金屬-半導(dǎo)體界面接觸電阻是制約半導(dǎo)體器件微縮化的關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)金屬（如Ni、Ti）與二維半導(dǎo)體接觸時，金屬誘導(dǎo)帶隙態(tài)（MIGS）導(dǎo)致費米能級釘扎，形成肖特基勢壘?，F(xiàn)有策略（如重摻雜或插入介電層）在二維材料中效果有限。本研究提出利用半金屬鉍（Bi）與單層過渡金屬硫?qū)倩衔铮═MDs）接觸，借助Xfilm埃利TLM接觸電阻測試儀，結(jié)合半金屬（鉍，Bi）的獨特電子特性，通過其近零費米能級態(tài)密度和能帶對準特性，抑制MIGS，消除肖特基勢壘，實現(xiàn)歐姆接觸。

帶隙態(tài)飽和機制

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半金屬-半導(dǎo)體接觸的帶隙態(tài)飽和機制

半金屬在費米能級處的態(tài)密度趨近于零，與半導(dǎo)體接觸時可顯著抑制導(dǎo)帶 MIGS，使價帶能隙態(tài)被電子填充至飽和，形成無勢壘的簡并態(tài)界面。理論計算顯示，Bi 與 MoS?界面的隧穿勢壘寬度僅 1.66 ?，隧穿電阻率低至 1.81×10?? Ω?cm2，為接觸電阻的大幅降低提供了物理基礎(chǔ)。

接觸電阻的量化表征與突破

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單層MoS? FET中歐姆接觸與肖特基接觸的對比

通過電子束蒸發(fā)在單層 MoS?接觸窗口沉積 20 nm Bi 薄膜，結(jié)合傳輸線模型（TLM）測得接觸電阻低至 123 Ω?μm，較 Ni、Ti 接觸降低一個數(shù)量級以上。35 nm 溝道長度器件的導(dǎo)通電流密度達到 1135 μA/μm，是此前報道的二維半導(dǎo)體器件最高值的 2 倍以上，且接觸電阻僅占總電阻的 5% 以下，表明器件性能首次擺脫接觸限制，進入溝道本征導(dǎo)電區(qū)域。

無勢壘接觸的多維度驗證

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晶體結(jié)構(gòu)與歐姆接觸機制

溫度依賴的電學測試（77-300 K）顯示，Bi-MoS?器件輸出特性保持線性，而 Ni 接觸器件因肖特基勢壘表現(xiàn)出顯著非線性，證實 Bi 接觸界面無勢壘特性。拉曼光譜與 XPS 表征進一步顯示，Bi 接觸使 MoS?費米能級上移 400 meV，進入導(dǎo)帶形成簡并態(tài)，電子濃度與理論計算高度吻合，從實驗層面驗證了能隙態(tài)飽和機制對接觸電阻的抑制作用。

超低接觸電阻與高性能器件

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Bi接觸二維半導(dǎo)體技術(shù)的性能基準

• 接觸電阻：通過傳輸線法（TLM）測得Bi-MoS?接觸電阻低至123 Ω·μm，接近量子極限。
• 導(dǎo)通電流：在35 nm溝道長度的MoS? FET中，導(dǎo)通電流密度達1,135 μA/μm，遠超現(xiàn)有二維半導(dǎo)體器件。
• 普適性：該方法適用于多種單層TMDs（MoS?、WS?、WSe?），均表現(xiàn)出線性輸出特性和高開關(guān)比（>10?）。

該接觸策略適用于多種二維半導(dǎo)體（包括 MoS?、WS?和 WSe?），且通過標準 CMOS 兼容蒸發(fā)工藝即可形成接觸，展現(xiàn)出良好的可靠性和可擴展性。鉍接觸的二維半導(dǎo)體技術(shù)有望滿足未來技術(shù)節(jié)點的需求，其接觸電阻接近量子極限，為實現(xiàn)高性能單層晶體管并推動電子器件進一步縮小提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。

Xfilm埃利TLM電阻測試儀

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Xfilm埃利TLM接觸電阻測試儀用于測量材料表面接觸電阻或電阻率的專用設(shè)備，廣泛應(yīng)用于電子元器件、導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、金屬鍍層、光伏電池等領(lǐng)域?！?/span>靜態(tài)測試重復(fù)性≤1%，動態(tài)測試重復(fù)性≤3%■ 線電阻測量精度可達5%或0.1Ω/cm■ 接觸電阻率測試與線電阻測試隨意切換■ 定制多種探測頭進行測量和分析這項研究通過創(chuàng)新的半金屬 - 半導(dǎo)體接觸策略，借助Xfilm埃利TLM接觸電阻測試儀精確表征，首次實現(xiàn)了界面勢壘的有效抑制與歐姆接觸的穩(wěn)定構(gòu)建，在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重大突破，為未來高性能電子器件的發(fā)展開辟了新的道路。

原文出處：《Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors》

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