在高精度工藝時代，高端EUV***的數(shù)量在很大程度上決定著專業(yè)晶圓代工廠的產(chǎn)能。因此，臺積電、三星等巨頭都不惜成本地斥巨資，搶購年產(chǎn)量有限的高端***。

12月29日，中國芯片巨頭臺積電傳來新消息，為了新制程做準備，正在籌集更多的資金，向荷蘭***巨頭ASML購買更多更先進制程的EUV***。

大量采購EUV***之前，臺積電就陸續(xù)透露出有關5nm以下先進工藝的研發(fā)進度。

據(jù)臺媒經(jīng)濟日報透露，臺積電已經(jīng)研發(fā)出全新的多橋通道場效電晶體架構（MBCFET），該架構會被應用于臺積電2nm工藝。

如果在現(xiàn)有傳統(tǒng)鰭式場效電晶體（FinFET）架構的基礎上，繼續(xù)提升工藝精度的話，會因為制程的微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。

因此，臺積電研發(fā)出多橋通道場效電晶體架構，能夠更好地增強柵極對溝道的控制能力，有效減少漏電情況。

值得一提的是，臺積電還表示，摩爾定律仍將適用于1nm，且該公司已經(jīng)對1nm工藝展開研究。此外，目前臺積電正在為2nm之后的先進制程持續(xù)覓地。

不過，雖然臺積電利用新材料解決了芯片工藝的摩爾定律延續(xù)問題，但目前能夠量產(chǎn)的EUV***，卻無法與臺積電的3nm及以下工藝做到精度匹配。

因此，臺積電對ASML的EUV***也提出更高的要求。

既然臺積電都做到了延續(xù)摩爾定律，作為壟斷全球的ASML，自然也能夠進一步提升高端***的精度。

據(jù)了解，ASML已經(jīng)聯(lián)手IMEC公司展開了對下一代高分辨率EUV***技術——高NA EUV***技術的商業(yè)化應用。

IMEC透露，ASML方面已經(jīng)完成了NXE：5000系列高NA EUV曝光系統(tǒng)的基本設計，預計2022年左右就能夠實現(xiàn)商業(yè)化。

資料顯示，這類高NA EUV***，對于2nm及一下超精細工藝的研發(fā)相當重要。這顯然是臺積電、三星的剛需設備。

雖然該設備的商業(yè)化時間距離現(xiàn)在為時尚早，但考慮到此類高端設備量產(chǎn)初期，年產(chǎn)量可能極為有限、且三星也在旁虎視眈眈的情況，臺積電不得不提前訂購。

可見，臺積電已經(jīng)開始備戰(zhàn)1nm技術，但臺積電對手三星，卻還需要為應用全新GAA技術的3nm能否順利量產(chǎn)而擔憂。
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