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物理所成功制備單層MoS2晶圓,將推動二維半導(dǎo)體材料的研究發(fā)展進程

電子工程師 ? 來源:芯片揭秘 ? 作者:芯片揭秘 ? 2020-10-25 10:05 ? 次閱讀
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本期為大家介紹的是中國科學(xué)院物理研究所在高質(zhì)量二維半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域獲得的新進展,張廣宇課題組以自主設(shè)計搭建的CVD設(shè)備在藍寶石襯底上外延制備了四英寸連續(xù)單層二硫化鉬晶圓,其晶圓具有目前國際上報道中最高的電子學(xué)質(zhì)量,將推動二維半導(dǎo)體材料的研究發(fā)展進程,為給學(xué)界成果落地柔性電子產(chǎn)品注入新的動力。

研究背景

有心的朋友會發(fā)現(xiàn),從手機到各類智能穿戴,各類新產(chǎn)品在尺寸較之前未發(fā)生較大增加甚至有所縮小的情況下,卻具備了更強大更復(fù)雜的功能,這得益于晶體管制備技術(shù)的不斷發(fā)展下帶來的電路集成度的提高。在這種半導(dǎo)體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下,以二硫化鉬(MoS2)等過渡金屬硫?qū)倩衔铮═MDC)為代表的二維半導(dǎo)體材料顯示出獨特優(yōu)勢,具有超薄厚度(單原子層或?qū)訑?shù)較少的多原子層)和優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)、機械性能及多自由度可調(diào)控性,使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學(xué)器件中具有優(yōu)勢。

然而,現(xiàn)階段以器件應(yīng)用為背景的單層MoS2研究仍存在著關(guān)鍵問題:制備工藝不完善,如何獲得高質(zhì)量大尺度的MoS2晶圓?這是新型半導(dǎo)體材料從實驗室走向市場要經(jīng)歷的共性問題,若能解決其高質(zhì)量規(guī)?;苽涞年P(guān)鍵科學(xué)障礙,將推動二維半導(dǎo)體材料的應(yīng)用發(fā)展進程,給柔性電子產(chǎn)業(yè)注入新的發(fā)展動力。

中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心張廣宇課題組致力于高質(zhì)量二維材料的外延、能帶調(diào)控、復(fù)雜結(jié)構(gòu)疊層、功能電子器件和光電器件的研究采用自主設(shè)計的新型CVD設(shè)備實現(xiàn)了高質(zhì)量連續(xù)單層MoS2晶圓制備。相關(guān)研究成果于近期以“Wafer-Scale Highly Oriented Monolayer MoS2 with Large Domain Sizes”為題發(fā)表于微納研究領(lǐng)域頂級期刊《Nano Letters》,博士研究生王琴琴為論文第一作者,物理所研究員張廣宇為論文通訊作者。

基本特性

研究團隊利用自主設(shè)計搭建的四英寸多源化學(xué)氣相沉積設(shè)備,采用立式生長方法在藍寶石襯底上外延制備四英寸高質(zhì)量連續(xù)單層MoS2晶圓,所外延的高質(zhì)量薄膜由高定向(0°和60°)的大晶粒(平均晶粒尺寸大于100 μm)拼接而成。在高定向的薄膜中,高分辨透射電子顯微鏡觀測到近乎完美的4|4E型晶界。

原理與測試

上圖為單層MoS2的晶圓生長示意圖,圖(a)為多源CVD設(shè)備搭建示意圖,圖(b)為4英寸晶圓成品的俯視圖,圖(c)-圖(e)圖為不同觀測時間點下,MoS2在藍寶石表面生長的光學(xué)圖像,O2流率為~10sccm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分鐘)。

單層MoS2薄膜的結(jié)構(gòu)表征,圖(a)為原子力顯微鏡形貌圖,圖(b)為薄膜的熒光顯微鏡圖像,圖(c)為MoS2疇界區(qū)域的STEM形貌像,圖(d)為圖(c)中矩形區(qū)域的放大圖像,圖(e)為一個晶粒尺寸范圍的STEM形貌圖,圖(f)為單層膜的選區(qū)電子衍射圖像。

合成的二硫化鉬單層的片級均勻性監(jiān)測,圖(a,b,e)為典型拉曼光譜和/PL(光致發(fā)光)線掃描沿直徑方向映射的彩色編碼圖像,圖(c,f)是晶圓上隨機選取的四個位置對應(yīng)的拉曼/PL光譜。

單層MoS2薄膜的電特性測試,圖(a,b)為典型場效應(yīng)晶體管的輸出/傳輸特性曲線,圖(c)為通/斷比變化圖像,圖(d)為隨機100個MoS2場效應(yīng)管的遷移率統(tǒng)計分布,圖(f)為電壓轉(zhuǎn)移特性逆變器的和相應(yīng)的電壓增益的轉(zhuǎn)移曲線,圖(g,h,i)為MoS2搭建與非門、或非門、與門的輸出特性測試。

前景展望

得益于多源設(shè)計,本成果所制備的晶圓具有目前國際上報道中最高的電子學(xué)質(zhì)量,實現(xiàn)高質(zhì)量單層MoS2晶圓的制備將會促進MoS2器件制備技術(shù)的進一步突破和柔性電子器件研究成果的成熟,為大面積柔性電子器件的發(fā)展提供新的思路與技術(shù)基礎(chǔ),預(yù)計可有效推動二維半導(dǎo)體材料在柔性顯示屏、智能可穿戴器件方面的應(yīng)用,也許各類薄如紙張的柔性電子產(chǎn)品也會因此在不就的未來出現(xiàn)在我們的雙十一購物單里面呢。

論文全文鏈接:

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.0c02531

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:科研前線 | 物理所成功制備單層MoS2晶圓,電子學(xué)質(zhì)量為國際最高

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