chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng),各廠商加速入局GAN市場(chǎng)氮化鎵行業(yè)快報(bào)

產(chǎn)業(yè)大視野 ? 來(lái)源:產(chǎn)業(yè)大視野 ? 2023-07-13 16:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng),目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。

報(bào)道引用知情人士的說(shuō)法指出,三星電子近期在韓國(guó)、美國(guó)舉辦了2023年三星晶圓代工論壇活動(dòng)?;顒?dòng)中,三星宣布將在2025年起,為消費(fèi)級(jí)、數(shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用提供8吋氮化鎵晶圓代工服務(wù)。

d255f0ba-1fcc-11ee-962d-dac502259ad0.png

據(jù)悉,氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),可以滿足各種應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高效率、低能耗、高性價(jià)比的要求。當(dāng)前,氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)不再局限于快充等消費(fèi)電子市場(chǎng),而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場(chǎng)持續(xù)推進(jìn)。

報(bào)道強(qiáng)調(diào),隨著全球消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)和需求成長(zhǎng),功率半導(dǎo)體的價(jià)格一直在上漲。因此,市場(chǎng)希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體,達(dá)到比傳統(tǒng)單晶硅基半導(dǎo)體更高的電源轉(zhuǎn)換效率、更高的功率密度,此外耐用性會(huì)更佳,進(jìn)一步迎合汽車應(yīng)用的等惡劣作業(yè)環(huán)境。

現(xiàn)階段,包括英飛凌、意法半導(dǎo)體等大廠都在投資擴(kuò)大碳化硅半導(dǎo)體的生產(chǎn),并且與中國(guó)企業(yè)合作。韓國(guó)企業(yè)如三星、SK集團(tuán)等,同樣關(guān)注功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,積極開(kāi)發(fā)新技術(shù)。SK海力士已收購(gòu)代工廠商Key Foundry,正在開(kāi)發(fā)氮化鎵代工技術(shù)。而另一家企業(yè)DB Hi-Tech 也于2022年開(kāi)始研發(fā)碳化矽、氮化鎵加工正成技術(shù),目標(biāo)是2024年完成氮化鎵開(kāi)發(fā)、2025年開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    1858

    瀏覽量

    119211
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2328

    瀏覽量

    79242
  • 半導(dǎo)體代工
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    7

    瀏覽量

    6771

原文標(biāo)題:三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng),各廠商加速入局GAN市場(chǎng)氮化鎵行業(yè)快報(bào)

文章出處:【微信號(hào):robotn,微信公眾號(hào):產(chǎn)業(yè)大視野】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美推出垂直氮化功率半導(dǎo)體

    GaN-on-GaN 功率半導(dǎo)體能夠使電流垂直流過(guò)化合物半導(dǎo)體,能實(shí)現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開(kāi)關(guān)頻率,助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源,以及航空航天等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更節(jié)能、
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?1890次閱讀

    機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)賦能化合物半導(dǎo)體制造:從源頭破良率難題,Exensio平臺(tái)實(shí)現(xiàn)全流程精準(zhǔn)預(yù)測(cè)

    在5G/6G通信、電動(dòng)汽車(EV)功率器件、新能源裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域,化合物半導(dǎo)體(SiC、GaN、GaAs等)已成為突破硅基材料性能瓶頸的核心載體。然而,其制造流程中——晶體生長(zhǎng)與外延階段的隱性缺陷
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:05 ?535次閱讀
    機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)賦能<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造:從源頭破<b class='flag-5'>局</b>良率難題,Exensio平臺(tái)實(shí)現(xiàn)全流程精準(zhǔn)預(yù)測(cè)

    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破,揭秘化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下,化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第半導(dǎo)體氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-30 15:44 ?1244次閱讀
    【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破<b class='flag-5'>局</b>,揭秘<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼

    核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái) | 2026中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開(kāi)啟化合物半導(dǎo)體新紀(jì)元

    2026年4月23–25日,第屆中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE 2026)將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。 本屆展會(huì)以“核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái)”為主題聚焦化合物
    的頭像 發(fā)表于 09-22 14:31 ?678次閱讀
    核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái) | 2026中國(guó)光谷國(guó)際<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航!開(kāi)啟<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新紀(jì)元

    GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

    繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后,我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物
    的頭像 發(fā)表于 09-02 17:18 ?4386次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

    臺(tái)積電宣布逐步退出氮化晶圓代工業(yè)務(wù),力積電接手相關(guān)訂單

    近日,全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù),預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(guò)渡。這一決定引起了
    的頭像 發(fā)表于 07-07 10:33 ?3373次閱讀
    臺(tái)積電宣布逐步退出<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓<b class='flag-5'>代工</b>業(yè)務(wù),力積電接手相關(guān)訂單

    化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

    化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ),展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化(GaAs)為例,其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s,本征電阻率達(dá)10?Ω·cm,是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:37 ?2116次閱讀
    <b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的定義和制造工藝

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!

    從清華大學(xué)到未來(lái)科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守!近年來(lái),珠海市未來(lái)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“未來(lái)”)在第
    發(fā)表于 05-19 10:16

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    方式來(lái)改進(jìn)電容器表現(xiàn),但穩(wěn)定性尚未達(dá)到預(yù)期水平,很可能會(huì)拖慢 1c nm 進(jìn)度。 半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示,“從三星電子的角度來(lái)看,剩下的任務(wù)是穩(wěn)定搭載在HBM上的DRAM以及封裝技術(shù)。”
    發(fā)表于 04-18 10:52

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?4.4w次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>功率器件門極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元!

    根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè),全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了
    的頭像 發(fā)表于 03-04 11:42 ?993次閱讀
    全球<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>市場(chǎng)</b>預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元!

    三星進(jìn)軍玻璃基板市場(chǎng),尋求供應(yīng)鏈合作

    近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即進(jìn)軍半導(dǎo)體玻璃基板市場(chǎng)。據(jù)悉,三星電子正在積極與多家材料、零部件、設(shè)備(特別是中小型設(shè)備)公司尋求合作,
    的頭像 發(fā)表于 02-08 14:32 ?841次閱讀

    LED芯片巨頭兆馳,全面進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體!

    ▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來(lái)源:LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日,兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開(kāi),在盛典上,兆馳集團(tuán)明確了未來(lái)10到20年
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:49 ?1474次閱讀
    LED芯片巨頭兆馳,全面<b class='flag-5'>進(jìn)軍</b><b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>!

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化GaN)被稱為第半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大
    發(fā)表于 01-15 16:41

    突破極限:化合物半導(dǎo)體與EDA的協(xié)同進(jìn)化之路

    局限性。為了滿足這些高性能需求,化合物半導(dǎo)體材料如氮化GaN)和碳化硅(SiC)等應(yīng)運(yùn)而生,它們以其卓越的電學(xué)特性,為新一代電子設(shè)備提供
    的頭像 發(fā)表于 12-25 14:25 ?863次閱讀