在電力電子系統(tǒng)中,從手機(jī)充電器到工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng),從智能家居設(shè)備到新能源汽車低壓輔助系統(tǒng),都離不開一款關(guān)鍵器件——中低壓MOS管。作為電壓等級(jí)在100V及以下的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(
發(fā)表于 10-20 10:53
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功率半導(dǎo)體器件一直以來都在朝著高頻化、低功耗的方向演進(jìn),MOSFET 已經(jīng)形成了高壓與中低壓兩大技術(shù)的分支。錯(cuò)誤選型對(duì)電路拓?fù)涞南到y(tǒng)影響,很可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備發(fā)熱嚴(yán)重、待機(jī)功耗超標(biāo),嚴(yán)重的話甚至?xí)s短
發(fā)表于 09-15 16:02
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目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的
發(fā)表于 07-12 16:18
。
惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT8
發(fā)表于 07-10 14:03
設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)分析MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比,特別是在中低壓功率系統(tǒng)中的權(quán)衡。一、MOSFET與IGBT的基本原理MOSFET
發(fā)表于 07-07 10:23
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N溝道MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制型器件,依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓時(shí),源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道,實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通,具有輸入阻抗高、
發(fā)表于 06-28 10:48
。其中,關(guān)斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo),直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及在電力電子領(lǐng)
發(fā)表于 06-10 08:38
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)和碳化硅(SiC),它們?cè)陔娏﹄娮印⑸漕l和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
發(fā)表于 05-22 15:04
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極海半導(dǎo)體憑借在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累,推出了基于G32R501實(shí)時(shí)控制MCU的全數(shù)字雙向電源參考方案,該方案具備高效率、高可靠、高轉(zhuǎn)換率、低噪聲和高性價(jià)比等特點(diǎn),為企業(yè)應(yīng)對(duì)關(guān)稅沖
發(fā)表于 04-12 14:15
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? 電路設(shè)計(jì)痛點(diǎn)終結(jié)者來了! ?
無論是高壓嚴(yán)苛環(huán)境還是低壓精密控制,?惠海半導(dǎo)體20-250V系列MOS管****? 以強(qiáng)性能橫掃行業(yè)難題
發(fā)表于 03-27 17:13
,變頻器,電鍍電解電源,超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域 開關(guān)電源 (Switch Mode Power Supply;SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導(dǎo)體器件的選擇,即開關(guān)管和整流器。雖然沒有萬全的方案
發(fā)表于 03-25 13:43
MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分,因其開關(guān)速度快、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中。根據(jù)功能和特性,MOS管的應(yīng)用覆蓋了電源管理、信號(hào)處理、通信設(shè)備、汽車
發(fā)表于 12-26 10:06
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室溫下的連續(xù)振蕩成為可能。1970年代之后,半導(dǎo)體激光器技術(shù)迅速發(fā)展,并被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。
激光二極管的發(fā)光原理
激光二極管是一種能發(fā)射特定波長(zhǎng)激光的
發(fā)表于 11-08 11:32
關(guān)于100V MOS管(包括N通道和P通道)的特性、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及惠海MOS管在典型應(yīng)用領(lǐng)域
發(fā)表于 10-28 11:07
案例分享|中低壓MOS管在雙向型逆變器上的應(yīng)用
發(fā)表于 10-24 10:38
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評(píng)論