據(jù)Yole預(yù)測(cè)，先進(jìn)封裝 (AP：Advanced Packaging ) 市場(chǎng)在 2022 年價(jià)值 443 億美元，預(yù)計(jì)從 2022 年到 2028 年將以 10.6% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 增長(zhǎng)至 786 億美元。相比之下，傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì) 從 2022 年到 2028 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將放緩至 3.2%，達(dá)到 575 億美元。總體而言，封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以 6.9% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到 1360 億美元。

到 2022 年，AP 市場(chǎng)約占整個(gè)集成電路 (IC) 封裝市場(chǎng)的 48%，并且由于各種大趨勢(shì)，其份額正在穩(wěn)步增加。在 AP 市場(chǎng)中，包括 FCBGA 和 FCCSP 在內(nèi)的倒裝芯片平臺(tái)在 2022 年占據(jù)了 51% 的市場(chǎng)份額。預(yù)計(jì) 2022 年至 2028 年收入復(fù)合年增長(zhǎng)率最高的細(xì)分市場(chǎng) 是 ED、2.5D/3D 和倒裝芯片，增長(zhǎng)率分別為 30%、19% 和 8.5% 。

到 2022 年，移動(dòng)和消費(fèi)者占整個(gè) AP 市場(chǎng)的 70%，預(yù)計(jì) 2022 年至 2028 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 7%，到 2028 年 占 AP 收入的 61%。電信和基礎(chǔ)設(shè)施部分增長(zhǎng)最快，具有估計(jì)收入增長(zhǎng)率約為 17%，預(yù)計(jì)到 2028 年將占 AP 市場(chǎng)的 27%。汽車和運(yùn)輸將占市場(chǎng)的 9%，而醫(yī)療、工業(yè)和航空航天/國(guó)防等其他領(lǐng)域 將占3% 。

盡管傳統(tǒng)封裝目前主導(dǎo)晶圓生產(chǎn)，到 2022 年將占總產(chǎn)量的近 73%，但 AP 市場(chǎng)的份額正在逐漸增加。AP晶圓的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將從 2022年的約27%增長(zhǎng)到2028年的32%。按單位計(jì)算，傳統(tǒng)封裝占據(jù)超過(guò)94%的市場(chǎng)份額，但AP在2022年到2028年的出貨量預(yù)計(jì)將以約6%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，這意味著到2028年達(dá)到1010億單元出貨量。

超越摩爾定律的創(chuàng)新：小芯片和混合鍵合開辟新領(lǐng)域

先進(jìn)封裝已成為半導(dǎo)體創(chuàng)新、增強(qiáng)功能、性能和成本效益的關(guān)鍵。臺(tái)積電、英特爾和三星等大公司正在采用小芯片和異構(gòu)集成 策略，利用 AP 技術(shù)以及前端擴(kuò)展工作。

chiplet 方法 將 SoC 芯片劃分為多個(gè)芯片，僅縮放具有先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片，并使用 2.5D 或 3D 封裝將它們集成。這提高了產(chǎn)量并降低了成本?；旌湘I合 (HB：Hybrid Bonding) 是另一個(gè) 重要趨勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)金屬-金屬和氧化物-氧化物面對(duì)面堆疊，且凸點(diǎn)間距小于10 μm。它用于 CIS 和 3D NAND 堆疊等應(yīng)用的晶圓到晶圓混合鍵合，以及用于 PC、HPC 和數(shù)據(jù)中心的邏輯上內(nèi)存堆疊 3D IC 中的 3D SoC 的持續(xù)開發(fā)。

臺(tái)積電憑借其CoWoS 生產(chǎn)和多樣化產(chǎn)品組合（包括 3D SoIC 、 InFO_SoW和 CoWoS變體）在高端先進(jìn)封裝領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位 。英特爾在2022年大力投資先進(jìn)封裝，但宏觀經(jīng)濟(jì)因素影響了其2023年的核心業(yè)務(wù)。因此，我們預(yù)計(jì)臺(tái)積電今年在先進(jìn)封裝方面的投資將超過(guò)英特爾 。三星為 HBM 和 3DS 產(chǎn)品、扇出面板級(jí)封裝和 硅中介層提供先進(jìn)封裝解決方案，從而實(shí)現(xiàn)高端性能產(chǎn)品。

與傳統(tǒng)封裝相比，先進(jìn)封裝需要不同的設(shè)備、材料和工藝，例如新的基板材料、光刻工藝、激光鉆孔、CMP 和 KGD 測(cè)試。AP 參與者進(jìn)行了大量投資 來(lái)開發(fā)和引入這些進(jìn)步。與先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成推動(dòng)了半導(dǎo)體創(chuàng)新，提高了整體系統(tǒng)性能，同時(shí)降低了成本。

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈：新的地緣政治戰(zhàn)場(chǎng)

由于芯片短缺和地緣 政治緊張局勢(shì)，包括先進(jìn)封裝在內(nèi)的半導(dǎo)體價(jià)值鏈?zhǔn)艿疥P(guān)注。各國(guó)政府正在投資了解和加強(qiáng)國(guó)內(nèi)生態(tài)系統(tǒng)。中美之間的沖突擾亂了供應(yīng)鏈，影響了半導(dǎo)體公司獲得芯片和設(shè)備。先進(jìn)封裝 (AP) 被視為后摩爾定律時(shí)代的關(guān)鍵，預(yù)計(jì)到 2028 年 AP 市場(chǎng)將達(dá)到780億美元。然而，貿(mào)易緊張局勢(shì)導(dǎo)致新的價(jià)值鏈和生產(chǎn)搬遷，使供應(yīng)鏈多樣化，但 有風(fēng)險(xiǎn)中國(guó)產(chǎn)能置換。七大廠商主導(dǎo)AP，OSAT貢獻(xiàn)了65.1% AP晶圓。OSAT 擴(kuò)展了測(cè)試專業(yè)知識(shí)，而傳統(tǒng)測(cè)試參與者則投資于封裝。隨著來(lái)自不同模型的參與者進(jìn)入封裝，蠶食 OSAT，業(yè)界看到了范式轉(zhuǎn)變?；骞?yīng)一直緊張， 影響材料可用性并導(dǎo)致交貨時(shí)間延長(zhǎng)和價(jià)格上漲。需求減少和產(chǎn)能擴(kuò)張可能有助于緩解短缺?；骞?yīng)商投資于產(chǎn)能擴(kuò)張但面臨時(shí)間限制，導(dǎo)致未來(lái) 2 至 3 年持續(xù)存在供應(yīng)問(wèn)題。