chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

RCA清洗中晶片表面的顆粒粘附和去除

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 來(lái)源:華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導(dǎo)體設(shè) ? 2022-07-13 17:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來(lái),與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機(jī)制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展,并為闡明顆粒粘附機(jī)制做了大量工作。

大多數(shù)物質(zhì)在與溶液接觸時(shí),會(huì)獲得表面電荷,膠體化學(xué)中就是這么說(shuō)的。據(jù)認(rèn)為,這種電荷是由固體表面電離、離子吸附到固體表面和離子溶解引起的。溶液中的帶電固體表面影響界面周圍區(qū)域的離子分布;與帶電固體表面符號(hào)相反的離子被拉向界面,而符號(hào)相同的離子被迫離開界面。這樣,在溶液中的帶

電界面形成雙電層,并隨后影響與晶片表面相關(guān)的顆粒吸附和去除。

接下來(lái),將簡(jiǎn)要說(shuō)明ζ電勢(shì)。如果一個(gè)固體浸入溶液中時(shí),在固-液界面上存在雙電層。圖10.1顯示了一個(gè)固體—液體界面的結(jié)構(gòu)模型,它是基于斯特恩的理論,適用于帶正電荷的表面。

在這個(gè)雙電層中,在幾乎是固體的部分,有一個(gè)吸收相反離子的斯特恩層。此外,擴(kuò)散層存在于其外部。船尾層外側(cè)存在一個(gè)滑移面。這個(gè)滑移面的電勢(shì)稱為ζ電勢(shì)?;泼嫖挥谝后w中的某處,而不是正好在固-液相邊界。ζ電勢(shì)用于解釋顆粒對(duì)晶片表面的粘附和去除。

圖10.2顯示了溶液中顆粒和晶片表面的示意圖。例如,由于吸收H”離子,推測(cè)兩個(gè)表面都帶正電。在帶電表面附近,負(fù)離子受靜電引力和不規(guī)則布朗運(yùn)動(dòng)的影響,形成雙電層。在這種情況下

pYYBAGLOjeqAYcyRAACm9f2kCKU368.png

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    409

    瀏覽量

    32548
  • 清洗
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    80

    瀏覽量

    14219
  • 顆粒
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    30

    瀏覽量

    8569
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    晶圓清洗設(shè)備有哪些技術(shù)特點(diǎn)

    )、高壓噴淋(360°表面沖洗)及化學(xué)試劑反應(yīng)(如RCA標(biāo)準(zhǔn)溶液、稀氫氟酸或硫酸雙氧水),實(shí)現(xiàn)對(duì)不同類型污染物的針對(duì)性去除。例如,兆聲波清洗可處理亞微米級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 10-14 11:50 ?32次閱讀

    晶圓去除污染物有哪些措施

    晶圓去除污染物的措施是一個(gè)多步驟、多技術(shù)的系統(tǒng)工程,旨在確保半導(dǎo)體制造過(guò)程晶圓表面的潔凈度達(dá)到原子級(jí)水平。以下是詳細(xì)的解決方案:物理清除技術(shù)超聲波輔助清洗利用高頻聲波(通常為兆赫茲范
    的頭像 發(fā)表于 10-09 13:46 ?114次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>去除</b>污染物有哪些措施

    半導(dǎo)體rca清洗都有什么藥液

    半導(dǎo)體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種,每種均針對(duì)特定類型的污染物設(shè)計(jì),并通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)高效清潔:SC-1(堿性清洗液)成分組成:由氫氧化銨(NH?OH)、過(guò)氧化氫(H?O?)和去離子水
    的頭像 發(fā)表于 09-11 11:19 ?573次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>rca</b><b class='flag-5'>清洗</b>都有什么藥液

    半導(dǎo)體行業(yè)清洗芯片晶圓陶瓷片硅片方法一覽

    在半導(dǎo)體行業(yè),清洗芯片晶圓、陶瓷片和硅片是確保器件性能與良率的關(guān)鍵步驟。以下是常用的清洗方法及其技術(shù)要點(diǎn):物理清洗法超聲波清洗:利用高頻聲
    的頭像 發(fā)表于 08-19 11:40 ?858次閱讀
    半導(dǎo)體行業(yè)<b class='flag-5'>中</b><b class='flag-5'>清洗</b>芯片晶圓陶瓷片硅片方法一覽

    半導(dǎo)體封裝清洗工藝有哪些

    半導(dǎo)體封裝過(guò)程清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 08-13 10:51 ?1224次閱讀
    半導(dǎo)體封裝<b class='flag-5'>清洗</b>工藝有哪些

    晶圓清洗工藝有哪些類型

    晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵步驟,用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物),確保后續(xù)工藝(如光刻、沉積、刻蝕)的良率
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:32 ?721次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>清洗</b>工藝有哪些類型

    晶圓清洗表面外延顆粒要求

    晶圓清洗表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo),直接影響后續(xù)工藝(如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等)的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn):一、
    的頭像 發(fā)表于 07-22 16:54 ?1055次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>清洗</b>后<b class='flag-5'>表面</b>外延<b class='flag-5'>顆粒</b>要求

    半導(dǎo)體哪些工序需要清洗

    半導(dǎo)體制造過(guò)程清洗工序貫穿多個(gè)關(guān)鍵步驟,以確保芯片表面的潔凈度、良率和性能。以下是需要清洗的主要工序及其目的: 1. 硅片準(zhǔn)備階段 硅片切割后
    的頭像 發(fā)表于 07-14 14:10 ?576次閱讀

    超聲波清洗機(jī)的作用是什么?使用超聲波清洗機(jī)可以去除毛刺嗎?

    在現(xiàn)代制造業(yè)表面質(zhì)量對(duì)產(chǎn)品的性能和外觀至關(guān)重要。超聲波清洗機(jī)作為一種高效的清洗工具,在去除表面
    的頭像 發(fā)表于 05-29 16:17 ?515次閱讀
    超聲波<b class='flag-5'>清洗</b>機(jī)的作用是什么?使用超聲波<b class='flag-5'>清洗</b>機(jī)可以<b class='flag-5'>去除</b>毛刺嗎?

    芯片清洗機(jī)用在哪個(gè)環(huán)節(jié)

    芯片清洗機(jī)(如硅片清洗設(shè)備)是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備,主要用于去除硅片表面的顆粒、有機(jī)物、金屬污
    的頭像 發(fā)表于 04-30 09:23 ?273次閱讀

    晶圓擴(kuò)散清洗方法

    晶圓擴(kuò)散前的清洗是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵步驟,旨在去除表面污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等),確保擴(kuò)散工藝的均勻性和器件性能。以下是晶圓擴(kuò)散
    的頭像 發(fā)表于 04-22 09:01 ?941次閱讀

    碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,在SiC晶片的制備和加工過(guò)程,表面金屬殘留成為了一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 02-06 14:14 ?395次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>晶片</b><b class='flag-5'>表面</b>金屬殘留的<b class='flag-5'>清洗</b>方法

    8寸晶圓的清洗工藝有哪些

    8寸晶圓的清洗工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程至關(guān)重要的環(huán)節(jié),它直接關(guān)系到芯片的良率和性能。那么直接揭曉關(guān)于8寸晶圓的清洗工藝介紹吧! 顆粒去除清洗
    的頭像 發(fā)表于 01-07 16:12 ?641次閱讀

    RCA清洗機(jī)配置設(shè)置有哪些

    RCA清洗機(jī)是一種用于半導(dǎo)體制造過(guò)程的濕法清洗設(shè)備,主要用于去除晶圓表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)污染物。雖
    的頭像 發(fā)表于 11-11 10:44 ?1080次閱讀
    <b class='flag-5'>RCA</b><b class='flag-5'>清洗</b>機(jī)配置設(shè)置有哪些

    去除晶圓表面顆粒的原因及方法

    本文簡(jiǎn)單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。   在12寸(300毫米)晶圓廠,清洗是一個(gè)至關(guān)重要的工序。晶圓廠會(huì)購(gòu)買大量的高純度濕化學(xué)
    的頭像 發(fā)表于 11-11 09:40 ?1960次閱讀