芯片從設(shè)計(jì)到成品有幾個(gè)重要環(huán)節(jié)，分別是設(shè)計(jì)->流片->封裝->測(cè)試，但芯片成本構(gòu)成的比例確大不相同，一般為人力成本20%，流片40%，封裝35%，測(cè)試5%。測(cè)試是芯片各個(gè)環(huán)節(jié)中最“便宜”的一步，但測(cè)試是產(chǎn)品質(zhì)量最后一關(guān)，若沒有良好的測(cè)試，產(chǎn)品PPM過高，退回或者賠償都遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是5%的成本能代表的。

芯片需要做哪些測(cè)試呢?

主要分三大類：芯片功能測(cè)試、性能測(cè)試、可靠性測(cè)試，芯片產(chǎn)品要上市三大測(cè)試缺一不可。

要實(shí)現(xiàn)這些測(cè)試，我們有哪些測(cè)試方法呢?

測(cè)試方法：板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試，多策并舉。

板級(jí)測(cè)試，主要應(yīng)用于功能測(cè)試，使用PCB板+芯片搭建一個(gè)“模擬”的芯片工作環(huán)境，把芯片的接口都引出，檢測(cè)芯片的功能，或者在各種嚴(yán)苛環(huán)境下看芯片能否正常工作。

晶圓CP測(cè)試，常應(yīng)用于功能測(cè)試與性能測(cè)試中，了解芯片功能是否正常，以及篩掉芯片晶圓中的故障芯片。CP就是用探針來扎Wafer上的芯片，把各類信號(hào)輸入進(jìn)芯片，把芯片輸出響應(yīng)抓取并進(jìn)行比較和計(jì)算。

封裝后成品FT測(cè)試，常應(yīng)用與功能測(cè)試、性能測(cè)試和可靠性測(cè)試中，檢查芯片功能是否正常，以及封裝過程中是否有缺陷產(chǎn)生。

系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試，常應(yīng)用于功能測(cè)試、性能測(cè)試和可靠性測(cè)試中，常常作為成品FT測(cè)試的補(bǔ)充而存在，就是在一個(gè)系統(tǒng)環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試，把芯片放到它正常工作的環(huán)境中運(yùn)行功能來檢測(cè)其好壞，缺點(diǎn)是只能覆蓋一部分的功能，覆蓋率較低所以一般是FT的補(bǔ)充手段。

可靠性測(cè)試，主要就是針對(duì)芯片施加各種苛刻環(huán)境，ESD靜電，就是模擬人體或者模擬工業(yè)體去給芯片加瞬間大電壓。HAST測(cè)試芯片封裝的耐濕能力，待測(cè)產(chǎn)品被置于嚴(yán)苛的溫度、濕度及壓力下測(cè)試，濕氣是否會(huì)沿者膠體或膠體與導(dǎo)線架之接口滲入封裝體從而損壞芯片。

成都中冷低溫的高低溫沖擊設(shè)備TS-760提供老化測(cè)試、特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)，用于芯片、微電子器件、集成電路 (SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等) 、閃存Flash、UFS、eMMC 、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、傳感器、小型模塊組件等電子元器件/模塊冷熱測(cè)試。溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約10秒 ; 經(jīng)長(zhǎng)期的多工況驗(yàn)證，滿足各類生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

審核編輯：湯梓紅