chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      NP3415EVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-06 16:10 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      描述

      NP3415EVR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

      提供卓越的RDS(ON)

      ?V

      ，低柵極電荷和

      工作電壓低至1.8V。這個設(shè)備

      適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

      應(yīng)用程序。

      一般特征

      DS = -20 v, ID

      R

      = 4

      DS(上)(Typ) = 38 mΩ@VGS = -2.5 v

      R DS(上)(Typ) = 46米Ω@VGS

      ?高功率和電流處理能力

      = -4.5 v

      ?獲得無鉛產(chǎn)品

      ?表面安裝包

      ?ESD額定電壓:2500V HBM

      應(yīng)用程序

      ?PWM程序

      ?負(fù)荷開關(guān)

      包

      ?SOT-23

      poYBAGLFQtmAIbKsAACEX8lYGsc132.png

      訂購信息

      poYBAGLFQvOAC3T5AAA3D-DiZVY245.png

      絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      poYBAGLFQxGABLd8AACiIANPgZE474.png

      pYYBAGLFQyOARAhPAABV5NMG3pw752.png

      熱特性

      pYYBAGLFQzuAMyyrAABRbeuCUvw633.png

      注:

      a. TC = 25℃。

      b.表面安裝在1“x 1”FR4單板上。

      c.t = 5秒。

      d.穩(wěn)態(tài)條件下的最大值為175°C/W。

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      poYBAGLFQ1-AfyM2AAHgCoG37gc237.png


      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 單片機(jī)
        +關(guān)注

        關(guān)注

        6076

        文章

        45494

        瀏覽量

        670272
      • MOSFET
        +關(guān)注

        關(guān)注

        151

        文章

        9661

        瀏覽量

        233488
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        CSD25402Q3A：20V P溝道NexFET?功率MOSFET的全面解析

        CSD25402Q3A：20V P溝道NexFET?功率MOSFET的全面解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理應(yīng)用中。今天，我們
        的頭像 發(fā)表于 03-05 16:55 ?93次閱讀

        CSD25310Q2 20V P - Channel NexFET? Power MOSFETs：小身材大能量

        CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET? Power MOSFETs：小身材大能量 在電子工程師的設(shè)計世界里，選擇合適的功率 MOSFET 至關(guān)重要。今天，我們就來深入
        的頭像 發(fā)表于 03-05 16:20 ?32次閱讀

        CSD85301Q2：20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越之選

        CSD85301Q2：20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討一下TI推出
        的頭像 發(fā)表于 03-05 15:10 ?56次閱讀

        探索CSD85302L 20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能

        探索CSD85302L 20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能 在電子工程師的日常設(shè)計中，選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下TI的CSD85302L
        的頭像 發(fā)表于 03-05 11:40 ?206次閱讀

        CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET：小身材大能量

        CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET：小身材大能量 在電子設(shè)計領(lǐng)域，我們常常面臨著在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能的挑戰(zhàn)。今天要給大家介紹
        的頭像 發(fā)表于 03-05 11:05 ?80次閱讀

        選型手冊：VS2622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。
        的頭像 發(fā)表于 12-18 17:42 ?354次閱讀
        選型手冊：VS2622AE N 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS6808DH 共漏極雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場景的共漏極雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.0V邏輯電平控制，采用SOT23
        的頭像 發(fā)表于 12-18 17:40 ?289次閱讀
        選型手冊：VS6808DH 共漏極雙<b class='flag-5'>通道</b> N 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS2301BC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負(fù)載開關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類
        的頭像 發(fā)表于 12-18 17:37 ?339次閱讀
        選型手冊：VS2301BC <b class='flag-5'>P</b> 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：VS2646ACL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

        威兆半導(dǎo)體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓小型化電路的電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
        的頭像 發(fā)表于 12-04 09:43 ?317次閱讀
        選型手冊：VS2646ACL N 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

        仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信
        的頭像 發(fā)表于 11-14 16:04 ?464次閱讀
        選型手冊：MOT2718J <b class='flag-5'>P</b> - 溝道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

        選型手冊：MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

        仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
        的頭像 發(fā)表于 11-10 16:17 ?413次閱讀
        選型手冊：MOT2914J 雙 N 溝道<b class='flag-5'>增強(qiáng)</b>型 <b class='flag-5'>MOSFET</b>

        FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
        發(fā)表于 09-23 15:03 ?2次下載

        CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊

        這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET，同時大幅
        的頭像 發(fā)表于 04-15 16:17 ?720次閱讀
        CSD25501F3 -<b class='flag-5'>20V</b>、<b class='flag-5'>P</b> <b class='flag-5'>通道</b> NexFET? 功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b>、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊

        LT8649SY 20V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8649SY 20V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
        發(fā)表于 03-26 16:11 ?0次下載

        LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書

        電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
        發(fā)表于 03-26 15:54 ?0次下載