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NP2018DR(20v n溝道增強型MOSFET)

啊啊啊得得得 ? 來源:啊啊啊得得得 ? 作者:啊啊啊得得得 ? 2022-07-12 16:47 ? 次閱讀
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描述
NP2018DR使用先進的海溝技術(shù)
提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費
操作門電壓2.5 v。這
設(shè)備適用于作為負荷開關(guān)或脈寬調(diào)制
應(yīng)用程序。

一般特征
? VDS =20V,ID =16A
RDS(上)(Typ) = 8.6 m?@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 10.7 m?@VGS = 2.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費 產(chǎn)品
? Surface 安裝 包
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
?負荷開關(guān)

封裝
? DFN2*2-6L-B

原理圖

pYYBAGLNLyyAXpGwAAAKZM38-g0962.png

標(biāo)記和引腳分配
DFN2 * 2-6L-B
(厚度0.55毫米)

poYBAGLNL4mAC8R4AAAucJpgoKU464.png

訂購信息

poYBAGLNMhuAGEINAAA_be7hE00485.png


審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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