2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。

公告顯示，根據(jù)三安光電與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項目投資建設(shè)合同》，長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會同意按合同約定撥付湖南三安產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。湖南三安已于2021年1 月29日收到該筆款項。

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計、制造、及服務(wù)。湖南長沙三安項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，依托全產(chǎn)業(yè)鏈及大規(guī)模生產(chǎn)布局將使得公司節(jié)能芯片產(chǎn)品具有高性能、低成本、高可靠性等市場領(lǐng)先競爭優(yōu)勢。

2021年1月19日，湖南三安半導(dǎo)體項目最大單體M2B芯片廠房順利完成封頂，此次封頂標(biāo)志著這座湖南省境內(nèi)的首個第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項目（一期）Ⅰ標(biāo)段完成全面封頂，預(yù)計該項目在2021年中有望實現(xiàn)全面投產(chǎn)。

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