淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）

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放大器(221492) 放大器(221492)
振蕩器(142505) 振蕩器(142505)
GaN(79580) GaN(79580)

GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用前景。

2025-09-02 17:18:33

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用于電機(jī)控制的GaN技術(shù)

基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢。

2022-07-27 14:03:56

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Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。這兩款全新大功率HEMT

2021-01-09 11:14:21

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同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子

2023-12-27 09:11:36

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GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)

集成電路故障機(jī)制的指南。盡管AEC為汽車，國防和航空航天應(yīng)用提供了指南，但它未能解決正在逐漸轉(zhuǎn)向GaN功率器件（例如通信基站）的開發(fā)技術(shù)。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是場效應(yīng)晶體管（FET），其

2020-09-23 10:46:20

GaN HEMT在電機(jī)設(shè)計(jì)中有以下優(yōu)點(diǎn)

效率耐高溫，允許使用較小的散熱器高度集成，允許在芯片上集成GaN HEMT（與硅材料不同）較少BOM材料，簡化設(shè)計(jì)方案，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案中GaN HEMT可以處理各種電流，而不需要IGBT所需的反向二極管

2019-07-16 00:27:49

GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應(yīng)用提供功率。GaN更優(yōu)的開關(guān)能力意味著它可以用更少的器件更有效地轉(zhuǎn)換更高水平的功率，如圖1所示。GaN半導(dǎo)體能夠在交流/直流供電

2022-11-07 06:26:02

GaN FET重新定義電源電路設(shè)計(jì)

FET器件的設(shè)計(jì)可能是主要由于棘手的柵極驅(qū)動(dòng)電路而具有挑戰(zhàn)性的。除了向GaN功率FET提供正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓之外，電路還必須為過壓驅(qū)動(dòng)或欠壓條件提供保護(hù)。3.具有兩個(gè)GaN FET的LMG5200

2017-05-03 10:41:53

GaN為硅MOSFET提供的主要優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢

，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目

2022-11-14 07:01:09

GaN可靠性的測試

都應(yīng)通過這樣的測試。依我看，JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該涵蓋這類測試。您說呢？” 客戶的質(zhì)疑是對的。為使GaN被廣泛使用，其可靠性需要在預(yù)期應(yīng)用中得到證明，而不是僅僅通過硅材料配方合格認(rèn)證（silicon

2018-09-10 14:48:19

GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備

”就是把手機(jī)收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備?！边@個(gè)聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN

2018-09-06 15:31:50

CG2H80015D-GP4 氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）

` 本帖最后由射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括

2021-04-07 14:31:00

CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。氮化鎵與硅或砷化

2020-12-03 11:49:15

Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

%。例如，Neway模塊通過磁集成技術(shù)減少電感數(shù)量，部分抵消材料成本上升。封裝材料：為適應(yīng)高頻、高溫環(huán)境，需采用高導(dǎo)熱硅脂、耐高溫塑料等，成本較普通材料高15%-25%。制造工藝成本設(shè)備投資：GaN器件制造

2025-12-25 09:12:32

SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT，其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可提供最佳功率和線性度。

SGK5872-20A 類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼：I2C 功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT 高輸出功率：P5dB

2025-06-16 16:18:36

SGNE010MK GaN-HEMT

`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是高電壓的低電流和寬帶應(yīng)用。高壓操作

2021-03-30 11:37:49

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢？

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢

2021-03-10 08:26:03

T2G6001528-Q3 GaN on SiC HEMT

Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

2021-08-04 11:50:58

TGA2573-2-TS功率放大器

TGA2573-2-TS寬帶在Qorvo生產(chǎn)0.25微米SiC工藝制備GaN高功率GaN HEMT放大器。工作從2到18GHz，它達(dá)到40 dBm飽和輸出功率，20% PAE，和10分貝小信號(hào)增益在漏偏壓為

2018-07-27 11:38:10

TGA2573功率放大器

制備GaN高功率GaN HEMT放大器。工作從2到18 GHz，它達(dá)到40 dBm飽和輸出功率，20% PAE，和10分貝小信號(hào)增益在漏偏壓為30 V。完全匹配到50歐姆，結(jié)合直流阻斷射頻端口

2018-06-19 09:07:36

UMS新型CHA6710-FAB是采用密封金屬陶瓷封裝的GaN 5W X波段功率放大器

效率）可達(dá)35%，線性增益可達(dá)22.5dB。　　　　CHA6710-FAB的電路是基于可靠的0.25μm GaN HEMT工藝的UMS專用基板上設(shè)計(jì)的。可以用于X波段雷達(dá)和空間Ku波段通信系統(tǒng)等

2020-07-07 08:50:16

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性

2021-07-08 13:08:32

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 基板的表面處理

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底

2021-07-07 10:26:01

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝

`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com

2021-07-08 13:11:24

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法

2021-07-08 13:09:52

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻

。這個(gè)蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個(gè)非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能

2021-07-07 10:24:07

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》n-GaN的電化學(xué)和光刻

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：n-GaN的電化學(xué)和光刻編號(hào)：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要本文利用

2021-10-13 14:43:35

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)

2021-07-06 09:38:20

為什么GaN會(huì)在射頻應(yīng)用中脫穎而出？

鎵(Ga) 是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（如下圖所示）呈六

2019-08-01 07:24:28

什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？

什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？

2021-05-06 07:52:03

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜

2019-07-31 06:53:03

利用GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)5G移動(dòng)通信：為成功奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)

GaN 應(yīng)用到移動(dòng)電話首款GaN 應(yīng)用是針對大功率軍事使用開發(fā)的，例如雷達(dá)或反IED 干擾機(jī)，然后逐漸擴(kuò)展至商用基站和有線電視轉(zhuǎn)播機(jī)。這些應(yīng)用的典型工作電壓范圍為28 至48 V。但是，手持式設(shè)備的平均

2017-07-28 19:38:38

圖形藍(lán)寶石襯底GaN基發(fā)光二極管的研制

)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm

2010-04-22 11:32:16

在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

就可以將更多的主板裝入給定的機(jī)架中，最大限度地提高數(shù)據(jù)中心吞吐量和性能。在圖1所示的典型電信電源系統(tǒng)中，48VDC輸入電壓必須進(jìn)一步降低到中間母線電壓（在此例中為3.3V），然后用一個(gè)或多個(gè)降壓

2019-07-29 04:45:02

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析

目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限，即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)?，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium

2023-09-18 07:27:50

基于GaN的1.5kW LLC諧振變換器模塊

為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個(gè)1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸

2023-06-16 11:01:43

基于GaN的開關(guān)器件

在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力

2019-06-21 08:27:30

基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請?zhí)崆皫椭x謝。以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello everyone! i am

2018-11-13 10:21:37

如何利用非線性模型幫助GaN PA進(jìn)行設(shè)計(jì)？

氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量

2019-07-31 08:13:22

晶體管管芯的工藝流程？

晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答

2019-05-26 21:16:27

求“Motorola MPC755”處理器的制備工藝參數(shù)

有哪位同仁知道Motorola MPC755的詳細(xì)制備工藝嗎？是220nm的工藝，5層金屬如果知道的話，可以發(fā)到我的郵箱里mht_84@126.com多謝了啊

2011-02-24 16:11:17

直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)

受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型

2020-10-27 06:43:42

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)

　　本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至

2020-12-21 07:09:34

非線性模型如何幫助進(jìn)行GaN PA設(shè)計(jì)？

2018-08-04 14:55:07

高增益50W GaN HEMT功率放大器

Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體高電子遷移晶體管(HEMT)。 Toshiba 的

2010-06-10 10:47:33

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科銳公司推出兩項(xiàng)新型GaN工藝技術(shù)

科銳公司（CREE）宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術(shù)相比

2012-07-18 14:30:56

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高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能指南

這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。

2017-06-27 08:54:11

移動(dòng)無線基礎(chǔ)設(shè)施和WiMAX氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)

ABI研究公司一位研究人員表示，對于那些通過氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)來開發(fā)并生產(chǎn)設(shè)備的廠商來說，無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域所需的RF功率半導(dǎo)體可能并不是他們最好的機(jī)會(huì)。除了一些軍事應(yīng)用和微波通信，GaN主要

2017-12-13 16:02:01

770

GaN有哪些特點(diǎn)為什么5G通信要使用GaN技術(shù)來實(shí)現(xiàn)

產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無線充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。

2019-02-03 12:54:00

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5G射頻前端市場蓬勃發(fā)展 GaN的優(yōu)勢異常明顯

和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub－6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GaN技術(shù)的運(yùn)用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。

2019-02-14 10:49:38

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GaN器件技術(shù)能實(shí)現(xiàn)5G通信，靠的是這些特性

充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。

2020-07-27 10:26:00

GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)路線及關(guān)鍵科學(xué)問題

在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性

2020-10-09 14:18:50

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納微專家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？

工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)?，那到底有還是沒有體二極管？

2021-03-15 09:41:07

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探究Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了

2021-04-21 09:55:20

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淺談GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管(SBD)的設(shè)計(jì)與制備

依托先進(jìn)的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管的設(shè)計(jì)方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場板的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管

2021-07-14 16:46:55

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光伏電池制備工藝-擴(kuò)散

光伏電池制備工藝-擴(kuò)散(開關(guān)電源技術(shù)的節(jié)能意義)-光伏電池制備工藝-擴(kuò)散? ? ? ? ? ? ? ? ??

2021-09-23 14:11:49

GaN HEMT概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。

2022-02-10 15:27:43

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新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)

而此次他們通過實(shí)驗(yàn)證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄，該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。

2022-05-12 10:45:55

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GaN組件的單片集成提升了功率集成電路?

本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)同集成。這些組件的添加使芯片設(shè)計(jì)具有擴(kuò)展的功能

2022-07-29 08:56:44

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肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成

Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型（d-mode）高電子遷移率晶體管（HEMT）在基于 p 型氮化鎵（GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路（IC）平臺(tái)。

2022-07-29 15:34:03

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新的GaN技術(shù)簡化了驅(qū)動(dòng)基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開啟。

2022-07-29 09:27:17

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GaN芯片的制備工藝

GaN作為第三代半導(dǎo)體的典范正在被廣泛使用，就連電梯間也能看到快充品牌直接拿GaN做廣告語了。

2022-08-23 10:21:58

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高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計(jì)

2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。

2022-09-19 09:33:21

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GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）

GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）

2022-12-26 10:16:25

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GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)

GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)

2023-01-30 14:17:44

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用熱反射測溫技術(shù)測量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度

第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準(zhǔn)確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。

2023-02-13 09:27:52

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AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設(shè)定為30%。

2023-02-14 09:31:16

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GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展

研究進(jìn)展，簡要總結(jié)了外延材料表征技術(shù)的發(fā)展趨勢，為 GaN HEMT 外延層的材料生長和性能優(yōu)化提供了反饋和指導(dǎo)。

2023-02-20 11:47:22

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GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管(SBD)的設(shè)計(jì)與制備

2023-02-27 15:50:38

絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下

2023-04-29 16:46:00

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CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS

致力于高至4GHz的普遍射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域需求設(shè)計(jì)。CHK8201-SYA特別適合多功能應(yīng)用領(lǐng)域，例如空間和電信網(wǎng)絡(luò) CHK8101-SYC在SIC技術(shù)上使用的GAN是種表面評估的HEMT工藝技術(shù)，根據(jù)

2023-05-09 11:32:02

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GaN HEMT大信號(hào)模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)

2023-05-24 09:40:01

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GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

2023-05-25 15:14:06

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GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料

2023-06-14 14:00:55

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量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開發(fā)了一種針對GaN（氮化鎵）晶圓生產(chǎn)而優(yōu)化的工藝。通過該工藝，可以同時(shí)提高GaN晶圓片產(chǎn)量，并縮短生產(chǎn)時(shí)間。

2023-08-25 09:43:52

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AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。

2023-10-10 16:21:11

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淺談磷酸鐵鋰的制備工藝的一般步驟

　磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應(yīng)用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：

2023-10-20 09:58:14

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GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻

2023-12-07 17:27:20

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微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報(bào)告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 11:06:58

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改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 10:43:26

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GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢

GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。

2024-08-15 11:01:06

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GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。以下是對GaN HEMT優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析：

2024-08-15 11:09:20

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基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法有哪些？

基于石英玻璃外延GaN的工藝改進(jìn)方法主要包括以下幾個(gè)方面：一、晶圓片制備優(yōu)化多次減薄處理：采用不同材料的漿液和磨盤對石英玻璃進(jìn)行多次減薄處理，可以制備出預(yù)設(shè)厚度小于70μm且厚度均勻性TTV

2024-12-06 14:11:58

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GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 09:38:48

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高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費(fèi)下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽

2025-02-27 18:06:41

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