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全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 作者:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 2021-01-11 14:18 ? 次閱讀
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NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。

亞太地區(qū)是最大的供給和需求區(qū)

結(jié)合全球NAND閃存的代表性廠商分析,全球NAND閃存的供給廠商主要集中在日韓美三大國(guó)家。其中亞洲地區(qū)的韓國(guó)和日本合計(jì)占比超過(guò)60%,結(jié)合亞太地區(qū)還有中國(guó)臺(tái)灣的代工生產(chǎn),由此可見(jiàn)亞太地區(qū)是全球最重要的NAND閃存供給區(qū)域。

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

得益于智能手機(jī)的需求,中國(guó)地區(qū)對(duì)NAND閃存的市場(chǎng)銷售額占比全球最大,根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2019年中國(guó)地區(qū)NAND閃存市場(chǎng)銷售額占全球37%,其次是美國(guó)的31%。

圖表2:2019年全球NAND閃存市場(chǎng)銷售額區(qū)域分布(單位:%)

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)的發(fā)展不過(guò)幾十年時(shí)間,從整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)來(lái)看,NAND閃存業(yè)鏈目前逐漸分為三個(gè)大的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié),分別是:NAND Flash存儲(chǔ)芯片(顆粒),存儲(chǔ)控制器芯片以及存儲(chǔ)模組/產(chǎn)品,雖然國(guó)內(nèi)廠商在三個(gè)環(huán)節(jié)都在奮起直追,但目前看占據(jù)市場(chǎng)壟斷地位的仍是國(guó)際大公司。

圖表3:NAND閃存產(chǎn)業(yè)鏈布局

根據(jù)Statista的數(shù)據(jù),全球NAND閃存顆粒的市場(chǎng)一直被三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)(閃迪)、美國(guó)、英特爾和海力士六大廠商占比,自2019后其他廠商如中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)慢慢進(jìn)入全球視線,但市占率仍在較低。

圖表4:2018-2020年全球NAND閃存顆粒企業(yè)市場(chǎng)占有率(單位:%)

六大廠商推陳出新 長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

根據(jù)全球NAND閃存廠商的技術(shù)線路圖,三星、海力士、美光都計(jì)劃在2020年推出128層的(TLC/QLC),而在2020年后,QLC將逐步發(fā)展并成為主流。在2018年后,中國(guó)的長(zhǎng)江儲(chǔ)存技術(shù)出現(xiàn)在世界視野中,中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片、年底前量產(chǎn),擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品,并同時(shí)出貨給模組廠。

圖表5:2018-2021年全球NAND閃存領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)線路圖

3D NAND技術(shù)是核心競(jìng)爭(zhēng)力,原廠之間的競(jìng)爭(zhēng)也從未停歇,2020年原廠3D NAND供貨主力仍以96層為主,并不斷的提高128層3D NAND產(chǎn)出,同時(shí)三星、SK海力士等積極的導(dǎo)入到消費(fèi)類和企業(yè)級(jí)SSD中應(yīng)用。

圖表6:全球主要企業(yè)100層以上3D NAND技術(shù)參數(shù)

責(zé)任編輯:gt

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