據韓媒etnews報道，在“Tech Week 2020 LIVE”活動上，三星電子和SK海力士宣布了各自關于下一代半導體技術的發(fā)展戰(zhàn)略。其中，三星電子計劃量產業(yè)界首批采用3納米環(huán)繞式棧極（gate-all-around，簡稱GAA）工藝制造的尖端芯片；SK海力士則正準備生產基于極紫外光刻 （EUV）技術的DRAM。

三星電子表示，該公司計劃通過IBM和英偉達的下一代CPU和GPU的訂單，在全球代工市場上利用GAA技術開拓下一代產品市場。

三星代工的執(zhí)行董事Kang Moon-soo稱，“我們計劃大規(guī)模生產行業(yè)第一批基于GAA技術的半導體”。

韓媒指出，截至目前，三星電子和臺積電是業(yè)界僅有的開始開發(fā)GAA工藝的兩家公司。

這也意味著，如果三星電子能夠在量產時程上超越臺積電，三星將能夠抓住機遇，甚至在全球代工市場上領先臺積電。

而SK海力士也將很快量產基于EUV工藝的DRAM。SK海力士未來技術研究所負責人Lim Chang-moon表示，“我們計劃從第4代10nm （1a） DRAM開始應用EUV工藝。同時我們計劃明年初開始大規(guī)模生產”。

數據顯示，全球DRAM市場約94%的份額分別由三星、SK海力士和美光壟斷，兩家韓國公司約占74%的市場份額。

因而，若GAA和EUV DRAM成功落地商業(yè)化，韓國半導體產業(yè)的地位將進一步提升。同時，報道指出，EUV DRAM將能進一步擴大韓國半導體企業(yè)與中國半導體企業(yè)之間的差距。鑒于EUV設備的昂貴成本以及有限的供應量，韓國企業(yè)將更有別于中國企業(yè)。
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