氮化鎵（GaN）是一種無(wú)機(jī)物，是氮和鎵的化合物，主要應(yīng)用于射頻器件和電力電子器件的制造。受電信業(yè)和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng)，全球氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，2020年預(yù)計(jì)突破10億美元，其中，射頻器件是最大的應(yīng)用領(lǐng)域。在競(jìng)爭(zhēng)格局方面，行業(yè)龍頭企業(yè)多以IDM模式為主，且國(guó)外公司在技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)能方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。

1、氮化鎵：第三代半導(dǎo)體材料的典型代表

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物。以GaN與SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料最大的優(yōu)點(diǎn)在于能夠適應(yīng)高壓，高頻和高溫的極端環(huán)境，性能大幅提升，氮化鎵的主要性能指標(biāo)如下：

2、上游原料金屬鎵：中國(guó)是全球最大的市場(chǎng)

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，金屬鎵是砷化鎵、氮化鎵的重要原料之一。目前，我國(guó)是全球最大的金屬鎵生產(chǎn)、消費(fèi)和出口國(guó)。2019年，我國(guó)原生鎵產(chǎn)量356.6噸，同比降低11.7%;消費(fèi)量262噸，基本與2018年持平。同時(shí)，我國(guó)原生鎵產(chǎn)量和消費(fèi)量分別占全球的95.2%和48.9%。

3、下游射頻器件應(yīng)用規(guī)模占比達(dá)91%

2018-2019年，受電信業(yè)和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng)，全球第三代半導(dǎo)體材料-氮化鎵（GaN）的市場(chǎng)規(guī)模由7億美元增長(zhǎng)至8.2億美元，其中射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約7.4億美元，電力電子市場(chǎng)規(guī)模約0.76億美元。2020年隨著5G的應(yīng)用和推廣，市場(chǎng)規(guī)模將突破10億美元。

在應(yīng)用領(lǐng)域方面，目前氮化鎵（GaN）主要應(yīng)用于射頻器件和電力電子器件的制造。2019年，射頻氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模占氮化鎵整體規(guī)模的比重達(dá)91%。

4、國(guó)外公司的技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)明顯

從氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈公司來(lái)看，國(guó)外公司在技術(shù)實(shí)力以及產(chǎn)能上保持較大的領(lǐng)先。其中，行業(yè)龍頭企業(yè)以IDM模式為主，其中，美國(guó)Qorvo擁有自身的晶圓代工廠以及封測(cè)廠，在國(guó)防以及5G射頻芯片領(lǐng)域具備較大優(yōu)勢(shì);而德國(guó)Infineon是專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，主要產(chǎn)品集中在6英寸GaN產(chǎn)線上，8英寸產(chǎn)線也在發(fā)展中。國(guó)內(nèi)廠商包括蘇州能華、華功半導(dǎo)體以及英諾賽科等。

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