繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機后,三星也坐不住了。
按照三星的說法,自2014年以來,EUV光刻參與的晶圓超過了400萬片,公司積累了豐富的經(jīng)驗,也比其它廠商掌握更多訣竅,領(lǐng)先對手1到2年。
據(jù)悉,三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV,第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機的參與可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本,并提高性能。
盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV,但層數(shù)過少對效率提升并不明顯,也就是單位成本高,畢竟EUV光刻機買一臺要10億元。三星這方面倒是有優(yōu)勢,因為自己還有晶圓廠,“東方不亮西方亮”光刻機的利用率很高。
責(zé)編AJX
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15894瀏覽量
182968 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5382瀏覽量
131955 -
EUV光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
129瀏覽量
15818
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),相比第二代3nm工藝,性能提升5%,功耗
【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究
一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴苛 ??偤穸绕睿═TV)是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標,其厚度
白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測量
EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長,成為 7nm 及以下節(jié)點集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的三維圖形(如鰭片、柵極、
EUV光刻膠材料取得重要進展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 隨著集成電路工藝的不斷突破, 當制程節(jié)點持續(xù)向7nm及以下邁進,傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已難以滿足高精度、高密度的制造需求,此時,波長13.5nm的極紫外(EUV)光刻技術(shù)
3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準精度的控制要求達納米級,傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦
光刻工藝中的顯影技術(shù)
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
今日看點丨美國宣布:征收高達3403%關(guān)稅!;傳三星停產(chǎn)DDR4
改進EUV光刻制造技術(shù)。與此同時,三星還獲得了High-NA EUV光刻設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)。 ? 據(jù)外媒報道,ASML現(xiàn)在似乎放棄了與
發(fā)表于 04-22 11:06
?1492次閱讀
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標
光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進,對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求持續(xù)攀升,
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預(yù)計?2027?年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當時的說法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ?
芯片制造:光刻工藝原理與流程
機和光刻膠: ? 光掩膜:如同芯片的藍圖,上面印有每一層結(jié)構(gòu)的圖案。 ? ? ?光刻機:像一把精確的畫筆,能夠引導(dǎo)光線在光刻膠上刻畫出圖案。 ? 光刻膠:一種特殊的感光材料,通過
三星否認重新設(shè)計1b DRAM
問題,在2024年底決定在改進現(xiàn)有1b nm工藝的同時,從頭設(shè)計新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關(guān)媒體表示相關(guān)報道不準確。盡管三星否認了重新設(shè)計,但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目
三星部署擴展EUV光刻工藝,爭取提高性能
評論