chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC器件如何推動(dòng)EV市場(chǎng)發(fā)展

Microchip微芯 ? 來源: Microchip微芯 ? 作者: Microchip微芯 ? 2023-05-11 20:16 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

汽車子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師不斷努力尋找創(chuàng)新的方法來延長(zhǎng)EV的續(xù)航里程并縮短充電時(shí)間。在實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的過程中,他們將基于硅的技術(shù)在尺寸、重量和電源效率方面推向物理極限,因而需要轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)來幫助其應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。與硅相比,SiC器件具有更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度,并且能夠在更高的結(jié)溫下耐受更大的電壓和電流。這些特性結(jié)合其更小的尺寸以及更高的效率,提高了功率密度,這使SiC成為了許多重要EV應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)。據(jù)我們估計(jì),SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望增長(zhǎng)到目前10億美元估值的五倍,這并不奇怪。

EV應(yīng)用中有幾個(gè)新興趨勢(shì)可以從我們基于SiC的可靠解決方案中受益。今天推薦專家博文《SiC器件如何推動(dòng)EV市場(chǎng)發(fā)展》,將針對(duì)EV充電基礎(chǔ)設(shè)施中的四個(gè)要素(EV充電站、車載充電器、電池管理系統(tǒng)及電機(jī)功率控制單元)分別進(jìn)行闡述。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • microchip
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    1547

    瀏覽量

    119011
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3219

    瀏覽量

    65019

原文標(biāo)題:專家博文《SiC器件如何推動(dòng)EV市場(chǎng)發(fā)展》

文章出處:【微信號(hào):MicrochipTechnology,微信公眾號(hào):Microchip微芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.

    典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
    的頭像 發(fā)表于 01-22 17:23 ?579次閱讀
    典范轉(zhuǎn)移 <b class='flag-5'>EV</b>全生態(tài)系商機(jī) - The CAN <b class='flag-5'>SIC</b> Transceiver Is Ready To Go.

    SiC MOSFET分立器件及工業(yè)模塊介紹

    BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
    發(fā)表于 01-16 14:32 ?1次下載

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1205次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

    應(yīng)用筆記 | SiC模塊并聯(lián)驅(qū)動(dòng)振蕩的抑制方法

    SiC MOSFET與傳統(tǒng)Si器件相比,具有高電壓、大電流、高速驅(qū)動(dòng)、低損耗、高溫穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn),是新一代器件。近年來,利用這些優(yōu)異特性,作為向大功率發(fā)展的電動(dòng)汽車 (
    發(fā)表于 11-27 14:23

    碳化硅SiC在光電器件中的使用

    碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠(yuǎn)大于硅(Si)的1.12eV,這使得SiC在高溫、高頻和高功率應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 11-25 18:10 ?1738次閱讀

    碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

    和熱學(xué)性能,成為了許多高性能電子器件的首選材料。 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和硅原子組成的化合物半導(dǎo)體材料,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙約為3.23 eV,遠(yuǎn)高于硅的1.12
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?1877次閱讀

    揭秘安森美在SiC市場(chǎng)的未來布局

    目前,SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā),眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品,尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。2024年新能源汽車的競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入白熱化階段,國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:35 ?785次閱讀

    搶占SiC,誰是電動(dòng)汽車市場(chǎng)的贏家?

    在電動(dòng)汽車市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,碳化硅(SiC)器件正成為關(guān)鍵制勝因素。究竟誰能搶占SiC高地,成為這場(chǎng)角逐的最終贏家? 隨著電動(dòng)汽車行業(yè)的快速發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 10-11 11:29 ?639次閱讀
    搶占<b class='flag-5'>SiC</b>,誰是電動(dòng)汽車<b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>的贏家?

    使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-11 14:21 ?0次下載
    使用隔離式 IGBT 和 <b class='flag-5'>SiC</b> 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/<b class='flag-5'>EV</b> 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

    2025年SiC芯片市場(chǎng)大揭秘:中國(guó)降價(jià),產(chǎn)業(yè)變革!

    在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的背景下,碳化硅(SiC)作為一種新興的高性能半導(dǎo)體材料,正逐步成為推動(dòng)新能源汽車、智能電網(wǎng)、高速通信等領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵力量。近年來,中國(guó)SiC芯片
    的頭像 發(fā)表于 09-09 10:46 ?2402次閱讀
    2025年<b class='flag-5'>SiC</b>芯片<b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>大揭秘:中國(guó)降價(jià),產(chǎn)業(yè)變革!

    系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開關(guān)的影響分析

    的影響外,本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中寄生電容對(duì)開通電流應(yīng)力、電流振蕩和開通損耗的負(fù)面影響。01導(dǎo)言隨著SiC技術(shù)的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長(zhǎng),SiC器件越來越受到工程師
    的頭像 發(fā)表于 08-30 12:24 ?811次閱讀
    系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>開關(guān)的影響分析

    SiC器件在電源中的應(yīng)用

    SiC(碳化硅)器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC
    的頭像 發(fā)表于 08-19 18:26 ?1599次閱讀

    SiC技術(shù)引領(lǐng)中國(guó)新能源乘用車功率器件國(guó)產(chǎn)化新篇章

    近年來,中國(guó)新能源乘用車產(chǎn)業(yè)在政策和市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下,取得了顯著進(jìn)展,尤其是在功率模塊國(guó)產(chǎn)化方面,更是邁出了堅(jiān)實(shí)步伐。其中,SiC(碳化硅)領(lǐng)域更是迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇,成為推動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 08-02 11:01 ?449次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>技術(shù)引領(lǐng)中國(guó)新能源乘用車功率<b class='flag-5'>器件</b>國(guó)產(chǎn)化新篇章

    三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展歷程

    三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價(jià)比的SiC器件
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:24 ?1160次閱讀
    三菱電機(jī)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>發(fā)展</b>歷程