億元增資。新增資金主要用于采購生產設備及開展22納米、28納米高壓工藝研發(fā)等。這一舉措將進一步加速聯芯公司的產能擴充，提升市場份額，預計增資資金采購的設備全部投入生產后，將可新增年產值20億元。

去年10月，聯電還完成了對三重富士通半導體股份有限公司（MIFS）全部股權的收購，收購金額544億日元。2014年聯電與富士通半導體達成合作協議，分階段收購MIFS 15.9%的股權，2019年聯電再次收購剩余的84.1%股份。通過該次并購，聯電不僅增加3萬片12英寸晶圓的月產能，還進一步擴大了在日本半導體市場的版圖。

通過這兩場增資并購行動可以看出，聯電在5G、物聯網、無線通信及電腦周邊等應用領域有著良好發(fā)展態(tài)勢，特別是在中國大陸，這些領域的市場需求空間廣闊。并購增資行動將進一步加強聯電在這些領域的布局。隨著5G商用進程的加速、物聯網等創(chuàng)新技術的快速發(fā)展，包括日前啟動的“新基建”風口都會帶來巨大的市場機遇，也將給聯電晶圓代工業(yè)務帶來更多市場商機。

聯電總經理王石指出，來自無線通信和電腦周邊市場對芯片的需求穩(wěn)定，整體業(yè)務前景維持穩(wěn)健。隨著客戶未來新產品設計定案即將進入量產，預期聯電有望從5G、物聯網、無線設備以及電源管理應用增加的半導體需求中獲益。

聯電差異化路線值得借鑒

近年來，中國大陸半導體產業(yè)加快發(fā)展，晶圓代工企業(yè)同樣面臨一個重要問題，就是先進工藝研發(fā)投資越來越多，成本也越來越高，但是未來能夠用得起、用得上先進工藝的客戶群在減少，大量營收依然來自成熟工藝。

這種情況下，聯電的經驗便非常值得借鑒。首先是不要急于追求先進工藝的開發(fā)，對于眼下已掌握的技術要做到穩(wěn)扎穩(wěn)打，精益求精。其次是擁抱成熟、特色工藝市場，在需求更廣闊的成熟、特色工藝市場取得突破。第三是結合自身狀況，借鑒先進的管理經驗。畢竟，只有少數企業(yè)才有可能參與先進工藝的競逐，更多的晶圓制造工企業(yè)還是要面向更加廣闊的成熟與特色工藝市場。

相較于先進工藝本質上是標準CMOS工藝的線寬之爭，成熟工藝市場可說是百花齊放，混合信號、高電壓、射頻、MEMS等，都可以歸類在成熟工藝的范疇之中，應用產品則涉及各種傳感器、微控制器、電源管理IC、信號收發(fā)器等，市場廣闊、需求多樣，利潤同樣不菲。新進入這一領域的晶圓制造企業(yè)也應結合自身的特點，發(fā)展出自己的核心技術，逐步站穩(wěn)腳跟，并在此基礎上取得更大的發(fā)展。

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