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NP1216DR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問(wèn)海棠 ? 來(lái)源:微雨問(wèn)海棠 ? 作者:微雨問(wèn)海棠 ? 2022-07-05 11:36 ? 次閱讀
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描述

NP1216DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這

該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -12v, id = -16a

RDS(上)(Typ) = 11.7Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 16.2Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開(kāi)關(guān)

?DFN2 * 2-6L-B

poYBAGLDsSmAOxGPAACz6EPz7P8460.png

訂購(gòu)信息

poYBAGLDsUeAZzFdAAA0DzjA6n0081.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

pYYBAGLDsWSADpj1AACtsUAnJR8679.pngpYYBAGLDsXGAVzNYAAA0CE-IJCE598.png

熱阻評(píng)級(jí)

pYYBAGLDsZWAdXkYAABLWba7xsI653.png

注:

a.封裝有限;b.表面安裝在1“x 1”FR4板上

C . t = 5 s; d.穩(wěn)態(tài)條件下最大為80°C/W

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

poYBAGLDsbeACuSDAAIDvFleO9o825.png
如有需要,請(qǐng)聯(lián)系我們。


審核編輯 黃昊宇

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    的頭像 發(fā)表于 03-27 10:58 ?8172次閱讀
    <b class='flag-5'>12V</b>電源設(shè)計(jì)防護(hù)電路詳解

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    發(fā)表于 03-25 17:40 ?0次下載