chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

清華新成果有望為EUV光刻光源提供新技術(shù)路線

傳感器技術(shù) ? 來(lái)源:電子工程專(zhuān)輯 ? 作者:電子工程專(zhuān)輯 ? 2021-03-02 09:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

清華大學(xué)工程物理系教授唐傳祥研究組與來(lái)自亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心(HZB)以及德國(guó)聯(lián)邦物理技術(shù)研究院(PTB)的合作團(tuán)隊(duì),報(bào)告了一種新型粒子加速器光源“穩(wěn)態(tài)微聚束”(SSMB)的首個(gè)原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。該光源未來(lái)有望應(yīng)用于EUV光刻和角分辨光電子能譜學(xué)等領(lǐng)域,為EUV光刻光源提供新技術(shù)路線……

2月25日,清華大學(xué)工程物理系教授唐傳祥研究組與來(lái)自亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心(HZB)以及德國(guó)聯(lián)邦物理技術(shù)研究院(PTB)的合作團(tuán)隊(duì)在《自然》(Nature)上發(fā)表了題為“穩(wěn)態(tài)微聚束原理的實(shí)驗(yàn)演示”(Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching)的研究論文,報(bào)告了一種新型粒子加速器光源“穩(wěn)態(tài)微聚束”(Steady-state microbunching,SSMB)的首個(gè)原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。

基于SSMB原理,能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射,波長(zhǎng)可覆蓋從太赫茲到極紫外(EUV)波段,有望為光子科學(xué)研究提供廣闊的新機(jī)遇。《自然》評(píng)閱人對(duì)該研究高度評(píng)價(jià),認(rèn)為“展示了一種新的方法論”,“必將引起粒子加速器和同步輻射領(lǐng)域的興趣”?!蹲匀弧废嚓P(guān)評(píng)論文章寫(xiě)道:“該實(shí)驗(yàn)展示了如何結(jié)合現(xiàn)有兩類(lèi)主要加速器光源——同步輻射光源及自由電子激光——的特性。SSMB光源未來(lái)有望應(yīng)用于EUV光刻和角分辨光電子能譜學(xué)等領(lǐng)域?!痹撜撐囊唤?jīng)刊發(fā),立即引起國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

圖1. SSMB原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)示意圖(圖片來(lái)源:《自然》)

圖2. SSMB原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)結(jié)果(圖片來(lái)源:《自然》)

實(shí)驗(yàn)中,研究團(tuán)隊(duì)利用波長(zhǎng)1064納米的激光操控位于柏林的儲(chǔ)存環(huán)MLS內(nèi)的電子束,使電子束繞環(huán)一整圈(周長(zhǎng)48米)后形成精細(xì)的微結(jié)構(gòu),也即微聚束。微聚束會(huì)在激光波長(zhǎng)及其高次諧波上輻射出高強(qiáng)度的窄帶寬相干光,實(shí)驗(yàn)通過(guò)探測(cè)該輻射驗(yàn)證微聚束的形成。微聚束的形成,證明了電子的光學(xué)相位能以短于激光波長(zhǎng)的精度逐圈關(guān)聯(lián)起來(lái),使得電子可被穩(wěn)態(tài)地束縛在激光形成的光學(xué)勢(shì)井中,驗(yàn)證了SSMB的工作機(jī)理。實(shí)驗(yàn)示意如圖1所示,部分實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖2所示。

SSMB概念由斯坦福大學(xué)教授、清華大學(xué)杰出訪問(wèn)教授趙午與其博士生Daniel Ratner于2010年提出。趙午持續(xù)推動(dòng)SSMB的研究與國(guó)際合作。2017年,唐傳祥與趙午發(fā)起該項(xiàng)實(shí)驗(yàn),唐傳祥研究組主導(dǎo)完成了實(shí)驗(yàn)的理論分析和物理設(shè)計(jì),并開(kāi)發(fā)測(cè)試實(shí)驗(yàn)的激光系統(tǒng),與合作單位進(jìn)行實(shí)驗(yàn),并完成了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析與文章撰寫(xiě)。

有望為EUV光刻光源提供新技術(shù)路線引發(fā)國(guó)際社會(huì)重點(diǎn)關(guān)注

“SSMB光源的潛在應(yīng)用之一是作為未來(lái)EUV光刻機(jī)的光源,這是國(guó)際社會(huì)高度關(guān)注清華大學(xué)SSMB研究的重要原因?!碧苽飨楦嬖V記者。

芯片制造的產(chǎn)業(yè)鏈中,光刻機(jī)是必不可少的精密設(shè)備,是集成電路芯片制造中最復(fù)雜和關(guān)鍵的工藝步驟。光刻機(jī)的曝光分辨率與波長(zhǎng)直接相關(guān),半個(gè)多世紀(jì)以來(lái),光刻機(jī)光源的波長(zhǎng)不斷縮小,芯片工業(yè)界公認(rèn)的新一代主流光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為13.5納米光源的EUV(極紫外光源)光刻。EUV光刻機(jī)工作相當(dāng)于用波長(zhǎng)只有頭發(fā)直徑一萬(wàn)分之一的極紫外光,在晶圓上“雕刻”電路,最后將讓指甲蓋大小的芯片包含上百億個(gè)晶體管,這種設(shè)備工藝展現(xiàn)了人類(lèi)科技發(fā)展的頂級(jí)水平。荷蘭ASML公司是目前世界上唯一的EUV光刻機(jī)供應(yīng)商,每臺(tái)EUV光刻機(jī)售價(jià)超過(guò)1億美元。

大功率的EUV光源是EUV光刻機(jī)的核心基礎(chǔ)。目前ASML公司采用的是高能脈沖激光轟擊液態(tài)錫靶,形成等離子體然后產(chǎn)生波長(zhǎng)13.5納米的EUV光源,功率約250瓦。而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小,預(yù)計(jì)對(duì)EUV光源功率的要求將不斷提升,達(dá)到千瓦量級(jí)。

“簡(jiǎn)而言之,光刻機(jī)需要的EUV光,要求是波長(zhǎng)短,功率大?!碧苽飨檎f(shuō)。大功率EUV光源的突破對(duì)于EUV光刻進(jìn)一步的應(yīng)用和發(fā)展至關(guān)重要。唐傳祥說(shuō):“基于SSMB的EUV光源有望實(shí)現(xiàn)大的平均功率,并具備向更短波長(zhǎng)擴(kuò)展的潛力,為大功率EUV光源的突破提供全新的解決思路。”

EUV光刻機(jī)的自主研發(fā)還有很長(zhǎng)的路要走,基于SSMB的EUV光源有望解決自主研發(fā)光刻機(jī)中最核心的“卡脖子”難題。這需要SSMB EUV光源的持續(xù)科技攻關(guān),也需要上下游產(chǎn)業(yè)鏈的配合,才能獲得真正成功。

攻關(guān)正當(dāng)其時(shí)彰顯國(guó)際合作格局

清華SSMB團(tuán)隊(duì)從2017年4月開(kāi)始SSMB原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)的理論分析和數(shù)值模擬。當(dāng)年7月21日,唐傳祥與趙午在清華組織召開(kāi)首屆SSMB合作會(huì)議,牽頭成立了國(guó)際SSMB研究組,聯(lián)合中、德、美等國(guó)家的科研人員,開(kāi)始推動(dòng)包括SSMB原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)在內(nèi)的各項(xiàng)研究。經(jīng)過(guò)四年攻關(guān),SSMB研究組取得了多項(xiàng)重要進(jìn)展,成果領(lǐng)先世界。

“SSMB采用激光來(lái)對(duì)電子進(jìn)行聚束,相比同步輻射光源常用的微波,聚束系統(tǒng)的波長(zhǎng)縮短了5到6個(gè)數(shù)量級(jí)。因此,要驗(yàn)證SSMB的原理,需要加速器對(duì)電子縱向位置(相位)逐圈變化有非常高的控制精度,而德國(guó)PTB的MLS儲(chǔ)存環(huán)在這一方面最接近SSMB的實(shí)驗(yàn)需求。經(jīng)過(guò)老師們的前期聯(lián)系與溝通,德國(guó)的HZB及PTB兩家機(jī)構(gòu)積極加入研究團(tuán)隊(duì),與我們開(kāi)展合作研究?!比虆⑴c赴德實(shí)驗(yàn)的清華大學(xué)工物系2015級(jí)博士生鄧秀杰介紹說(shuō)。

從2017年始,清華團(tuán)隊(duì)成員先后8次前往柏林,參與從實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備到操作的各個(gè)環(huán)節(jié),經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的努力,實(shí)驗(yàn)于2019年8月31日取得成功。鄧秀杰說(shuō):“SSMB涉及的物理效應(yīng)多,實(shí)驗(yàn)難度大,團(tuán)隊(duì)經(jīng)歷了多次失敗的嘗試,在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中不斷加深對(duì)物理問(wèn)題和實(shí)際加速器運(yùn)行的認(rèn)識(shí),直到最后將問(wèn)題一一解決。無(wú)法進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)的時(shí)候,我們也沒(méi)有停止工作,會(huì)就之前采集的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行理論分析,定期召開(kāi)工作會(huì)議,以及進(jìn)行郵件或在線討論等。”“此外,SSMB實(shí)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)是一個(gè)國(guó)際合作團(tuán)隊(duì),從開(kāi)始的磨合到逐漸熟悉理解再到漸入佳境,整個(gè)團(tuán)隊(duì)一致認(rèn)為我們真正實(shí)現(xiàn)了‘1+1>>2’,大家對(duì)未來(lái)進(jìn)一步的合作都充滿了信心?!编囆憬苎a(bǔ)充道。

破解“卡脖子”難題清華勇?lián)負(fù)?dān)

“我國(guó)高校要勇挑重?fù)?dān),釋放高?;A(chǔ)研究、科技創(chuàng)新潛力”,2020年9月22日,習(xí)近平總書(shū)記在教育文化衛(wèi)生體育領(lǐng)域?qū)<掖碜剷?huì)上,對(duì)高校加強(qiáng)創(chuàng)新、突破關(guān)鍵核心技術(shù)寄予厚望。

清華大學(xué)傳承弘揚(yáng)“頂天、立地、樹(shù)人”的清華科研傳統(tǒng),增強(qiáng)服務(wù)國(guó)家科技自立自強(qiáng)的責(zé)任感、使命感和緊迫感。深化科研體制機(jī)制改革,創(chuàng)新科研組織模式。加強(qiáng)“從0到1”的基礎(chǔ)研究,加快關(guān)鍵核心技術(shù)特別是“卡脖子”問(wèn)題攻關(guān)。

瞄準(zhǔn)世界科技前沿,對(duì)癥下藥。此次清華大學(xué)工程物理系唐傳祥研究組與國(guó)際合作團(tuán)隊(duì)在“穩(wěn)態(tài)微聚束”(SSMB)這樣一個(gè)有望解決關(guān)鍵領(lǐng)域、需要破解“卡脖子”課題的地方下大力氣,在前瞻性、戰(zhàn)略性領(lǐng)域持續(xù)加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)創(chuàng)新力度,著力增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力,服務(wù)國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略。

目前,清華大學(xué)正積極支持和推動(dòng)SSMB EUV光源在國(guó)家層面的立項(xiàng)工作。清華SSMB研究組已向國(guó)家發(fā)改委提交“穩(wěn)態(tài)微聚束極紫外光源研究裝置”的項(xiàng)目建議書(shū),申報(bào)“十四五”國(guó)家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施。

清華大學(xué)工物系唐傳祥教授和HZB的J?rg Feikes博士為本文通訊作者,清華大學(xué)工物系2015級(jí)博士生鄧秀杰為第一作者。該研究得到了清華大學(xué)自主科研專(zhuān)項(xiàng)的支持。

原文標(biāo)題:清華工物系新研究成果有望為EUV光刻機(jī)提供新技術(shù)路線

文章出處:【微信公眾號(hào):傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 加速器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    837

    瀏覽量

    39717
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1197

    瀏覽量

    48738

原文標(biāo)題:清華工物系新研究成果有望為EUV光刻機(jī)提供新技術(shù)路線

文章出處:【微信號(hào):WW_CGQJS,微信公眾號(hào):傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中國(guó)打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代,不僅需要EUV光刻機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?5905次閱讀

    俄羅斯亮劍:公布EUV光刻機(jī)路線圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)?在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中,光刻機(jī)被譽(yù)為 “半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠”,而極紫外(EUV光刻技術(shù)更是先進(jìn)制程芯片制造的核心。長(zhǎng)期以來(lái),荷蘭 ASML 公
    的頭像 發(fā)表于 10-04 03:18 ?9424次閱讀
    俄羅斯亮劍:公布<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)<b class='flag-5'>路線</b>圖,挑戰(zhàn)ASML霸主地位?

    為了方便廣大電子硬件工程師用好薩科微slkor的產(chǎn)品,客戶提供配套的技術(shù)服務(wù),讓產(chǎn)品更好客戶創(chuàng)造價(jià)值

    為了方便廣大電子硬件工程師用好薩科微slkor的產(chǎn)品,客戶提供配套的技術(shù)服務(wù),讓產(chǎn)品更好客戶創(chuàng)造價(jià)值,薩科微推出晶體管光耦PC817應(yīng)用電路等系列方案,可以廣泛 應(yīng)用于PLC、工業(yè)
    發(fā)表于 12-04 11:36

    白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測(cè)量

    EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng),成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的三維圖形(如鰭片、柵極、接觸孔等)尺寸通常在 5-50nm 范圍,高
    的頭像 發(fā)表于 09-20 09:16 ?546次閱讀

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

    精準(zhǔn)控制光源、掩膜版、光致抗?jié)釀┑雀鱾€(gè)環(huán)節(jié)。 最早使用的光刻技術(shù):深紫外(DUV)光刻技術(shù)。 DUV光刻
    發(fā)表于 09-15 14:50

    EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著集成電路工藝的不斷突破, 當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)向7nm及以下邁進(jìn),傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已難以滿足高精度、高密度的制造需求,此時(shí),波長(zhǎng)13.5nm的極紫外(EUV光刻
    的頭像 發(fā)表于 08-17 00:03 ?4047次閱讀

    中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

    極紫外光刻(EUVL)技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前,LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采
    的頭像 發(fā)表于 07-22 17:20 ?832次閱讀
    中科院微電子所突破 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>瓶頸

    詳談X射線光刻技術(shù)

    隨著極紫外光刻EUV技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:08 ?1259次閱讀
    詳談X射線<b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    DSA技術(shù):突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案

    劑量的需求也加劇,從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù):一種革命性的方法DSA技術(shù)通過(guò)利用嵌段共聚物的分子行為來(lái)解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 03-19 11:10 ?1162次閱讀
    DSA<b class='flag-5'>技術(shù)</b>:突破<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>瓶頸的革命性解決方案

    EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

    光源技術(shù)方面 EUV光源的波長(zhǎng)僅為13.5納米,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于可見(jiàn)光,因此產(chǎn)生和維持如此短波長(zhǎng)光源的難度極大。 目前,最成熟的
    的頭像 發(fā)表于 02-18 09:31 ?1922次閱讀
    <b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>面臨新挑戰(zhàn)者

    新型激光技術(shù)有望大幅提升芯片制造效率

    據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)勞倫斯利弗莫爾國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LLNL)正在研發(fā)一種基于銩元素的拍瓦(petawatt)級(jí)激光技術(shù),該技術(shù)有望取代當(dāng)前極紫外光刻(E
    的頭像 發(fā)表于 02-10 06:22 ?683次閱讀
    新型激光<b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>有望</b>大幅提升芯片制造效率

    納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻EUV)競(jìng)爭(zhēng)

    來(lái)源:John Boyd IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) 9月,佳能交付了一種技術(shù)的首個(gè)商業(yè)版本,該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進(jìn)硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱(chēng)為納米壓印光刻
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:31 ?1144次閱讀

    組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

    納米級(jí)別的分辨率。本文將詳細(xì)介紹光刻機(jī)的主要組成部分及其功能。 光源系統(tǒng) ? 光源系統(tǒng)是光刻機(jī)的心臟,負(fù)責(zé)提供曝光所需的能量。早期的
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:02 ?4229次閱讀
    組成<b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

    ALE光刻曝光光源與常見(jiàn)矩陣式LED光源性能對(duì)比

    匯集多種優(yōu)勢(shì)特征于一體的平行紫外光源是半導(dǎo)體芯片制造中實(shí)現(xiàn)高精度、超準(zhǔn)確曝光效果的關(guān)鍵。對(duì)比矩陣式LED光源,友思特ALE光源光刻曝光效果展示出了優(yōu)異的性能。
    的頭像 發(fā)表于 12-23 14:26 ?894次閱讀
    ALE<b class='flag-5'>光刻</b>曝光<b class='flag-5'>光源</b>與常見(jiàn)矩陣式LED<b class='flag-5'>光源</b>性能對(duì)比

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    本月底完成。 Rapidus 計(jì)劃 2025 年春季使用最先進(jìn)的 2 納米工藝開(kāi)發(fā)原型芯片,于 2027 年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。 EUV 機(jī)器結(jié)合了特殊光源、鏡頭和其他技術(shù),可形成超精細(xì)電路圖案。該系統(tǒng)體積小,不易受到振動(dòng)和其他
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?1425次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)就位