【產(chǎn)品速報(bào)】深圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS1200V碳化硅二級(jí)管，涵蓋了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等數(shù)十款型號(hào)，相比Si器件，碳化硅肖特基二極管具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，完美滿足中高壓系統(tǒng)的需求，成為了光伏逆變器、風(fēng)能逆變器、儲(chǔ)能雙向逆變器、充電樁模塊、大功率工業(yè)電源、車載充電機(jī)等領(lǐng)域客戶的不二選擇，碳化硅功率器件的使用對(duì)于能源領(lǐng)域朝著輕量化、節(jié)能低碳化的轉(zhuǎn)型升級(jí)也具有重要的意義。

碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，與傳統(tǒng)Si基材料相比，其電子飽和漂移速率是硅的2倍，更加適合在高頻電路中使用；熱導(dǎo)率相當(dāng)于Si的3倍，因而散熱效果更佳，可靠性更高；SiC材料的臨界擊穿場強(qiáng)能力高達(dá)硅的10倍之多，可使器件更加耐高壓；禁帶寬度上來說，SiC材料是Si材料的3倍，使其具備了低漏電的優(yōu)異性能。

此外，經(jīng)過多輪測試與驗(yàn)證，森國科1200V碳化硅二級(jí)管擁有強(qiáng)大的抗浪涌沖擊能力、抗雪崩能力，強(qiáng)健性和魯棒性。較高的熱性能降低了對(duì)冷卻系統(tǒng)的需求，同時(shí)由于反向恢復(fù)時(shí)間短，可降低電磁干擾的問題。在"風(fēng)、光、儲(chǔ)、充、荷"等領(lǐng)域常用的電路可參考：

交錯(cuò)并聯(lián)PFC: D5, D6：可以減小輸入電流紋波和輸出電容紋波電流的有效值，并提升電路的功率等級(jí)。

維也納（VIENNA）PFC：具有諧波含量低、功率因數(shù)高、動(dòng)態(tài)性能良好的特性。

IGBT續(xù)流二極管：降低開關(guān)損耗，增大開關(guān)頻率。

森國科深耕集成電路領(lǐng)域多年，目前已與國內(nèi)外多家著名的FAB廠達(dá)成緊密的合作關(guān)系。秉承著“做最合適的功率器件”的理念，致力于打造性能優(yōu)越、尺寸體積可控的功率器件全系列產(chǎn)品，助力來自新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、OBC、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)電源、儲(chǔ)能逆變器、變頻驅(qū)動(dòng)、快充頭、適配器等多個(gè)領(lǐng)域的客戶實(shí)現(xiàn)高耐壓、耐高溫、耐高頻、低功耗、低成本的應(yīng)用需求，持續(xù)賦能低碳發(fā)展。

名詞釋義

1、高電子飽和漂移速率：電子飽和漂移速率是指在強(qiáng)電場下，電子在晶格中移動(dòng)時(shí)達(dá)到的最大速度，它反映了材料的載流子遷移率。高電子飽和漂移速率意味著更快的開關(guān)速度和更高的工作頻率，從而提高了半導(dǎo)體的效率和帶寬。