自從小米發(fā)布了旗下第一款采用GaN技術(shù)的充電器，市場(chǎng)上便掀起了GaN“快充風(fēng)”，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上手機(jī)、筆記本、平板等電子產(chǎn)品的GaN快充產(chǎn)品的核心器件—GaN驅(qū)動(dòng)IC，基本上都依賴進(jìn)口，驪微電子推出NCP1342驅(qū)動(dòng)氮化嫁國(guó)產(chǎn)替代芯片—PN8213，適用于65W氮化鎵充電器芯片方案。

NCP1342替代芯片PN8213特征

■ 內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路

■ 供電電壓9~57V,適合寬輸出電壓應(yīng)用

■ Valley Lock:技術(shù)提高效率改善系統(tǒng)噪聲

■ 最高工作頻率外部可設(shè)置

■ 空載待機(jī)功耗<55mW@230VAC

■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能。

PN8213工作于準(zhǔn)諧振模式的控制芯片，供電電壓9~57V，空載待機(jī)功耗<55mW@230VAC，通過DMG腳實(shí)現(xiàn)精確的谷底開通，最高工作頻率可通過FSET腳設(shè)置。當(dāng)系統(tǒng)處于重載或中載下，芯片工作在Valley-Lock Mode;隨著負(fù)載減輕，芯片會(huì)進(jìn)入PFM降低工作頻率；當(dāng)系統(tǒng)處于極輕載下，芯片會(huì)進(jìn)入Burst Mode以降低待機(jī)功耗。內(nèi)部集成了電流模式控制器和高壓?jiǎn)?dòng)模塊，專用于高性能的快速充電開關(guān)電源。

PN8213在驅(qū)動(dòng)、芯片供電、電路等都做了進(jìn)一步的優(yōu)化，將驅(qū)動(dòng)集成于芯片內(nèi)，能夠直接供電給氮化鎵芯片，可兼容代換ON安森美NCP1342，針對(duì)快充應(yīng)用，PN8213外圍電路更為簡(jiǎn)單，并具有較大的成本及供貨優(yōu)勢(shì)。憑借其高度集成的芯片和簡(jiǎn)潔的電路，以及完整的解決方案，實(shí)現(xiàn)了65W氮化鎵充電器芯片的國(guó)產(chǎn)替代，更多PN8213 65w氮化鎵充電器芯片產(chǎn)品手冊(cè)及應(yīng)用資料請(qǐng)向芯朋微代理商驪微電子申請(qǐng)。>>