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發(fā)表于 07-15 16:22
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特性:
VDS = 650V (類型:730V) IDM =14A
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發(fā)表于 07-09 13:35
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發(fā)布于 :2025年06月25日 21:26:06
瑞樂半導(dǎo)體——高真空CF饋通TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng) #晶圓檢測(cè) #晶圓測(cè)溫 #晶圓制造過程
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瑞樂半導(dǎo)體
發(fā)布于 :2025年05月20日 21:42:05
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瑞樂半導(dǎo)體
發(fā)布于 :2025年05月12日 22:20:13
超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)
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發(fā)表于 01-22 10:43
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晶圓(Wafer-KGD):650V Super-junction Power MOSFET
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