DDR3內(nèi)存價格將漲價40-50%
最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會是DDR5元年。
DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當然不會馬上被淘汰，但前景肯定不會多好了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。
目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。
目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的幾家小廠商在生產(chǎn)，包括華邦電子、晶豪科技、鈺創(chuàng)等。
由于需求增加以及供應減少的因素，DDR3內(nèi)存價格最近已經(jīng)開始上漲了，而且供應鏈傳來的消息越來越不樂觀，2021年原本預計是漲價30%左右，但是最新說法是將漲價40-50%，遠高于預期。
責編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DDR3
+關注
關注
2文章
287瀏覽量
43943 -
intel
+關注
關注
19文章
3506瀏覽量
190573 -
內(nèi)存
+關注
關注
9文章
3173瀏覽量
76118
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
【工程師必看】DDR缺貨漲價？5步教你驗證新內(nèi)存顆粒“抗不抗造”！
前言：2025年，存儲市場持續(xù)“高燒”——-國際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價50%只是起步-國產(chǎn)料號月更、周更，同一料號不同Die，顆粒參數(shù)“開盲盒”-更大的坑是：對于嵌入式
AD設計DDR3時等長設計技巧
本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
發(fā)表于 07-29 16:14
?2次下載
AD設計DDR3時等長設計技巧
的講解數(shù)據(jù)線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
發(fā)表于 07-28 16:33
?4次下載
【RK3568+PG2L50H開發(fā)板實驗例程】FPGA部分 | DDR3 讀寫實驗例程
：
Window11 PDS2022.2-SP6.4
芯片型號：
PG2L50H-484
2.實驗原理
開發(fā)板集成 1 顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3
發(fā)表于 07-10 10:46
DDR內(nèi)存市場現(xiàn)狀和未來發(fā)展
DDR內(nèi)存占據(jù)主導地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3
看點：三星DDR4內(nèi)存漲價20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendF
DDR4漲價20%，DDR5上調(diào)5%！
%。 ? 除了三星，SK海力士、美光此前也傳出漲價的消息。據(jù)供應鏈人士透露，海力士DRAM（消費級）顆粒（Memory Chip/Die）價格已上漲約12%。 ? 而美光率先于2025年第二季度對DRAM內(nèi)存
在Vivado調(diào)用MIG產(chǎn)生DDR3的問題解析
下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
TPS51216-EP 增強型產(chǎn)品 完整的 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存電源解決方案 同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （
DDR3 SDRAM配置教程
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，
燦芯半導體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP
燦芯半導體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析
DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、
三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4
據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更
Omdia預測：今年前三季度PC、服務器、移動DRAM內(nèi)存價格將下滑15%
%。進入第三季度，價格下滑趨勢將進一步加劇，預計再降5%。這意味著，在整個前三季度，PC、服務器及移動DRAM內(nèi)存價格將累計下滑15%。 值得注意的是，此前價格相對堅挺的服務器級DRA
工商網(wǎng)監(jiān)
評論