一、臺(tái)積電為蘋果代工7400萬(wàn)顆A14處理器

9月27日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片代工商臺(tái)積電的5nm工藝，在今年一季度就已投產(chǎn)，為蘋果等客戶代工最新的處理器，蘋果的A14處理器，就是由臺(tái)積電采用5nm工藝制造的。

在此前的報(bào)道中，外媒曾提到，蘋果要求臺(tái)積電今年為他們代工8000萬(wàn)顆A14處理器，用于將推出的iPhone 12系列。但在最新的報(bào)道中，外媒表示臺(tái)積電可能無(wú)法完成蘋果要求的數(shù)量，他們今年最多只能生產(chǎn)7400萬(wàn)顆，未完成部分將推遲到明年。

考慮到臺(tái)積電代工的A14處理器，需要經(jīng)過(guò)其他廠商的測(cè)試，才能用于蘋果的硬件產(chǎn)品，中間多個(gè)環(huán)節(jié)還需要運(yùn)輸，這也就意味著如果臺(tái)積電如外媒的報(bào)道那樣，在今年最多只能代工7400萬(wàn)顆A14處理器，那蘋果今年可供應(yīng)的iPhone 12，就將低于7400萬(wàn)部。

此外，在9月16日凌晨1點(diǎn)開始的發(fā)布會(huì)上，蘋果新推出的iPad Air，搭載的也是A14處理器，這也會(huì)導(dǎo)致可用于iPhone 12系列的處理器減少。從蘋果方面公布的消息來(lái)看，A14處理器采用5nm制程工藝，集成118億個(gè)晶體管，采用6核中央處理器和4核圖形處理器，性能和能效較上一代均有提升，擁有蘋果設(shè)計(jì)的新一代16核神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎，每秒可處理11萬(wàn)億次運(yùn)算。

二、臺(tái)積電3nm首波產(chǎn)能大部分將留給蘋果

在5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)之后，臺(tái)積電將投產(chǎn)的下一代重大芯片制程工藝，就將是3nm，目前正在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃在2021年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。

雖然現(xiàn)在距離臺(tái)積電3nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)還有近兩年的時(shí)間，但已有眾多廠商在關(guān)注臺(tái)積電的這一先進(jìn)制程工藝。外媒的報(bào)道顯示，臺(tái)積電3nm工藝準(zhǔn)備了4波產(chǎn)能，其中首波產(chǎn)能中的大部分，將留給他們的大客戶蘋果。

臺(tái)積電3nm工藝首波產(chǎn)能中的大部分留給蘋果，其實(shí)也在意料之中。蘋果是臺(tái)積電的大客戶，從2016年iPhone 7系列所搭載的A10處理器開始，蘋果的A系列處理器就全部交由臺(tái)積電獨(dú)家代工，臺(tái)積電能有今天的規(guī)模，除了他們領(lǐng)先的技術(shù)，還有蘋果大量訂單的功勞。
3nm工藝是5nm之后一次完整的工藝節(jié)點(diǎn)跨越，將使芯片的性能得到明顯提升。在今年一季度和二季度的財(cái)報(bào)分析師會(huì)議上，臺(tái)積電CEO魏哲家都有談到3nm工藝，他透露同5nm工藝相比，3nm工藝將使晶體管的密度提升70%，芯片的速度提升10%到15%，能效提升25%到30%。

三、臺(tái)積電2nm制程取得突破

芯片制程的提升是有瓶頸的，當(dāng)芯片尺寸小于5nm時(shí)就會(huì)產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng)，電子會(huì)自行穿越晶體管的柵極和源極通道，造成0和1的邏輯錯(cuò)誤。因此很多業(yè)內(nèi)人士都說(shuō)3nm制程很可能就是硅基半導(dǎo)體工藝的極限，2017年張忠謀也表示臺(tái)積電的2nm制程工藝需再等數(shù)年才能下結(jié)論。

不過(guò)實(shí)際情況要樂(lè)觀得多，近日有報(bào)道稱臺(tái)積電的2nm工藝取得重大突破。臺(tái)積電在去年成立了2nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，針對(duì)FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題，團(tuán)隊(duì)綜合了成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，一改過(guò)去3nm、5nm的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），改用以環(huán)繞閘極制程為基礎(chǔ)的多橋通道場(chǎng)效電晶體MBCFET架構(gòu)。

同時(shí)極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)的提升，使臺(tái)積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟，良率提升進(jìn)度較預(yù)期順利。臺(tái)積電此前透露2nm研發(fā)生產(chǎn)將在新竹寶山，規(guī)劃P1到P4四個(gè)超大型晶圓廠，占地90多公頃。

以臺(tái)積電2nm目前的研發(fā)進(jìn)度研判，供應(yīng)鏈預(yù)計(jì)臺(tái)積電2023年下半年可望進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年正式量產(chǎn)。

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