以上，這也是目前氮化鎵在手機(jī)充電器上廣泛被應(yīng)用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導(dǎo)體此前被廣泛應(yīng)用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導(dǎo)體銷售營運(yùn)總監(jiān)李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產(chǎn)中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
6102 過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:36875 
增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實(shí)時智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262307 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091618 
2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)所標(biāo)配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023108 
納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發(fā)布的K50冠軍版電競手機(jī)所標(biāo)配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021642 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:48880 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321044 
器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案 ，該方案圍繞納微旗下GaNSafe?高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC
2024-07-26 14:54:011758 
— 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ，其憑借 最高級別的集成度和散熱性能 ，可為 手機(jī)
2024-10-17 16:31:09987 
下一代GaNSense?技術(shù)為AI數(shù)據(jù)中心、電信、工業(yè)設(shè)備提升8倍功率 下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast
2025-03-12 11:02:36323 
了GaNSense的新功能，原理圖和PCB布局設(shè)計指導(dǎo)，電路設(shè)計樣板和測試波形，以及熱管理指導(dǎo)。這些設(shè)計指導(dǎo)能夠?qū)崿F(xiàn)效率和功率密度最大化并使系統(tǒng)可靠性和魯棒性達(dá)到最高級別。
2023-06-19 07:40:08
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計的機(jī)會，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
、開關(guān)速度和可靠性都在不斷提高。這些器件已成功解決低電壓(低于100伏)或高電壓容差(IGBT和超結(jié)器件)中的效率和開關(guān)頻率問題。然而，由于硅的限制，因此無法在單個硅功率FET中提供所有這些功能。寬帶隙
2018-11-20 10:56:25
干燥、血液和組織的加熱和消融等在內(nèi)的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM)領(lǐng)域的應(yīng)用。支持這些系統(tǒng)的射頻器件必須達(dá)到性能、電源效率、精小外形和可靠性的最佳平衡，且價位適合進(jìn)行主流商業(yè)推廣，硅基氮化鎵正是理想之選
2017-08-15 17:47:34
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會
2019-03-14 06:45:11
數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。 硅基氮化鎵成為射頻半導(dǎo)體行業(yè)前沿技術(shù)之時正值商用無線基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動
2021-11-28 11:16:55
受到關(guān)注。因此，這些設(shè)備可能存在于航空航天和軍事應(yīng)用的更苛刻條件下。但是這些行業(yè)對任何功率器件（硅或GaN）都要求嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，而這正是GaN HEMT所面臨的問題。氮化鎵HEMT與硅
2020-09-23 10:46:20
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動器?應(yīng)用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺闹黝}涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結(jié)構(gòu)與生長、氮化鎵電力電子器件的新結(jié)構(gòu)與新工藝開發(fā)、高效高速氮化鎵功率模塊設(shè)計與制造，氮化鎵功率應(yīng)用與可靠性等。本屆
2018-11-05 09:51:35
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗(yàn)證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
`射頻器件市場前景5G 提出要覆蓋毫米波頻段，將可用通信頻率提升至 6GHz-300GHz 區(qū)間。這些技術(shù)場景對射頻器件的性能，比如功率、線性度、 工作頻率、效率、可靠性等提出了極高的要求。有數(shù)
2017-07-18 16:38:20
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗(yàn)來看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
GEM-T的發(fā)射器，提高攔截器的可靠性和效率。此外，在新生產(chǎn)導(dǎo)彈中過渡到GaN意味著發(fā)射器不需要在攔截器的使用壽命期間更換。[color=rgb(51, 51, 51) !important]雷神公司
2019-07-08 04:20:32
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢，但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機(jī)驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時，可以實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的運(yùn)行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機(jī)器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
節(jié)能的角度來看，射頻能量能夠通過兩種方法為行業(yè)帶來優(yōu)勢，即降低成本和優(yōu)化控制。除節(jié)能外，氮化鎵和射頻能量的另一個能源優(yōu)勢是非常適合石油工業(yè)中的工業(yè)干燥和加熱應(yīng)用。Suncor等公司已開始通過射頻能量
2018-01-18 10:56:28
盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗(yàn)來看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢
2022-11-10 06:36:09
功率密度計算解決方案實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術(shù)不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產(chǎn)，而且在實(shí)驗(yàn)室測試和大批量客戶應(yīng)用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過數(shù)千億個
2023-06-25 14:17:47
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優(yōu)解，進(jìn)一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統(tǒng)可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
高的場合，如工業(yè)縫紉機(jī)、數(shù)控機(jī)床、白色家電、工業(yè)風(fēng)機(jī)等。 該方案采用32位ARM/DSP作為主控芯片；為了減少電路的復(fù)雜度，提高可靠性，采用智能功率模塊作為電機(jī)功率驅(qū)動部分；該方案整合目前常用的電流
2019-07-09 08:24:02
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:141998 微一直活躍在氮化鎵快充產(chǎn)業(yè)鏈，致力為客戶提供高可靠性的高功率密度USB PD快充解決方案。 近期，亞成微推出了一款基于自研主控芯片RM6601SN + 同步整流芯片RM3410T的 65W高功率密度氮化鎵快充方案，方案采用專有驅(qū)動技術(shù)，直驅(qū)E-MODE
2021-03-05 18:02:365029 ? 納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創(chuàng)者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發(fā)中心。納微半導(dǎo)體擁有一支強(qiáng)大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013645 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導(dǎo)體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:531153 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:211673 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301391 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關(guān)拓?fù)?，集?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵開關(guān)管、獨(dú)立驅(qū)動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102271 
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達(dá)克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312343 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機(jī)快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311014 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護(hù)模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:131920 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進(jìn)入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:561964 圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼
2022-05-05 11:13:572710 
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312308 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實(shí)現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:401970 
Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導(dǎo)體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達(dá)克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產(chǎn)品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術(shù)的
2022-07-29 16:17:44734 
納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片，作為全新一代產(chǎn)品，其集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能 ，其適用于手機(jī)移動、消費(fèi)和工業(yè)市場中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:532023 GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能，為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少60%的元件數(shù)量及布局結(jié)構(gòu)，進(jìn)而減少系統(tǒng)成本、尺寸、重量與復(fù)雜性。
2022-09-09 14:51:141623 未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟(jì)價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合，隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251026 
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵
2023-02-03 18:19:052384 目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
2023-02-06 14:36:21785 氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器、電源濾波器等應(yīng)用。
2023-02-19 17:20:489613 
一步，推出采用GaNSense?技術(shù)的新一代智能GaNFast?氮化鎵功率芯片，為氮化鎵技術(shù)的探索翻開了新的一頁。? 氮化鎵VS傳統(tǒng)的硅，節(jié)能又減排 眾所周知，硅作為晶體管的首選材料，一直是半導(dǎo)體科技的基
2023-02-21 14:57:11
0 增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實(shí)時智能傳感和保護(hù)，為40億美元的手機(jī)充電器和消費(fèi)市場帶來最
高效率和可靠性
11月8日，北京–氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署授權(quán)代理協(xié)議，代理其旗下工業(yè)級氮化鎵功率驅(qū)動芯片、智能氮化鎵功率開關(guān)等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心電源、光伏儲能、快充電源等行業(yè)。
2023-03-08 09:56:001609 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強(qiáng)器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進(jìn)的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021588 
全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:53833 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231992 GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點(diǎn)，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)電路，適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應(yīng)用。
2023-04-25 11:38:45489 
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點(diǎn)在于如何準(zhǔn)確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率器件在高壓大電流場景下的“可恢復(fù)退化”與“不可恢復(fù)退化”一直以來很難區(qū)分，這給器件安全工作區(qū)的識別和壽命評估帶來了極大挑戰(zhàn)。
2023-06-08 15:37:121020 
電子展上，納微半導(dǎo)體帶來不少新品，包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術(shù)、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊，進(jìn)一步開發(fā)工業(yè)、家電、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動汽車等市場。 ? 納微半導(dǎo)體高級現(xiàn)場應(yīng)用工程師羅月亮對電子發(fā)
2023-08-01 16:36:192302 
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低
2023-09-01 14:46:041215 
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
2023-09-07 14:30:151529 在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:231372 
，再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D，將控制器、氮化鎵驅(qū)動器、GaN功率管集成到DFN8*8個小體積封裝。通過將它們?nèi)考傻揭粋€封裝中，降低了寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，在提高可靠性的同時提高了效率，并簡化了氮化鎵充電器的設(shè)計。
2023-10-11 15:33:30752 
隨著科技的不斷發(fā)展，無線通信、射頻設(shè)備和微波應(yīng)用等領(lǐng)域?qū)Ω?b class="flag-6" style="color: red">性能功率放大器的需求不斷增加。為滿足這些需求，半導(dǎo)體行業(yè)一直在不斷尋求創(chuàng)新和進(jìn)步。其中，氮化鎵功率芯片已經(jīng)成為一項(xiàng)引領(lǐng)潮流的技術(shù)，為高頻、高功率應(yīng)用提供了全新的解決方案。
2023-10-18 09:13:141627 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:308392 、射頻和光電子等領(lǐng)域，能夠提供高效、高性能的功率轉(zhuǎn)換和信號放大功能。 GaN MOS管驅(qū)動芯片具有以下特點(diǎn)： 高功率密度：與傳統(tǒng)硅基材料相比，氮化鎵材料具有更高的擊穿電場強(qiáng)度和電導(dǎo)率。這使得GaN MOS管驅(qū)動芯片能夠承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:232645 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機(jī)皇”—— Galaxy S24智能手機(jī)打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:04968 納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵，不僅有效確保糧食安全，同時讓印度農(nóng)民無需再使用遠(yuǎn)距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機(jī)。
2024-04-22 14:07:26667 氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路
2024-05-08 14:22:501241 
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:441903 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費(fèi)者帶來了前所未有的快充體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491198 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:291844 
近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:31643 輝煌的十年。 ? 如今，納微在氮化鎵產(chǎn)品線上不斷拓展，最近重磅發(fā)布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領(lǐng)域，進(jìn)一步
2024-10-23 09:43:591477 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:08463 
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案，預(yù)計將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10453 逆變器、1.2 kW 數(shù)據(jù)中心 SMPS 和4 kW電機(jī)驅(qū)動。 NV6169是最先進(jìn)的納微第三代氮化鎵平臺中額定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 功率芯片具有行業(yè)首創(chuàng)
2025-03-12 16:51:191021 
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:39981 
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:261024 
納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確保可靠性與耐高溫
2025-04-22 17:06:39258
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