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      NP2018DR(20v n溝道增強型MOSFET)

      啊啊啊得得得 ? 來源：啊啊啊得得得 ? 作者：啊啊啊得得得 ? 2022-07-12 16:47 ? 次閱讀
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      描述
      NP2018DR使用先進的海溝技術
      提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費
      操作門電壓2.5 v。這
      設備適用于作為負荷開關或脈寬調制
      應用程序。

      一般特征
      ? VDS =20V，ID =16A
      RDS(上)(Typ) = 8.6 m?@VGS = 4.5 v
      RDS(上)(Typ) = 10.7 m?@VGS = 2.5 v
      ? High 功率 和 電流 處理 能力
      ? Lead 免費 產品
      ? Surface 安裝 包
      應用程序
      ? PWM 應用 程序
      ?負荷開關

      封裝
      ? DFN2*2-6L-B

      原理圖

      pYYBAGLNLyyAXpGwAAAKZM38-g0962.png

      標記和引腳分配
      DFN2 * 2-6L-B
      (厚度0.55毫米)

      poYBAGLNL4mAC8R4AAAucJpgoKU464.png

      訂購信息

      poYBAGLNMhuAGEINAAA_be7hE00485.png


      審核編輯 黃昊宇

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