電子發(fā)燒友網報道(文/梁浩斌)近日，有韓媒報道稱，美國政府正在尋求組建新的半導體產業(yè)聯(lián)盟，希望拉攏韓國、日本、以及中國臺灣地區(qū)加入，稱之為“Chip 4聯(lián)盟”。而這樣做的目的，是為了建立全新的半導體供應鏈，并遏制正在迅速崛起的中國大陸半導體產業(yè)。

盡管目前沒有該聯(lián)盟的具體細節(jié)被曝光，但根據韓國半導體行業(yè)和政府人士消息，近日美國政府已經向韓國提出了組建聯(lián)盟的相關提議。美國方面認為，如果能夠將芯片制造水平一流的韓國、全球最大晶圓代工企業(yè)臺積電、以及在半導體設備、材料上有重要地位的日本聯(lián)合起來，可以構建對中國大陸的半導體技術壁壘。

根據韓媒的報道，韓國政府目前的立場是不能完全接受組建聯(lián)盟的提議。韓媒稱這是因為韓國公司在中國大陸運營著關鍵設施，同時中國大陸也是全球最大的半導體市場。對于韓國而言，一邊是擁有全球最大的半導體企業(yè)以及最強的技術，另一方邊則是韓國企業(yè)乃至全球最主要的市場，最終可能要被迫面臨二選一?

三星、SK海力士近年持續(xù)加碼中國大陸

全球半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)2月發(fā)布的2022國際半導體行業(yè)報告中，2021年全球半導體銷售總額為5559億美元，同比增長26.2%，其中中國市場半導體銷售額為1925億美元，同比增長27.1%，繼續(xù)穩(wěn)居全球最大半導體市場。

在全球最大半導體市場之中，韓國存儲大廠三星電子和SK海力士，都在中國大陸建有工廠，且規(guī)模還不小。三星電子唯一的海外存儲芯片廠就位于西安，目前三星電子在西安擁有2座大型晶圓廠，主要制造高層數3D NAND產品。三星電子在2012年首次投資70億美元在西安建設存儲芯片工廠，一期項目在2014年5月竣工之后，三星又投資約40億美元，增加芯片封裝測試產線。

2017年，三星電子再次投資70億美元建設西安工廠NAND 閃存芯片二期項目，2019年又追加投資80億美元，三星累計投資額達到260億美元。而西安二期項目在今年2月正式投產，月產能達到13萬張12英寸晶圓 ，加上一期產能，西安工廠月產能將達到26.5萬張12英寸晶圓，成為全球規(guī)模最大的晶圓工廠。三星電子西安工廠產能占三星NAND閃存總產量的42%，占全球產能約15%。

去年三月，三星電子副社長王彤在2021年博鰲亞洲論壇發(fā)布會上表示，三星電子在華投資累計已經達到460億美元，20年間增長20余倍。

而SK海力士在中國大陸的布局除了主要的DRAM芯片工廠外，還準備將CIS、DDS、PMIC等代工制造和銷售業(yè)務引進無錫。早在2005年，SK海力士就正式落戶無錫，在無錫高新區(qū)投資20億美元設立半導體制造工廠。而在2005年到2017年的十二年時間里，SK海力士在無錫的投資金額從20億美元漲至105億美元，制造工藝也從80nm提升至20nm。與此同時，SK海力士還與無錫太極實業(yè)合資成立海太半導體，從事封測等業(yè)務，而依靠SK海力士的DRAM需求，目前海太半導體已經穩(wěn)居全國前十半導體封測企業(yè)。

自2017年以來，SK海力士加大了對華的投資力度。2017年10月，SK海力士總投資86億美元的無錫二廠開始建設，2019年4月竣工后，制造工藝從20nm升級至17nm。如今無錫工廠DRAM產能已經占到SK海力士的一半，即占全球產能的10-15%左右。而擴建計劃并沒有止步，今年1月，SK海力士公告稱，公司將向無錫DRAM工廠投資127億元人民幣，預計在2022年底至2025年用于對DRAM工廠的補充投資。

有意思的是，SK海力士還在去年傳出計劃引進ASML的EUV***，用于改造其位于無錫的晶圓廠，升級產線能力并提高DRAM芯片生產效率，但后來受到美國的反對而擱淺。

另一方面，除了DRAM之外 ，SK海力士目前還在計劃將其位于韓國青州的8英寸晶圓代工廠遷至無錫，這座晶圓廠棣屬SK海力士的子公司SK海力士System IC，也被稱為M8晶圓廠。目前的計劃是今年2月關閉韓國青州M8廠，在5月將該廠所有設備遷至無錫。M8晶圓廠的主要業(yè)務是面向顯示驅動IC、電源管理IC、CIS等產品的代工，月產能為10萬片8英寸晶圓。

實際上M8廠搬遷的計劃，早在2018年就開始布局，2018年SK海力士System IC與無錫政府成立了無錫產業(yè)集團，決定合資建設8英寸晶圓代工廠，由SK海力士提供生產設備以及技術等。而根據最新消息，SK海力士System IC已經將其在M8工廠的所有生產設備出售給無錫產業(yè)集團，搬遷已在進行中，預計在今年上半年內完成。

顯然，目前單從韓國兩大半導體巨頭的在華布局來看，都在最近幾年間不斷加大投入，并且還有持續(xù)增加的趨勢。所以如果韓國政府同意組建該“Chip 4聯(lián)盟”，很可能會對韓企在華的業(yè)務造成不小影響。

去年64家企業(yè)組建半導體聯(lián)盟，卻引發(fā)分歧

其實去年5月份包括臺積電、英偉達、英特爾、蘋果、AMD、高通、三星、SK海力士等全球64家半導體上下游巨頭也曾組建了美國半導體聯(lián)盟SIAC，不過當時組建聯(lián)盟的目的，與“Chip4”有所差異，并不是打擊中國大陸的半導體產業(yè)，而是為了敦促美國國會通過政府提出的520億美元的“芯片法案”，為半導體企業(yè)提供資金激勵。

而“芯片法案”的推出，目的明確，就是為了推動美國半導體制造業(yè)與中國的競爭，希望將芯片制造業(yè)留在美國本土。在此之前，美國政府已經拉攏三星、臺積電等晶圓代工廠在美國本土建造先進制程工廠。

3月29日，美國參議院批準了520億美元的芯片法案，但這只是將這個法案送回眾議院，未來參眾兩院的立法者還要尋求妥協(xié)版本達成協(xié)議。

不過，因為同在SIAC的企業(yè)中，有來自美國的，也有來自歐洲、日韓等地的，因此，對于芯片法案的具體細則，一直存在著很多爭議。SIAC成員臺積電以及三星電子，就在近日敦促美國允許外國公司參與這項520億美元的計劃，而這兩家公司都已經分別投入120億美元和170億美元，來建設先進制程晶圓廠。

臺積電在一份報告中提到，基于公司總部所在地，存在偏袒和優(yōu)惠待遇不同的情況。與此同時三星也表示，無論來自哪個國家，美國政府應該確保所有符合條件的公司都可以在公平的環(huán)境下競爭美國提供的資金。

但英特爾作為美國本土企業(yè)，一度暗示美國納稅人的錢應該只給美國公司。英特爾在美國本土的投資確實也大幅高于上述海外企業(yè)，此前英特爾計劃將在美國本土投資200億美元建設新工廠，并且總投資額在未來可能增加至1000億美元，工建設8家工廠，成為未來全球最大的芯片制造基地。

于是，為半導體行業(yè)提供的這520億美元資金，具體要如何提供給相應企業(yè)，以及應該怎么分配，一直存在著爭議。而截至目前的信息，最終的一攬子方案至少要到今年5月后才會完成。所以“Chip4聯(lián)盟”從已知的信息來看，對于韓企并不友好，而分歧可能也會成為該聯(lián)盟組建的一個不確定因素。

寫在最后

實際上，目前還未知“Chip4聯(lián)盟”具體的細節(jié)，所以無法判斷日韓等加入的可能性。但對于商業(yè)公司而言，如果會對自己的重要業(yè)務產生巨大損失，那么加入聯(lián)盟無疑是殺敵一千自損八百，不符合商業(yè)邏輯。所以“Chip4聯(lián)盟”能否最終順利組建，還存在一個很大的疑問。

原文標題：美國組建“Chip4聯(lián)盟”圍堵大陸半導體，韓國：不能完全接受!

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審核編輯：湯梓紅