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SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務

電子工程師 ? 來源:世界先進制造技術論壇 ? 作者:世界先進制造技術 ? 2020-11-04 15:06 ? 次閱讀
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SK海力士90億美元收購英特爾NAND 閃存及存儲業(yè)務

2020年10月20日,SK海力士和英特爾在韓國時間10月20日共同宣布簽署收購協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90億美元(約600億人民幣)收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務。 本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務、NAND部件及晶圓業(yè)務,以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠。英特爾將保留其特有的英特爾傲騰TM業(yè)務。

業(yè)內人士認為,SK海力士收購英特爾業(yè)務后,其NAND業(yè)務全球市場占有率姜提升至第二,僅次于三星,將加速存儲產業(yè)全球格局的變化。這也標志這英特爾徹底退出存儲器制造業(yè)務。 SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后,SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(包括NAND SSD相關知識產權和員工)以及大連工廠。

此后,預計在2025年3月份最終交割時,SK海力士將支付20億美元余款從英特爾收購其余相關資產,包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發(fā)人員以及大連工廠的員工。根據(jù)協(xié)議,英特爾將繼續(xù)在大連閃存制造工廠制造NAND晶圓,并保留制造和設計NAND閃存晶圓相關的知識產權(IP),直至最終交割日。

通過本次收購,SK海力士旨在急速成長的NAND閃存領域中提升包括企業(yè)級SSD在內的存儲解決方案相關競爭力,進一步躍升為行業(yè)領先的全球半導體企業(yè)之一。SK海力士期待這項交易將令SK海力士發(fā)展存儲器生態(tài)系統(tǒng),進而給客戶、合作伙伴、公司員工和股東帶來更多利益。

英特爾作為世界半導體行業(yè)的領先者,擁有業(yè)界領先的NAND SSD技術以及4階儲存單元(quadruple level cell,QLC)NAND閃存產品線。截止2020年6月27日,英特爾的NAND業(yè)務在今年上半年為英特爾非易失性存儲器解決方案事業(yè)部(Non-volatile Memory Solutions Group, NSG)創(chuàng)下了約28億美元的營收,以及約6億美元的營業(yè)利潤。 SK海力士于2018年成功開發(fā)了全球首款基于電荷擷取閃存(Charge Trap Flash,CTF)的96層4D NAND閃存,并于2019年開發(fā)了128層4D NAND閃存。

SK海力士將結合英特爾的存儲解決方案相關技術及生產能力,打造包括企業(yè)級SSD在內的具有高附加值的一系列3D NAND解決方案。 英特爾計劃將本次交易獲得的資金用于開發(fā)業(yè)界領先的產品和加強其具有長期成長潛力的業(yè)務重點,包括人工智能AI)、5G網(wǎng)絡與智能、自動駕駛相關邊緣設備。 英特爾與SK海力士將共同合作以確保為客戶、供應商以及全體員工提供無縫銜接的順利過渡。兩家公司將維持包括DDR5相關領域合作在內的兩者間緊密的合作關系,保持緊密的合作,以滿足日益增長的基于存儲器的半導體生態(tài)系統(tǒng)的需求。

SK海力士 CEO李錫熙表示:“很高興看到引領NAND閃存技術創(chuàng)新的SK海力士及英特爾NAND部門將共同創(chuàng)造嶄新的未來。通過發(fā)揮雙方的技術和優(yōu)勢,SK海力士將主動響應客戶的各種需求,并優(yōu)化本公司的企業(yè)結構,進而在NAND閃存領域也樹立與DRAM業(yè)務同等水準的創(chuàng)新的產品群?!?/p>

英特爾 CEO 司睿博強調:“我為我們所建立的NAND閃存業(yè)務感到自豪,并相信與SK海力士的結合將有助于存儲器生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展,給客戶、合作伙伴、全體員工帶來更多利益。對于英特爾來說,這次交易能讓我們更加專注于投資具有差異化特點的技術,從而令我們在客戶的成功中扮演更重要的角色,并且為我們的投資者產出可觀的回報?!?/p>

責任編輯:lq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:半導體再現(xiàn)600億并購案,英特爾退出···

文章出處:【微信號:AMTBBS,微信公眾號:世界先進制造技術論壇】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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