荷蘭恩智浦半導體公司周二表示，已在美國亞利桑那州錢德勒市（Chandler）開設了一家工廠，生產(chǎn)用于5G電信設備的氮化鎵芯片。

氮化鎵是硅的替代品。 這種材料是5G網(wǎng)絡中的一個關鍵成分，因為它可以處理5G網(wǎng)絡中使用的高頻，同時比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空間。

恩智浦表示，這座新工廠將生產(chǎn)6英寸芯片，此類芯片的尺寸是大多數(shù)傳統(tǒng)硅芯片的一半，但在替代材料中很常見。該公司表示，新工廠將有一個研究和開發(fā)中心，以幫助工程師加速氮化鎵半導體的開發(fā)和專利申請。恩智浦表示，預計該廠將于年底前達到全部生產(chǎn)能力。

美國兩黨議員提出多項與芯片相關的法案，計劃耗資數(shù)百億美元的巨額補貼，推動本國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其原因是擔憂中國崛起。

美國聯(lián)邦國會為了推動半導體的國內(nèi)生產(chǎn)，開始討論新投入250億美元規(guī)模的補貼。希望通過巨額的公共支援對抗中國，提升英特爾等美國大型企業(yè)的開發(fā)能力。其背景是如果對半導體生產(chǎn)的海外依存置之不理，除了產(chǎn)業(yè)競爭力的下降之外，還擔憂有可能對安全保障和軍事實力產(chǎn)生負面影響。

美國信息技術與創(chuàng)新基金會(ITIF)的分析顯示，在世界半導體市場，以最大廠商英特爾為代表的美國企業(yè)的份額占到47％，遠遠超過居第2位的韓國（19％）和第3位的日本（10％）。不過，美國波士頓咨詢集團統(tǒng)計顯示，從產(chǎn)能來看，美國僅占世界的12％。

這是因為美國英偉達和美國高通等專注于半導體電路設計的無廠企業(yè)眾多，生產(chǎn)委托給臺灣等海外的情況很多。

如果直接關系到軍事技術的半導體的美國國內(nèi)生產(chǎn)出現(xiàn)空洞化，供給渠道將變得不穩(wěn)定，成為安全保障方面的風險。另一方面，中國大陸產(chǎn)能的全球份額已達到15％，超過了美國。有預測稱到10年后將增至24％，在世界范圍躍居首位。

擔憂中國崛起的美國國會和政權希望通過對半導體的巨額補貼，推動供應鏈回歸美國國內(nèi)。對半導體的公共支援計劃列入2021財政年度（2020年10月～2021年9月）預算。參議院和眾議院都在超黨派審議自主的半導體支援法案，兩院已啟動了統(tǒng)一行動。推動制造業(yè)回歸美國的特朗普政權還計劃推動相關法案的通過。

截至9月26日浮出水面的超黨派的兩院統(tǒng)一法案的草案提出，面向半導體工廠和研究設施等，聯(lián)邦政府每1件支付最多30億美元的補貼。半導體工廠存在建設費達到100億美元的情況，明顯左右競爭力。建立150億美元規(guī)模的基金，用10年時間展開投資的方案最有可能。

此外，對于安全保障方面機密性更高的半導體生產(chǎn)，存在國防部等提供50億美元開發(fā)資金的方案。在美國半導體行業(yè)，英特爾在新一代產(chǎn)品的微細化技術上，落后于臺積電（TSMC）。為了扭轉(zhuǎn)劣勢，還將向研究開發(fā)追加分配50億美元的預算。對半導體的補貼僅聯(lián)邦政府就達到合計250億美元規(guī)模，各州和地方政府也將通過稅收優(yōu)惠等提供支援。

中國正在政企合作將半導體打造為支柱產(chǎn)業(yè)，2014年設立政策性基金。截至2019年的投資額達到1400億元（約合205億美元）。如果加上地方政府的相關基金，累計投資額為超過5千億元的規(guī)模。中國提出到2025年使半導體的70％在國內(nèi)生產(chǎn)的目標。高科技領域已經(jīng)成為中美的主戰(zhàn)場。

信奉市場主義經(jīng)濟的美國此前對于向特定產(chǎn)業(yè)投入巨額補貼持慎重態(tài)度。曾向尖端技術的研究開發(fā)等投入公共預算，但向工廠建設等直接投入補貼實屬罕見。高科技領域的公共支援大戰(zhàn)存在扭曲自由市場競爭的風險。

半導體是美國屈指可數(shù)的出口產(chǎn)業(yè)，巨額補貼的投入也有違反世界貿(mào)易組織（WTO）規(guī)則的可能性。美國此次的補貼構想打算涵蓋臺積電等海外企業(yè)在美國生產(chǎn)的情況，美國國會相關人士表示，“不屬于違規(guī)出口補貼”。草案還提出創(chuàng)建與日歐等同盟國共同開發(fā)最新半導體的“多邊基金”，這被認為意在緩解國際批評。

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