NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
1.描述
NP16P10G采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為低門(mén)極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。
2.一般特征
* VDS=-100V，ID=-16A
* RDS(ON)（典型值）=153 mΩ@VGS=-10V
* RDS(ON)（典型值）=180 MΩ@VGS=-4.5V
* 高功率和電流處理能力
* 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
* 表面貼裝封裝
3.應(yīng)用程序
* 負(fù)荷開(kāi)關(guān)
4.包裝
TO-252-2L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10808瀏覽量
234958 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1759瀏覽量
101240
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
Onsemi NTMC083NP10M5L雙溝道MOSFET：設(shè)計(jì)與應(yīng)用的理想之選
雙溝道MOSFET，集成了N溝道和P溝道，采用SO8封裝。它的耐壓能力出色，N溝道的
探索 onsemi NTMS10P02R2 P 溝道 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用分析
NTMS10P02R2 是一款采用 SOIC - 8 表面貼裝封裝的 P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，額定電流為 -
FQB34P10 P溝道QFET? MOSFET深度剖析
這款P溝道QFET? MOSFET，詳細(xì)剖析其特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景，為電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)中提供全面的參考。 文件下載： FQB34P10-D.pdf 二、產(chǎn)品概述 FQB34
深入解析 ON Semiconductor 的 NTTBC070NP10M5L 雙溝道 MOSFET
： NTTBC070NP10M5L-D.PDF 產(chǎn)品概述 NTTBC070NP10M5L 是一款雙溝道 MOSFET，集成了 N 溝道和
安森美100V N溝道MOSFET：NVMFS016N10MCL的特性與應(yīng)用解析
安森美100V N溝道MOSFET：NVMFS016N10MCL的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能
選型手冊(cè)：AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
選型手冊(cè)：VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電
選型手冊(cè)：VSE011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配中壓小型高
選型手冊(cè)：VSP020P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，
選型手冊(cè)：VSP004N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓大功
選型手冊(cè)：VSD011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源
選型手冊(cè)：VSP003N10HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持
選型手冊(cè)：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低
選型手冊(cè)：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
AP3P10MI 永源微100V p溝道增強(qiáng)模式MOSFET
描述AP3P10MI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON)，低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = -100v I d = -3aR DS(ON) < 350mΩ
發(fā)表于 06-30 09:46
?0次下載
評(píng)論