國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機，工作結溫-55~175℃
氫能發(fā)電機特指以氫氣為原料的發(fā)電機，原理類似傳統(tǒng)內燃機，經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動電機產生電流輸出。氫能發(fā)電機是一種環(huán)保型的發(fā)電設備，具有無噪音、零排放和移動性強的特點。其效率要求也非常高，但傳統(tǒng)的功率MOS已經很難滿足發(fā)電機高開關頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應用。
某氫能發(fā)電機項目現(xiàn)需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS?？刹捎没?a target="_blank">半導體的B1M032120HK，推薦理由：
1、該器件耐壓可達1200V，在Tc=100℃時，最大ID可達84A，完全滿足項目需求。
2、導通電阻低至32mΩ，可以確保B1M032120HK在高頻工作時，導通損耗很低，可以降低MOS的發(fā)熱量。
3、B1M032120HK的工作結溫范圍在-55~175℃，可以在很惡劣的條件環(huán)境下穩(wěn)定運行。
4、B1M032120HK為TO-247-4封裝，可替代科銳的C3M0032120K、羅姆的SCT3040KR、英飛凌的IMZ120R045M1、安森美的NTH4L040N120SC1。
5、基本半導體為國產品牌，性價比相比其它更有優(yōu)勢。
注：如涉及作品版權問題，請聯(lián)系刪除。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
基本半導體
+關注
關注
2文章
96瀏覽量
11029
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
傾佳電子T型三電平逆變器應用綜合分析：B3M010C075Z與B3M013C120Z碳化硅MOSFET黃金組合的性能與價值
傾佳電子T型三電平逆變器應用綜合分析：B3M010C075Z與B3M013C120Z碳化硅MOSFET黃金組合的性能與價值 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和
傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析：性能基準與戰(zhàn)略應用
傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析：性能基準與戰(zhàn)略應用 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體（BASIC
B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴苛需求
B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴苛需求
基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產業(yè)已實現(xiàn)顯著進步，具體體現(xiàn)在以下核心維度。
國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮：國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產SiC
深度分析650V國產碳化硅MOSFET的產品力及替代高壓GaN器件的潛力
深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
發(fā)表于 03-17 09:59
國產碳化硅MOSFET全面開啟對超結MOSFET的替代浪潮
碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超結（SJ）MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能優(yōu)勢顯著 高頻高效 ：SiC
5G電源應用碳化硅B3M040065Z替代超結MOSFET
傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應用為例分析BASiC基本股份國產碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結MOSFET的優(yōu)勢，并做損耗仿真計算： 傾佳電子楊茜致力于推
碳化硅在半導體中的作用
碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體
發(fā)表于 01-22 10:43
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
發(fā)表于 01-04 12:37
碳化硅在新能源領域的應用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應用
。此外，碳化硅的高電子飽和速度和高擊穿電場強度使其在高功率太陽能電池中具有潛在的應用前景。 2. 風力發(fā)電 在風力發(fā)電領域，碳化硅材料可以用于制造高效率的電力電子轉換器。這些轉換器在風
工商網監(jiān)
評論