據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道, 3月25日，三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計(jì)劃，訪問(wèn)速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上提高一倍，并提供迄今為止最大的容量，從而加速數(shù)據(jù)中心和超級(jí)計(jì)算機(jī)的轉(zhuǎn)型。

作為全球最大內(nèi)存芯片制造商，三星表示，512GB DDR5 內(nèi)存模塊將擴(kuò)展其現(xiàn)有產(chǎn)品組合，采用 HKMG(High-K Metal Gate) 制程，DDR5 的內(nèi)存速度將是目前 DDR4 的兩倍，同時(shí)減少功率泄漏，并減少13%的功耗。

行業(yè)資料顯示，與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的BankGroup數(shù)量以改善性能等。三星稱，DDR5 速度高達(dá)7200Mb/s，共有40個(gè)DRAM 芯片，每個(gè)DRAM芯片擁有8層 16Gb DRAM，這些模塊堆棧在一起，采用 TSV(Through-Silicon-Via, 硅穿孔) 技術(shù)。

TSV 于 2015 年首次在 DRAM 中使用，當(dāng)時(shí)三星推出了容量高達(dá) 256GB 的服務(wù)器模塊。三星預(yù)計(jì)，將在今年下半年開(kāi)始向 DDR5 的過(guò)渡。

三星表示，除了與兩家主要的 CPU 供貨商英特爾及和 AMD(AMD-US) 合作，也向數(shù)據(jù)中心平臺(tái)的開(kāi)發(fā)者，發(fā)送了新內(nèi)存的樣品。

分析師估計(jì)，DDR5 芯片將比 DDR4 芯片大 20% 左右，這將加大半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的壓力。三星打算今年開(kāi)始出貨，并逐步改進(jìn)其制造工藝及定價(jià)。三星認(rèn)為，預(yù)計(jì) 2023 年下半年，DDR5 將開(kāi)始取代 DDR4。

TrendForce Research 副總裁 Avril Wu 表示，隨著 DDR5 的滲透率逐漸提高，預(yù)計(jì) DRAM 的短缺，將在 2022 年持續(xù)存在，價(jià)格可能較最初上漲 30-40%。


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