從CPU,GPU,內(nèi)存,網(wǎng)絡(luò)等方面的數(shù)據(jù)處理以及從高壓AC一直進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的角度來看,“硅芯片”一直是數(shù)據(jù)革命的支柱,實際上是推動這一革命的推動力。降至微處理器所需的1V。問題在于,作為功率轉(zhuǎn)換平臺的硅已經(jīng)達(dá)到其物理極限,現(xiàn)在該是一種新的半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)取代了的時候了。全球范圍內(nèi)的Si-GaN數(shù)據(jù)中心升級將減少30-40%的能量損失,這意味著到2030年將節(jié)省超過100 TWh和125噸的CO2排放量。
數(shù)據(jù)中心整合–超大規(guī)模
隨著互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP)流量的持續(xù)增長,規(guī)模經(jīng)濟(jì)意味著數(shù)據(jù)中心正在整合為“超大規(guī)?!边\(yùn)營(圖1)。這些設(shè)施是從頭開始構(gòu)建的,因此與舊式或翻新的電源解決方案無關(guān)。
圖1:年度IP流量增加和“超大規(guī)?!睌?shù)據(jù)中心的崛起(思科)
服務(wù)器和電信架構(gòu)的整合– HVDC
讓我們看一下數(shù)據(jù)中心的架構(gòu),以及GaN可以在其中減少損耗,從而節(jié)省金錢和自然資源的架構(gòu)。對于服務(wù)器,這通常是空調(diào)房間中的AC到12 VDC,而對于傳統(tǒng)的低功能(例如,僅語音)電信系統(tǒng),這是遠(yuǎn)程潮濕的“蜂窩塔”,需要AC進(jìn)行“防腐蝕” ,負(fù)參考48 VDC用于備用電池。隨著通信量的增加,大多數(shù)電信系統(tǒng)已經(jīng)超過了原來的“僅蜂窩塔式”結(jié)構(gòu),現(xiàn)在處于類似的“干凈”環(huán)境中,因此48V可以是正參考電壓,并且可以使用類似的系統(tǒng)組件作為服務(wù)器。由于預(yù)測顯示從2015年到2025年僅10年內(nèi)數(shù)據(jù)流量將增長30倍,因此這一趨勢有望繼續(xù)。在合并方法中,我們還可以受益于從交流配電過渡到400 V直流配電的方法,如圖2所示。 。
圖2:將服務(wù)器AC和電信48 VDC架構(gòu)整合到400 VDC HVDC系統(tǒng)中。[NTT]
為什么選擇氮化鎵?
鎵(Ga,原子序數(shù)31)和氮(N,7)結(jié)合在一起成為半導(dǎo)體材料-氮化鎵(GaN)-像硅(Si,14)一樣。GaN是一種“寬帶隙”材料,因為它提供的電子帶隙比硅大3倍,這意味著它可以用大得多的芯片來處理大電場。憑借更小的晶體管和更短的電流路徑,可實現(xiàn)超低電阻和電容,同時實現(xiàn)高達(dá)100倍的更快開關(guān)速度。低電阻和低電容可轉(zhuǎn)化為更高的電源轉(zhuǎn)換效率,因此可將更多的電源傳遞給IT負(fù)載。這意味著每瓦更多的功能或更多的“操作”,而不是將能量消耗為熱量,從而使系統(tǒng)變暖并產(chǎn)生更多的制冷(空調(diào))工作量。此外,高速(頻率)切換意味著尺寸更小,
GaN作為功率元件構(gòu)建塊的實用且高性能的實現(xiàn)方式處于集成解決方案中,即Navitas Semiconductor的GaNFast電源IC。此處,GaN電源(FET),驅(qū)動,控制和保護(hù)高度集成,以創(chuàng)建易于使用的高性能,高頻(2 MHz),“數(shù)字輸入,輸出”構(gòu)建模塊。GaN功率IC是功率電子技術(shù)第二次革命的催化劑。
圖3:電力電子技術(shù)的兩次革命,伴隨著新的開關(guān)材料,集成,新的磁學(xué)和新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的“完美風(fēng)暴”,從學(xué)術(shù)界向工業(yè)界過渡。每次旋轉(zhuǎn)的結(jié)果顯著提高了開關(guān)頻率,效率,功率密度并大大降低了成本。2014年Navitas半導(dǎo)體公司的加入標(biāo)志著GaN功率IC的推出。[Navitas]
“第二次革命”開始于移動快速充電器市場,售后配件公司如Anker,AUKEY和Belkin提供了30至100W的單端口和多端口GaN基充電器。聯(lián)想,戴爾,小米,OPPO和華碩等一級OEM隨后發(fā)布了功率高達(dá)300W的智能手機(jī)和筆記本電腦充電器?,F(xiàn)在,已經(jīng)有超過900萬個GaNFast電源IC出現(xiàn)了零現(xiàn)場故障和超過170億個設(shè)備現(xiàn)場小時??煽啃詳?shù)據(jù)是保守的“關(guān)鍵任務(wù)”數(shù)據(jù)中心市場采用氮化鎵的關(guān)鍵基礎(chǔ)。
編輯:hfy
-
電源轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
358瀏覽量
35173 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
1796瀏覽量
118054
發(fā)布評論請先 登錄
氮化鎵電源IC U8765產(chǎn)品概述

CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計技術(shù)手冊免費下載
垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?
25W氮化鎵電源芯片U8722BAS的主要特征
合作案例 | 一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件耐高壓的秘密

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

評論