Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016
Netsol在STT-MRAM領域，處于領先地位?；谠趦却嫦嚓P領域的豐富開發(fā)經驗以及低成本、超小型和低功耗內存解決方案設計的專業(yè)知識、為工業(yè)自動化、網絡系統(tǒng)、醫(yī)療、游戲、企業(yè)數據中心和物聯(lián)網設備等廣泛領域的各種應用程序，提供最優(yōu)化的定制內存解決方案。
我司英尚微官方代理供應商提供的Netsol型號S3R8016并口STT-MRAM是一個容量8Mbit，具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8 I/O模式。采用工業(yè)標準44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝。
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
審核編輯黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關注
關注
39文章
7713瀏覽量
170785 -
非易失存儲
+關注
關注
0文章
2瀏覽量
5596 -
MRAM
+關注
關注
1文章
244瀏覽量
32818
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
串行接口MRAM存儲芯片面向工業(yè)物聯(lián)網和嵌入式系統(tǒng)的應用
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM
MRAM存儲器EMD4E001G-1Gb的優(yōu)勢介紹
在當今對數據持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎設施和數據中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術優(yōu)勢，成為眾多高性能
Everspin存儲器8位并行總線MRAM概述
在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業(yè)與數據中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲
Everspin串口MRAM存儲芯片有哪些型號
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易
半導體存儲芯片核心解析
/FeRAM (阻變/鐵電) 等，目標是結合DRAM的速度和Flash的非易失性（存儲級內存），部分已在特定領域應用（如MRAM做緩存），是
發(fā)表于 06-24 09:09
DS4520 9位、I2C、非易失、輸入/輸出擴展器與存儲器技術手冊
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數字邏輯節(jié)點的硬件跳線和機械開關相比，DS4520為用戶提供了數字可編程的替代方案
DS4510 CPU監(jiān)控電路，具有非易失存儲器和可編程輸入/輸出技術手冊
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(
DS4550 I2C和JTAG、非易失、9位、輸入/輸出擴展器與存儲器技術手冊
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數字編程替代硬件跳線和機械
MXD1210非易失RAM控制器技術手冊
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性
DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,04
DS1249AB 2048k非易失SRAM技術手冊
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按
STT-MRAM新型非易失性磁隨機存儲器
發(fā)表于 02-14 13:49
工商網監(jiān)
評論