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淺談硬件電路設(shè)計中晶體、晶振、負載電容

454398 ? 來源:硬件之家 ? 作者:allchipdata ? 2020-09-28 13:58 ? 次閱讀
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在硬件電路設(shè)計中經(jīng)常會涉及到時鐘信號,具體包含晶體、晶振、有源晶振與無源晶振等。

一、晶體

晶體:英文 Crystal,電路上一般會簡寫為 XTAL,需要外加時鐘電路才能輸出時鐘信號,所以一般叫無源晶振,也叫諧振器。

晶體(crystal)是有明確衍射圖案的固體,其原子或分子在空間按一定規(guī)律周期重復(fù)地排列。晶體中原子或分子的排列具有三維空間的周期性,隔一定的距離重復(fù)出現(xiàn),這種周期性規(guī)律是晶體結(jié)構(gòu)中最基本的特征。

普通的單片機需外接晶體和兩個電容,以STM32單片機為例,其OSC_IN和OSC_OUT是外部時鐘源HSE的輸入引腳,STM32的HSE時鐘可以使用晶體或者晶振提供時鐘源。

1.晶體一般是 2 腳或者 4 腳,2 腳最常見,晶體無極性,直插到PCB板子上,沒有接地,精度低,

2.不供電,又稱晶體諧振器,需要RC諧振電路才可以起振

二、晶振

晶振,英文 Crystal oscillator,電路上一般簡寫為 XO,內(nèi)部有時鐘電路,供電即可產(chǎn)生時鐘信號,所以一般叫有源晶振,也叫振蕩器。

晶振一般是 4 腳,1 個 VCC,2 個 GND,1 個 Output。

1.一般4個管腳(電源端、地、輸出、還有一個壓控或者懸空端子)貼片式

2.又稱石英晶體振蕩器

3.內(nèi)部有時鐘電路,供電即可產(chǎn)生時鐘信號

我們再看一下晶振的種類:

Package 石英振蕩器,英文 SPXO:不施以溫度控制及溫度補償?shù)氖⒄袷幤鳌nl率溫度特性依靠石英振蕩晶體本身的穩(wěn)定性。

溫度補償石英振蕩器,英文 TCXO:附加溫度補償回路,減少其頻率因周圍溫度變動而變化之石英振蕩器。

電壓控制石英振蕩器,英文 VCXO:控制外來的電壓,使輸出頻率能夠變化或調(diào)變的石英振蕩器。

恒溫槽式石英振蕩器,英文 OCXO:以恒溫槽保持石英振蕩器或石英振蕩晶體在一定溫度,控制其輸出頻率在周圍溫度下也能保持極小變化量之石英振蕩器。

可以看到,不管是 VCXO 還是 TCXO,內(nèi)部都帶有電路進行補償,所以價格上會比晶體貴,質(zhì)量和準(zhǔn)確度也會比晶體高不少,比如 GPS 上一般會選用 TCXO。

下面看一下晶振最重要的幾個參數(shù):

標(biāo)稱頻率(Normal Frequency):晶振的標(biāo)準(zhǔn)頻率,如 26MHz、32.768KHz 等。

頻率誤差(Frequency Tolerance)或頻率穩(wěn)定度(Frequency Stability):用單位 ppm 來表示,即百萬分之一,是相對標(biāo)稱頻率的變化量,此值越小表示精度越高,1MHz 的晶振,1 個 PPM 就是 1Hz 的偏差。

溫度頻差(Frequency Stability vs Temp):表示在特定溫度范圍內(nèi),工作頻率相對于基準(zhǔn)溫度時工作頻率的允許偏離,它的單位也是 ppm。

負載電容 CL:負載電容是指晶振正常工作震蕩所需要的電容。為使晶體能夠正常工作,需要在晶體兩端外接電容,來匹配達到晶體的負載電容。

那負載電容如何確定呢?

計算公式:CL=C1*C2/(C1+C2)+Cic+△C

C1 和 C2 為晶振兩腳對地電容,稱為匹配電容。

Cic 為集成電路內(nèi)部電容,△C 為 PCB 板上電容,一般大小為 3~5pF。

匹配電容一般取 C1=C2=2CL,這樣并聯(lián)起來就接近負載電容 CL 了,在一般情況下,增大負載電容會使振蕩頻率下降,而減小負載電容會使振蕩頻率升高。

如果 crystal 所接的 IC 內(nèi)部有負載電容,那外部的 C1 和 C2 就不需要了。

一般 IC 的數(shù)據(jù)手冊中會給出負載電容的大小。
編輯:hfy

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