威兆半導體推出的VS3510AS是一款面向 30V 低壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 SOP8 封裝，適配低壓電源的負載開關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P 溝道耐壓為負值，實際適配 30V 低壓場景）；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時典型值11mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值18mΩ，低壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時14A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為9A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：56A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動（P 溝道通過拉低柵極電壓導通），無需額外電平轉(zhuǎn)換，簡化電路設(shè)計；
• P 溝道特性：適用于低壓電源的 “高側(cè)開關(guān)” 場景（如電池供電設(shè)備的電源通路控制）；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設(shè)計；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓電源的高側(cè)負載開關(guān)；
  • 電池供電設(shè)備的電源通路控制；
  • 消費電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）