上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中壓SGT MOS等多個(gè)系列產(chǎn)品;性能優(yōu)異,可靠性和穩(wěn)定性高,廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車、電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域、高頻電源領(lǐng)域、感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。
上海陸芯的產(chǎn)品(IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD)包括芯片、單管和模塊,具有以下技術(shù)優(yōu)勢:
1.優(yōu)化耐壓終端環(huán),實(shí)現(xiàn)IGBT高阻斷電壓,達(dá)到工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)可靠性標(biāo)準(zhǔn);
2.控制少子壽命,優(yōu)化飽和壓降和開關(guān)速度,實(shí)現(xiàn)安全工作區(qū)(SOA)和短路電流安全工作區(qū)SCSOA性能最優(yōu);
3.改善IGBT有源區(qū)元胞設(shè)計(jì)可靠性,抑制IGBT的閂鎖效應(yīng);
4.調(diào)節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝;實(shí)現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產(chǎn)。


YGW75N65F1 650V 75A TO247對(duì)標(biāo) 英飛凌IKW75N60H3
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YGW75N65T1 650V 75A TO247 對(duì)標(biāo) 英飛凌IKW75N60T
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芯片
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