EPC2106是增強型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個 eGaN 功率 FET 集成到單個器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。這提高了效率（尤其是在較高頻率下）和功率密度，同時降低了最終用戶的電源轉換系統(tǒng)的組裝成本。

半橋組件的額定電壓為 100 V，典型 R _DS(on) 為 55 mΩ，輸出電容 <600 pF，零反向恢復 (Q _RR )，最大脈沖漏極電流為 18 A。高效率并顯著降低 D 類系統(tǒng)中的失真。

該器件采用極小的 1.35 x 1.35-mm 芯片級封裝，可提高開關速度和熱性能，從而提高功率密度。為了演示，EPC9106 D 類音頻放大器參考設計在功率級中使用高頻開關氮化鎵功率晶體管，提供 D 類音頻信號的精確高功率再現(xiàn)。





審核編輯：劉清