基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅(qū)動（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機）、機器人、電梯、機器操作手、工業(yè)自動化、功率逆變器、不間斷電源(UPS)、光伏(PV)串聯(lián)組件、EV充電以及感應加熱和焊接。

IGBT是一項相對成熟的技術(shù)。盡管如此，這些器件的市場預計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia 的600 V IGBT采用穩(wěn)健、經(jīng)濟高效的載流子儲存溝槽柵場截止(FS)結(jié)構(gòu)，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開關(guān)損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應加熱器、焊接設備和工業(yè)應用（如電機驅(qū)動和伺服、機器人、電梯、機器操作手和工業(yè)自動化等）的效率和可靠性。

設計人員可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之間自由選擇。這些IGBT采用非常緊密的參數(shù)分布設計，允許多個器件安全地并聯(lián)連接。此外，與競品器件相比其熱阻更低，因此能夠提供更高的輸出功率。這些IGBT還并聯(lián)了全電流反向軟快恢復二極管。這意味著它們適用于逆變器，整流器及雙向變換電路應用，在過流條件下更加穩(wěn)健。

Nexperia絕緣柵雙極晶體管和模塊業(yè)務部門總經(jīng)理Ke Jiang博士表示：“Nexperia通過發(fā)布IGBT，為設計人員提供了更多的電源開關(guān)器件選擇，以滿足廣泛的電源應用需求。IGBT是對Nexperia現(xiàn)有的CMOS和寬帶隙開關(guān)器件系列產(chǎn)品的理想補充，Nexperia由此可為功率電子設計師提供一站式服務。”

這些IGBT采用無鉛TO247-3L標準封裝，并通過嚴苛的HV-H3TRB質(zhì)量標準，適合室外應用。Nexperia計劃在本次產(chǎn)品發(fā)布后將推出1200 V IGBT系列器件。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有15,000多名員工。作為基礎半導體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應用領(lǐng)域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。

審核編輯：湯梓紅