NP2301BVR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
一般特征
NP2301BVR采用先進的戰(zhàn)壕
技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵
在極低電壓的情況下進行充電和操作
1.8 v。本裝置適用于作為負載開關(guān)或
在PWM的應(yīng)用程序。
?VDS = -20 v, ID
R
= -2.4
R
DS(ON)(Typ.)= 86mΩ @VGS =-4.5V
DS(上)(Typ) = 110Ω@VGS
?高功率和電流處理能力
= -2.5 v
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負荷開關(guān)
包
?SOT-23
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:
a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒
B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%
C.設(shè)計保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗
熱特性
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
單片機
+關(guān)注
關(guān)注
6076文章
45494瀏覽量
670260 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9661瀏覽量
233475
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
CSD25402Q3A：20V P溝道NexFET?功率MOSFET的全面解析
CSD25402Q3A：20V P溝道NexFET?功率MOSFET的全面解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換和負載管理應(yīng)用中。今天，我們
CSD25310Q2 20V P - Channel NexFET? Power MOSFETs：小身材大能量
CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET? Power MOSFETs：小身材大能量 在電子工程師的設(shè)計世界里，選擇合適的功率 MOSFET 至關(guān)重要。今天，我們就來深入
CSD85301Q2：20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越之選
CSD85301Q2：20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入探討一下TI推出
探索CSD85302L 20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能
探索CSD85302L 20V雙N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能 在電子工程師的日常設(shè)計中，選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下TI的CSD85302L
CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET：小身材大能量
CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET：小身材大能量 在電子設(shè)計領(lǐng)域，我們常常面臨著在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高性能的挑戰(zhàn)。今天要給大家介紹
選型手冊：VS2622AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。
選型手冊：VS6808DH 共漏極雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場景的共漏極雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持2.0V邏輯電平控制，采用SOT23
選型手冊：VS2301BC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負載開關(guān)
選型手冊：VS2646ACL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓小型化電路的電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
選型手冊：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信
選型手冊：MOT2914J 雙 N 溝道增強型 MOSFET
仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-23 15:03
?2次下載
ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 05-13 16:42
?0次下載
LT8649SY 20V互補增強型功率MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8649SY 20V互補增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-26 16:11
?0次下載
LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-26 15:54
?0次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評論