威兆半導(dǎo)體推出的VS6808DH是一款面向 20V 低壓場(chǎng)景的共漏極雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，支持 2.0V 邏輯電平控制，采用 SOT23-6L 封裝，適配小型化低壓雙路電源的負(fù)載開關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：共漏極雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配雙路低壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(V_{GS}=4.5V\)時(shí) 20mΩ、\(V_{GS}=2.5V\)時(shí) 26mΩ，適配低邏輯電平驅(qū)動(dòng)；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，單通道，\(V_{GS}=4.5V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) 4A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) 2A，滿足雙路小型負(fù)載的電流需求；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，單通道）：24A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)小電流沖擊。

二、核心特性

• 共漏極雙通道 + 2V 邏輯控制：?jiǎn)涡酒?2 路共漏極 N 溝道 MOSFET，支持 2.0V 低邏輯電平驅(qū)動(dòng)，簡(jiǎn)化雙路低壓電路設(shè)計(jì)；
• ESD 防護(hù)：具備 HBM 1.2kV 的 ESD 防護(hù)能力，提升電路抗干擾性；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，單通道，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：SOT23-6L 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配超小型雙路電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 20V 級(jí)低壓小型設(shè)備的雙路負(fù)載開關(guān)；
  • 消費(fèi)電子（如智能穿戴、小型家電）的雙路電源通路控制；
  • 物聯(lián)網(wǎng)小型終端的雙路低壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）