chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

博世入局碳化硅 博世致力于研發(fā)符合車規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品

e星球 ? 來(lái)源:博世 ? 作者:博世 ? 2020-08-07 15:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

博世集團(tuán)是世界先進(jìn)的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問世開始,博世始終處于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的前沿位置。如今,博世已成為全球的MEMS傳感器的頭部生產(chǎn)商,產(chǎn)品系列包括壓力傳感器、加速度傳感器以及集成慣性傳感器,環(huán)境傳感器,和麥克風(fēng),均可應(yīng)用于汽車電子與消費(fèi)類電子。

博世將參展2020慕尼黑華南電子展!

博世今年7月參加了慕尼黑上海電子展,并帶來(lái)了碳化硅產(chǎn)品線,這是博世的碳化硅產(chǎn)品線第一次在國(guó)內(nèi)發(fā)布?,F(xiàn)場(chǎng)受訪人——半導(dǎo)體和傳感器/汽車電子產(chǎn)品經(jīng)理朱曉峰說(shuō)道:“今年慕尼黑上海電子展的熱度不減,雖然今年經(jīng)過了一個(gè)比較漫長(zhǎng)的疫情,但是現(xiàn)場(chǎng)人流量沒有減少,說(shuō)明慕尼黑上海電子展還是比較有吸引力的。并且今年展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)的觀眾的專業(yè)度有很大的提升,明年我們博世肯定會(huì)繼續(xù)參加慕尼黑上海電子展,希望明年咱們電子行業(yè)的觀眾會(huì)有更好的收獲?!?/p>

未來(lái),由這種新型材料制成的芯片、功率器件及模塊將引領(lǐng)新能源汽車電驅(qū)控制及車載充電器的發(fā)展。與目前使用的硅芯片相比,碳化硅具有更好的導(dǎo)電性,在實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率同時(shí),保持更低的熱損耗。對(duì)于駕駛員來(lái)說(shuō),這意味著車輛續(xù)航里程能夠增加大約6%。此外,碳化硅產(chǎn)品的低阻抗和較高的工作頻率可使我們?cè)O(shè)計(jì)的產(chǎn)品尺寸變得更小,效率得到更大的提升。

從全球碳化硅市場(chǎng)應(yīng)用情況來(lái)看,2018年至2024年年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)24%-29%,其中,用于包括電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施和鐵路在內(nèi)的移動(dòng)應(yīng)用將占據(jù)未來(lái)碳化硅市場(chǎng)的主要份額。

博世致力于研發(fā)符合車規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品用于以上應(yīng)用。到2021年底,1200V的裸芯片將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其導(dǎo)通電阻涵蓋25、35以及60毫歐。750V裸芯片將于2022年推出。此外,750V和1200V的MOSFET也將于2022年問世。這兩款車規(guī)級(jí)MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)以及低能量損耗的優(yōu)勢(shì)。

最后,如今的整個(gè)電子行業(yè),尤其是半導(dǎo)體行業(yè)是國(guó)家的一個(gè)戰(zhàn)略方向,也是重中之重。對(duì)博世來(lái)說(shuō),我們也在積極尋求本地的合作伙伴,后續(xù)也希望和本地的電子企業(yè)一起把電子傳感器、碳化硅系列、電子行業(yè)推向一個(gè)更高的高峰。

2020慕尼黑華南電子展(electronica South China)將于2020年11月3-5日登陸深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館),展會(huì)總規(guī)模預(yù)計(jì)為40,000平方米,目前已近300家國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)預(yù)定展位。展會(huì)立足粵港澳大灣區(qū),輻射華南、西南及東南亞市場(chǎng),將以“融合創(chuàng)新”為主題,聚焦智慧出行、智慧工廠、智慧生活、5G+,初創(chuàng)企業(yè)熱門話題,匯聚國(guó)內(nèi)外知名企業(yè),吸引行業(yè)優(yōu)質(zhì)買家及精英,為蓬勃發(fā)展的華南地區(qū)電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)創(chuàng)新與活力,為經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇獻(xiàn)力。

展品范圍:

展會(huì)的展品范圍將涵蓋整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈,包括半導(dǎo)體、嵌入式系統(tǒng)、顯示、微納米系統(tǒng)(MEMS等)、傳感器技術(shù)、測(cè)試與測(cè)量、電子設(shè)計(jì)(ED/EDA)、無(wú)源元件(電容、電阻、電感等)、電機(jī)/系統(tǒng)外圍設(shè)備(連接器、繼電器、開關(guān)、鍵盤和殼體技術(shù)等)、電源、PCB、其他電路載體及EMS、組件及子系統(tǒng)、汽車電子及測(cè)試、無(wú)線技術(shù)、信息采集及服務(wù)等。

原文標(biāo)題:11月華南慕展丨博世入局碳化硅,助力智慧出行發(fā)展!

文章出處:【微信公眾號(hào):e星球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9483

    瀏覽量

    230161
  • mems
    +關(guān)注

    關(guān)注

    129

    文章

    4396

    瀏覽量

    197890
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3349

    瀏覽量

    51813
  • 碳化硅半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    13

    瀏覽量

    10037
  • 博世
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    526

    瀏覽量

    76256

原文標(biāo)題:11月華南慕展丨博世入局碳化硅,助力智慧出行發(fā)展!

文章出處:【微信號(hào):electronicaChina,微信公眾號(hào):e星球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    博世碳化硅功率半導(dǎo)體本土布局提速競(jìng)跑

    作為全球領(lǐng)先的汽車技術(shù)供應(yīng)商,博世深知本土化是贏得中國(guó)市場(chǎng)的關(guān)鍵。在電動(dòng)汽車核心的碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,我們秉持“深耕中國(guó)”的戰(zhàn)略,通過本地研發(fā)、本地生產(chǎn)以及本地合作的能力建設(shè),全面融入中國(guó)新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈,并持續(xù)布局未來(lái)發(fā)展。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:17 ?340次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?365次閱讀

    博世碳化硅MOSFET研究論文榮獲PCIM Asia 2025優(yōu)秀墻報(bào)獎(jiǎng)

    MOSFET Characterization”榮獲 PCIM Asia 2025 “優(yōu)秀墻報(bào)獎(jiǎng)(Excellent Poster Award)”,充分展現(xiàn)了博世碳化硅 MOSFET 領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力。
    的頭像 發(fā)表于 10-17 14:14 ?476次閱讀
    <b class='flag-5'>博世</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET研究論文榮獲PCIM Asia 2025優(yōu)秀墻報(bào)獎(jiǎng)

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來(lái),它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來(lái),Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?571次閱讀

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1175次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?901次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    博世碳化硅技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

    驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道,小編表示地鐵、老人、手機(jī).jpg,火速去內(nèi)部打探消息——結(jié)果只想說(shuō)一句:別慌,博世還在,且蓄勢(shì)待發(fā)!這樣精彩的舞臺(tái),怎會(huì)少了
    的頭像 發(fā)表于 07-04 09:46 ?848次閱讀
    <b class='flag-5'>博世</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

    博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹

    隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1月,在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,旨在面向本土市場(chǎng),提供領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 06-27 11:09 ?1015次閱讀

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

    3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:10 ?1695次閱讀

    博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

    近日,博世汽車電子中國(guó)區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-06 18:09 ?1088次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1861次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2564次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37