高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應晶體管(FET)出貨量突破100萬大關。這一里程碑進一步證實了該公司之前宣稱的大規(guī)模量產(chǎn)合格封裝器件的實力，同時其市場份額正在不斷增長。這也意味著該公司2021日歷年度下半年出貨量是2021日歷年度上半年的3倍以上。值得一提的是，這也突顯了Transphorm持續(xù)的生態(tài)系統(tǒng)擴張，出貨的FET將用于亞太區(qū)新老客戶生產(chǎn)的45W至300W電源適配器和快速充電器應用。

Transphorm用于緊湊型功率轉(zhuǎn)換應用的SuperGaN產(chǎn)品系列目前包括三款650V器件：480 m? FET、300 m? FET以及150 m? FET。這些器件采用標準的PQFN 5x6和8x8封裝，并可在150°C下滿足JEDEC認證標準。

與競品GaN半導體（即e-mode和IC GaN）相比，SuperGaN器件的主要優(yōu)勢包括：

更小的裸片尺寸，更優(yōu)越的性能：數(shù)據(jù)顯示，與低通阻器件相比，SuperGaN平臺可提供更高的效率。

易于設計和驅(qū)動：SuperGaN平臺的專利架構包括一個具有通用接口的集成硅FET，不需要過多的外圍電路。這個接口允許使用流行的、現(xiàn)成的帶有集成驅(qū)動的控制器；能滿足高效電源適配器拓撲的要求，如QRF（準諧振反激模式）和ACF（有源鉗位反激模式）。

一流的質(zhì)量+可靠性：基于超過300億小時的運行，實用中的Transphorm器件FIT（失效率）小于0.3；這意味著從統(tǒng)計上來看，在超過10億小時的運行時間內(nèi)，失效次數(shù)少于0.3次。

Transphorm總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人Primit Parikh表示：“我們很高興能與我們的供應商和客戶合作，實現(xiàn)每月100萬的量產(chǎn)目標。這表明我們在快速增長的快速充電器和電源適配器領域正在贏得不斷增長的市場份額，也證明了我們大規(guī)模生產(chǎn)高性能、高可靠性GaN器件的實力。Transphorm在低功率和多千瓦高功率應用方面都極具吸引力，突顯了我們技術的領先地位。我們的實力，再加上前一季度獲得的超過4500萬美元的融資，為我們在2022年繼續(xù)擴張和增長提供了一個強勁的積極勢頭?！?/p>

Transphorm完整的產(chǎn)品組合目前包括各種封裝的650V和900V器件。此產(chǎn)品組合的技術優(yōu)勢在很大程度上得益于該公司的垂直整合能力。這種運營模式在GaN半導體行業(yè)并不常見，但能助力Transphorm掌控其器件的設計、外延晶片（原始材料）和制造流程。因此，Transphorm目前能夠在廣泛的電源應用領域（電源適配器、數(shù)據(jù)中心和游戲PSU、加密貨幣礦機、汽車變流器、可再生能源逆變器等）滿足廣泛的功率轉(zhuǎn)換需求（45W至10+ kW）。