光刻膠在做完后續(xù)成形工藝之后，PR就不需要了，而且還要去除的很干凈，減少多后續(xù)工藝的影響。

去除光刻膠的方法主要有干法和濕法，濕法是主流，但是對于一些ICP或者離子注入工藝后發(fā)生“硬化”的光刻膠，濕法就會出現(xiàn)去膠不干凈的情況。

因此就有了干法刻蝕去除光刻膠的技術(shù)，從20世紀70年代末開始，干法工藝采用灰化Ashing來去除光刻膠。

灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。

在干法去除機中，等離子體由微波，射頻和UV臭氧源共同作用產(chǎn)生。

也有用CF4的。

工藝條件也和設(shè)備不同有關(guān)，一般處理10min~20分鐘，根據(jù)產(chǎn)品特性而定，

有時候也先用干法刻蝕去膠再用濕法去膠清洗。

但是有時候還是不能去除干凈，就只能用笨方法擦了，大家有什么好方法也可以互相交流。

審核編輯 ：李倩