據(jù)麥姆斯咨詢介紹,砂輪劃片、激光全切等傳統(tǒng)切割方式存在振動(dòng)沖擊大、切割屑污染、熱應(yīng)力作用大等問題,常常導(dǎo)致具有懸膜、懸臂梁、微針、微彈簧等敏感結(jié)構(gòu)類型的芯片損壞。激光隱形切割技術(shù)通過將脈沖激光在材料內(nèi)部聚焦,使得材料改性形成切割裂紋,適用于SOI晶圓、鍵合片、硅片、玻璃片、藍(lán)寶石片等晶圓切割,是懸膜、懸臂梁等敏感結(jié)構(gòu)類型MEMS器件的最佳切割方式。
激光劃片工藝是一種利用激光能量代替機(jī)械力作為切割介質(zhì)的劃片工藝。激光隱形劃片工藝為激光劃片工藝的一種,其將激光聚光于晶圓內(nèi)部,在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層,并在完成劃片后通過擴(kuò)展膠膜等方法將晶圓分割成芯片的切割方法。該工藝原理為工件內(nèi)部改質(zhì),因此可以抑制加工屑的產(chǎn)生,適用于抗污垢性能差的工件;切割過程無(wú)振動(dòng)沖擊,且采用干式加工工藝,無(wú)需清洗,適用于抗負(fù)荷能力差的芯片;切割道寬度要求低,有助于減小芯片間隔,適用于窄劃片道器件。
圖1 切割效果圖:晶圓厚度250um,激光隱切在晶圓切割道內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力集中區(qū)域,斷面圖可清晰看到不同深度位置激光切割改質(zhì)層痕跡。
圖2 切割效果圖:激光隱切產(chǎn)生的切割屑極少,不污染器件,適用于梳齒結(jié)構(gòu)、表面敏感類器件切割。
圖3 切割效果圖:晶圓厚度650um,切割道清晰,且無(wú)邊緣切割毛刺,可用于更緊密的器件排列切割。
寧波啟樸芯微系統(tǒng)技術(shù)有限公司擁有專業(yè)的激光隱形切割設(shè)備和技術(shù)解決方案,提供硅片、玻璃片、SOI、鍵合片等晶圓激光隱形切割技術(shù)服務(wù)。
工藝指標(biāo)
● 加工范圍:8英寸及以下;
●切割線寬:<3um;
●崩邊范圍:<5um;
●切割道預(yù)留寬度:>80um;
●晶圓厚度:50um~1000um;
●切割材質(zhì):硅、SOI、玻璃、石英、藍(lán)寶石、鍵合片等。
審核編輯:劉清
-
mems
+關(guān)注
關(guān)注
129文章
4155瀏覽量
194241 -
激光器
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
2737瀏覽量
62736 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5165瀏覽量
129821 -
振動(dòng)器
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
36瀏覽量
6677 -
脈沖激光器
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
20瀏覽量
4033
原文標(biāo)題:激光隱切——更適合MEMS晶圓的切割方式
文章出處:【微信號(hào):MEMSensor,微信公眾號(hào):MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)研究

基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

超薄晶圓切割:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

晶圓隱裂檢測(cè)提高半導(dǎo)體行業(yè)效率

用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

減薄對(duì)后續(xù)晶圓劃切的影響

探索MEMS傳感器制造:晶圓劃片機(jī)的關(guān)鍵作用

評(píng)論