關鍵要點

?SiC MOSFET因其在降低功率轉換損耗方面的出色表現(xiàn)而備受關注。

?以DC-DC轉換器和EV應用為例，介紹使用新一代（第4代）SiC MOSFET所帶來的優(yōu)勢–降低損耗。

在電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心、基站、智能電網等領域，由于更高電壓、更大容量的電源可以提高便利性，因此電源的電壓和容量呈現(xiàn)出顯著提高的趨勢，而從保護全球環(huán)境的角度來看，如何降低能耗已成為非常重要的課題。在這些應用中，是需要通過功率轉換將電力轉換為適當值來使用電源的，而在功率轉換過程中會產生能量損耗。在高電壓、大容量的應用中，這種損耗是不容忽視的大問題，近年來市場上強烈要求降低功率轉換過程中的能耗，也就是要求提高功率轉換效率。

SiC功率半導體的特點是支持高頻工作，而且在高電壓、大容量條件下的能量損耗非常低，因此這種產品作為提高功率轉換效率的有效方法而備受關注。ROHM能夠為眾多應用提供SiC功率半導體產品。目前，ROHM已經推出了第4代SiC MOSFET，正在為降低功率轉換損耗貢獻著重要力量。

在本系列文章中，我們通過降壓型DC-DC轉換器和EV應用，來介紹第4代SiC MOSFET新產品在實際應用中在降低損耗方面的出色表現(xiàn)。本系列預計發(fā)布以下文章：

●第4代SiC MOSFET的特點

●在降壓型DC-DC轉換器中使用第4代SiC MOSFET的效果

> 電路工作原理和損耗分析
> DC-DC轉換器實機驗證

●在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果

> EV應用
> 裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗
> 圖騰柱PFC實機評估

在降壓型DC-DC轉換器應用部分，將為大家講解開關損耗、傳導損耗、體二極管損耗、反向恢復損耗等損耗發(fā)生機制，并介紹使用具有出色高速開關性能的第4代SiC MOSFET時的損耗降低效果。

在EV應用部分，將為您介紹針對EV的電源解決方案。在牽引逆變器應用部分，將通過接入電機試驗臺實施的模擬行駛試驗的結果，來介紹第4代SiC MOSFET的特性和效果之間的關系。另外，在車載充電器（OBC）的組件之一——圖騰柱PFC部分，將通過在實際電路板上安裝第4代SiC MOSFET來介紹轉換器的特性提升效果。

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介紹了在電源產品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潛力的碳化硅（SiC）的基本物理特性，以及SiC二極管和晶體管的使用方法及其應用案例。

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使用新一代SiC MOSFET降低損耗實證 —前言—

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