電子發(fā)燒友網報道（文/李彎彎）2月17日，據供應鏈消息，美光將NANDFlash合約價格上調25%，而幾日前，西部數據也發(fā)布了NANDFlash的漲價通知。

同時三星正在面臨罷工威脅，芯片產線存在停產風險，種種因素可能造成全球存儲芯片產能下降，這樣看來，新年里存儲芯片第一波漲價潮已經是箭在弦上。

三星罷工威脅，美光、西數漲價

2月9日，因為用于生產NAND芯片的材料受到污染，西數和鎧俠位于日本四日市和北上的兩座合資工廠停產，大量晶圓報廢，預計最快需要到3月中才能恢復生產。

隨后2月14日，西部數據便發(fā)布漲價通知，該公司稱，受此影響，公司的成本在短期內顯著增加，因此將立即提高所有NANDFlash的產品價格。不過西部數據并未透露漲價幅度。

這次事件使得西部數據3D NAND閃存的產量至少減少6.5EB，市場調查機構TrendForce指出，考慮到鎧俠可能也有6.5EB的損失，預計此次事件導致NAND總損失達到13EB，相當于全球一季市場消費量約10%，影響相當大。

或許受到該事件的推動，2月17日，據供應鏈透露，美光也發(fā)布漲價通知，該公司NAND芯片合約、現貨價格雙雙上漲，合約價格上漲17%至18%，現貨價格上漲25%。

業(yè)界人士認為，該事件將會帶動NAND Flash價格大漲。

與此同時，全球最大的NAND供應商三星，也面臨產線停產風險。2022年2月4日，據外媒報道，三星電子工會與公司管理層未能就2021年工資達成協(xié)議，工會將向韓國國家勞動關系委員會申請調解。

然而2月14日晚，有消息稱，韓國國家勞動關系委員會決定停止調解三星電子管理層和工會之間的工資談判。雙方未達成調解，這意味著三星可能面臨53年來首次大罷工的威脅。

在本周三，工會代表在三星總部附近舉行集會，工會抗議者表示，他們將努力挽救與管理層的工資談判，罷工將是他們的最后手段。

雖然一位工會官員稱“我們不希望在芯片生產線上發(fā)生罷工”，不過一旦真的難以達成協(xié)議，發(fā)生罷工的話，芯片生產線停產的可能性很大。

多起事件疊加，NAND芯片市場或許即將迎來漲價潮，而且或許還包括DRAM，三星也是DRAM的龍頭企業(yè)，數據顯示，三星和SK海力士、美光三大廠商一起占據全球DRAM 94%的市場。

中國市場或受影響最大

從市場需求來看，中國是對NAND Flash需求最大的市場，根據Yole的數據，2019年中國NAND閃存市場銷售額占全球37%，其次是美國的31%。

然而從目前的情況來看，國內存儲芯片廠商的自主供應能力還比較弱，巨大的市場，絕大部分由美國、日本、韓國的廠商供應。

從全球供應來看，NAND市場方面，三星、鎧俠、SK海力士、西部數據、美光、英特爾六家公司占據市場的96%，鎧俠、西數兩家產能占比達32%。

另外，SK海力士正在對英特爾NAND閃存業(yè)務進行收購，第一階段已經完成，收購完成后，整個市場供貨格局將會發(fā)生改變，SK海力士的市場占比將會躍居第二，不過整體來看，三星、鎧俠、SK海力士、西部數據、美光依然是NAND市場的主導。

這就導致一個問題，中國市場對于這些國際大廠商的依賴嚴重，一旦這些廠商集體漲價，中國企業(yè)也毫無辦法，因為在很多產品上，還沒有形成替代，只能接受高價，而這就使得企業(yè)成本增加，下游產品的售價也將隨之增加。

如果這些大廠因為產能不足，不能供貨，或者交期拉長，而國內企業(yè)在國產存儲芯片廠商處又不能采購到合適的產品，將會影響后續(xù)的產品交付，乃至公司的整體運營。

國產廠商能否挑大梁

近幾年，在國家大力發(fā)展芯片的背景下，國產存儲芯片廠商發(fā)展迅速，比如NAND市場的長江存儲、兆易創(chuàng)新、東芯半導體、北京君正等。

其中最有代表性的就是長江存儲，在3D NAND上幾乎追上國際大廠的技術水平。該公司短短幾年時間就實現了從32層到64層再到128層的跨越。

長江存儲2019年相繼量產了32層、64層3DNAND，隨后在2020年初推出128層TLC/QLC兩款產品，技術達到世界先進水平，128層3D TLC NAND也在2020年底實現量產。

長江存儲在產能提升上也在不斷推進，根據規(guī)劃2025年達到月產能30萬片，2019年實現月產能2萬片，2021年底達到月產能10萬片，目前長江存儲的市場份額已經提升到了2%。

兆易創(chuàng)新也在不斷推動NAND產品進程，據介紹該公司目前SLCNAND成熟工藝節(jié)點為38nm，24nm工藝節(jié)點已經實現量產，目前正在向19nm工藝節(jié)點推進，產品覆蓋從1Gb至8Gb主流容量，電壓涵蓋1.8V和3.3V，提供傳統(tǒng)并行接口和新型SPI接口兩個產品系列。

東芯半導體近幾年的發(fā)展也是相當迅速，該公司聚焦中小容量NAND、NOR閃存芯片、DRAM內存以及MCP產品，在中小容量閃存芯片市場，與全球同行業(yè)知名公司直接競爭，成為突破海外技術壟斷的公司之一。

然而國產存儲芯片廠商能否挑起大梁呢？可以說，經過過去幾年的技術攻關，目前國產存儲芯片廠商可以完成一些替代，在這些產品上，即使美日韓廠商不供應，國內企業(yè)也可以采用國產存儲芯片廠商的產品。

然而還是有很多產品類型，目前國內廠商還無法供應，以致于即使國際大廠漲價，也只能高價采購，另外國產存儲芯片在產能上還在爬坡，也就是說在產量供應上也存在問題。

整體來看，雖然近幾年國產存儲芯片成長迅速，但在面對美日韓等大廠產能不足、集體漲價的情況下，還是只能束手無策。

存儲芯片的市場很大，尤其隨著汽車電子、5G通訊、物聯(lián)網、可穿戴等新興領域的不斷發(fā)展，存儲芯片在整個產業(yè)鏈中的重要性越來越明顯。

根據ICInsights預測，2021-2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅為22.5%、16.2%和21.7%。而據世界半導體貿易統(tǒng)計協(xié)會預計，2023年國內存儲芯片市場規(guī)模將達6492億元。

面對大規(guī)模的未來市場，國產存儲芯片還需要不斷攻克技術，在產品和產能上一步步實現突破。而國際大廠頻繁漲價，也讓國內企業(yè)認識到更多采用國產存儲產品的安全性，這也有利于國產存儲芯片獲得更多市場實踐的機會。

總結

市場需求大，而自我供應能力不足，讓中國在存儲市場方面較為被動，而近些年國產存儲芯片廠商迅速發(fā)展，讓美光等企業(yè)也有所擔心，未來在各方的努力下，相信國產存儲芯片自主供應能力將會越來越強，這或許會削弱美日韓等企業(yè)頻繁漲價的念頭，不過路還長。