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      8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結果∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-03-05 10:43 ? 次閱讀
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      8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結果

      8.2.10 反型層電子遷移率

      8.2 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)

      第８章單極型功率開關器件

      《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

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