chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

萬(wàn)億個(gè)晶體管+埃米級(jí)設(shè)計(jì),新型芯片系統(tǒng)需要AI

新思科技 ? 來(lái)源:未知 ? 2023-02-15 18:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

8497c336-ad16-11ed-bfe3-dac502259ad0.gif

我們的工作和生活已經(jīng)相當(dāng)智能了,但追求更智能的腳步永遠(yuǎn)不會(huì)停下…所以,究竟要怎樣才能變得更智能呢?如今的芯片能幫助我們完成這項(xiàng)任務(wù)嗎?

答案是:能!在聰明的開(kāi)發(fā)者不斷創(chuàng)新改變世界的同時(shí),EDA專家也在幕后努力忙碌著攻克重大技術(shù)挑戰(zhàn)。本文將討論半導(dǎo)體和系統(tǒng)設(shè)計(jì)行業(yè)需要怎么做才能在未來(lái)十年繼續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新。

AI推動(dòng)對(duì)新芯片架構(gòu)發(fā)展

回看2012年,當(dāng)時(shí)卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CNN)的概念很火,當(dāng)時(shí)一個(gè)現(xiàn)成的高端臺(tái)式機(jī)顯卡可擁有每秒1.6萬(wàn)億次的運(yùn)算能力來(lái)加速CNN。如今,憑借ML加速器和功能非常強(qiáng)大的AI處理器,我們正在進(jìn)入ExaFLOPS級(jí)領(lǐng)域(Exaflops超級(jí)計(jì)算機(jī)是每秒浮點(diǎn)運(yùn)算可達(dá)一百億億次的超級(jí)計(jì)算機(jī),也被稱為頂級(jí)超級(jí)計(jì)算機(jī)),其中那些AI處理器擁有數(shù)十萬(wàn)個(gè)針對(duì)AI優(yōu)化的內(nèi)核來(lái)處理大型語(yǔ)言模型(LLM)。

這些Transformer神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)非常龐大,涵蓋數(shù)千億個(gè)參數(shù),經(jīng)過(guò)訓(xùn)練后還可用來(lái)撰寫文案、回答問(wèn)題以及處理語(yǔ)言翻譯等工作。它們還刺激了對(duì)領(lǐng)域?qū)S眉軜?gòu)的需求,并突出了軟硬件協(xié)同優(yōu)化對(duì)于未來(lái)實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的AI系統(tǒng)的重要性。

考慮到ML模型的快速發(fā)展,開(kāi)發(fā)者們并不需要對(duì)底層硬件進(jìn)行大幅改進(jìn)。但在AI時(shí)代,性能需要每六個(gè)月就要翻一番才能跟上時(shí)代發(fā)展步伐,摩爾定律與之相比其實(shí)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后,特別是在處理LLM方面更是如此。

隨著摩爾定律趨近極限,芯片設(shè)計(jì)行業(yè)也面臨著重重挑戰(zhàn):

  • 處理能力挑戰(zhàn):限制了訓(xùn)練計(jì)算量的擴(kuò)展

  • 內(nèi)存挑戰(zhàn):參數(shù)數(shù)量增長(zhǎng)速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了本地內(nèi)存的擴(kuò)展速度

  • 帶寬挑戰(zhàn):硬件遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了內(nèi)存和互連帶寬

芯片制造正在接近極限尺寸,密度增加預(yù)計(jì)將隨著成本的上漲而放緩。從單位產(chǎn)量成本的角度來(lái)看,轉(zhuǎn)向采用更大的芯片尺寸并不能解決問(wèn)題。

I/O限制正在成為另一個(gè)制約因素,近年來(lái),晶粒間互連方面的改善成效甚微。不過(guò)高密度集成和封裝技術(shù)的進(jìn)步,包括3D堆疊技術(shù),都在幫助突破這些技術(shù)瓶頸,并為新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)架構(gòu)鋪平道路,讓電子行業(yè)在下個(gè)十年里能不斷創(chuàng)新。

進(jìn)入埃米時(shí)代

芯片系統(tǒng)才是解決之道

未來(lái)將進(jìn)入埃米時(shí)代。片上系統(tǒng)(SoC)需要發(fā)展成芯片系統(tǒng),即高度異質(zhì)的Multi-Die系統(tǒng)。到2030年,一個(gè)用于計(jì)算密集型應(yīng)用的典型系統(tǒng)將包括:多個(gè)芯片(有些相互堆疊)、計(jì)算資源、內(nèi)存,并且這些都位于同一個(gè)封裝內(nèi)。隨著先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的單位產(chǎn)量成本上升,該策略使設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)能夠?yàn)樽酉到y(tǒng)逐一決定每個(gè)功能應(yīng)采用哪種工藝技術(shù),從而實(shí)現(xiàn)其整體的系統(tǒng)性能和成本目標(biāo)。

構(gòu)建包含萬(wàn)億個(gè)晶體管

埃米級(jí)設(shè)計(jì)需要什么?

埃米級(jí)談?wù)摰氖枪に嚰夹g(shù)的復(fù)雜性,而萬(wàn)億則涉及到功能的規(guī)模。要滿足這兩個(gè)方面的需求,首先需要重新思考構(gòu)建此類系統(tǒng)的整體設(shè)計(jì)方法,同時(shí)還要以更經(jīng)濟(jì)高效的方式提供出色的功耗、性能和面積(PPA)。為此,需要在單個(gè)晶粒層面和整個(gè)Multi-Die系統(tǒng)設(shè)計(jì)層面采用AI驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)大超融合技術(shù)。

雖然芯片設(shè)計(jì)的這一演變是由基于AI的應(yīng)用以及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)推動(dòng)的,但很明顯,在幫助改進(jìn)這些Multi-Die系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法方面,AI的使用本身將是不可或缺的。將先進(jìn)智能集成到設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程中正在迅速成為未來(lái)的發(fā)展方向。超融合設(shè)計(jì)的成功離不開(kāi)一個(gè)融合流程,該流程將融合從RTL到GDSII的所有環(huán)節(jié),并通過(guò)智能搜索空間優(yōu)化和ML驅(qū)動(dòng)的大數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)分析得到增強(qiáng)。

采用整體性方法來(lái)

處理系統(tǒng)復(fù)雜性

縱觀全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展軌跡,Multi-Die系統(tǒng)設(shè)計(jì)顯然將在未來(lái)幾年內(nèi)大幅增長(zhǎng)。雖然Multi-Die系統(tǒng)的設(shè)計(jì)流程目前還是相互脫節(jié)的,但為了迎接系統(tǒng)設(shè)計(jì)新時(shí)代,新思科技正在加大對(duì)Multi-Die技術(shù)的投資。

我們的全棧EDA方法采用靈活且可擴(kuò)展的集成解決方案,從架構(gòu)探索到設(shè)計(jì)、分析和簽核均有涉及,能夠?qū)崿F(xiàn)Multi-Die/封裝的協(xié)同設(shè)計(jì)。我們用于測(cè)試、驗(yàn)證和芯片生命周期管理(SLM)的Multi-Die解決方案具有智能功能,可以加快大規(guī)模的設(shè)計(jì)收斂,從而實(shí)現(xiàn)可靠、安全的運(yùn)行。我們廣泛的IP產(chǎn)品組合能夠?qū)崿F(xiàn)高帶寬、低延遲,并可以將所有重要的部分聯(lián)系在一起。

一直以來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)都是由單片SoC主導(dǎo),如今單片SoC設(shè)計(jì)正在為萬(wàn)億晶體管級(jí)設(shè)計(jì)讓路。這些Multi-Die系統(tǒng)的加入需要全面探索,以及支持所有設(shè)計(jì)風(fēng)格的能力和規(guī)模。雖然這個(gè)要求很高,但新思科技已經(jīng)躍躍欲試,我們將繼續(xù)幫助開(kāi)發(fā)者定義和提供影響市場(chǎng)的獨(dú)特產(chǎn)品。

851e978a-ad16-11ed-bfe3-dac502259ad0.gif


原文標(biāo)題:萬(wàn)億個(gè)晶體管+埃米級(jí)設(shè)計(jì),新型芯片系統(tǒng)需要AI

文章出處:【微信公眾號(hào):新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新思科技
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    905

    瀏覽量

    52480

原文標(biāo)題:萬(wàn)億個(gè)晶體管+埃米級(jí)設(shè)計(jì),新型芯片系統(tǒng)需要AI

文章出處:【微信號(hào):Synopsys_CN,微信公眾號(hào):新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通
    發(fā)表于 09-15 15:31

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+內(nèi)容總覽

    ,其中第一章是概論,主要介紹大模型浪潮下AI芯片的需求與挑戰(zhàn)。第二章和第三章分別介紹實(shí)現(xiàn)深度學(xué)習(xí)AI芯片的創(chuàng)新方法和架構(gòu)。以及一些新型的算法
    發(fā)表于 09-05 15:10

    【書籍評(píng)測(cè)活動(dòng)NO.64】AI芯片,從過(guò)去走向未來(lái):《AI芯片:科技探索與AGI愿景》

    ” 晶圓級(jí)單片芯片,則讓單塊芯片晶體管數(shù)量有著巨大提升。 更具顛覆性的是兩類新興工藝:分子器件與分子憶阻器以單個(gè)分子為單元,實(shí)現(xiàn)納米級(jí)存儲(chǔ)
    發(fā)表于 07-28 13:54

    晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?1536次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過(guò)程

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含一個(gè)發(fā)光二極(LED)作為光源。當(dāng)電流通過(guò)LED時(shí),它會(huì)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。2.光敏器件:光耦的另一側(cè)是一個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?467次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    ,10)開(kāi)始一直使用到A7代。 從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識(shí)可能有助于下一代互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET)的生產(chǎn)。 目前,領(lǐng)先的芯片制造商——英特爾、臺(tái)積電和三星——正在利用
    發(fā)表于 06-20 10:40

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?763次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

    這本書介紹了晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5電路的設(shè)計(jì)與制作,6以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單
    發(fā)表于 02-26 19:55

    如何測(cè)試晶體管的性能 常見(jiàn)晶體管品牌及其優(yōu)勢(shì)比較

    如何測(cè)試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測(cè)試對(duì)于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測(cè)試晶體管性能的一些基本步驟和方法: 1. 外觀檢查 外觀檢查 :檢查晶體管
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:52 ?1613次閱讀

    晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例

    晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成,它們?cè)诮佑|時(shí)形成一個(gè)勢(shì)壘,阻止
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:50 ?2815次閱讀

    晶體管故障診斷與維修技巧 晶體管在數(shù)字電路中的作用

    晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們?cè)跀?shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對(duì)于電子工程師和技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開(kāi)關(guān)功能 :
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:46 ?2081次閱讀

    高頻晶體管在無(wú)線電中的應(yīng)用

    雙極型晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些晶體管能夠處理高達(dá)數(shù)GHz的信號(hào),是現(xiàn)代無(wú)線電系統(tǒng)中不可或缺的組件。 雙極型
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:44 ?1216次閱讀

    晶體管與場(chǎng)效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    通過(guò)改變溝道中的電場(chǎng)來(lái)控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體管 :輸入阻抗相對(duì)較低,因?yàn)榛鶚O需要電流來(lái)控制。 場(chǎng)效應(yīng) :輸入阻抗非常高,因?yàn)闁艠O控制是通過(guò)電壓實(shí)現(xiàn)的,不需要
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1411次閱讀