來源：芯豆豆

Dicing(晶圓切割)

定義：

Dicing 是指將制造完成的晶圓（Wafer）切割成單個 Die 的工藝步驟，是從晶圓到獨立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個 Die 都是一個功能單元，Dicing 的精準性直接影響芯片的良率和性能。

Dicing 的主要功能

分離晶圓上的芯片：

將晶圓表面按設計的布局切割成一個個獨立的 Die。

確保每個 Die 的物理尺寸和邊緣完整性。

保證芯片質(zhì)量：

避免切割過程中損傷芯片或引發(fā)裂紋。

最大限度減少應力和缺陷對芯片功能的影響。

為封裝工藝做準備：

切割完成后，Die 將進入封裝流程，因此 Dicing 是封裝前的最后一步。

Dicing 的主要方法

機械切割（Blade Dicing）：

切割產(chǎn)生的機械應力可能導致晶圓裂紋。

切口寬度（Kerf）較大，材料浪費較多。

成本較低。

切割速度較快。

方法：使用高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片對晶圓進行切割。

特點：常用于較大尺寸的晶圓（6英寸以下）。

優(yōu)點：

缺點：

類比：像用精密鋸片切割木板，雖然效率高，但切割線可能會有一定損耗。

激光切割（Laser Dicing）：

對設備要求高，成本較高。

切口寬度小，減少材料損耗。

應力小，適合高性能芯片。

方法：使用高能激光束沿晶圓表面或內(nèi)部進行精確切割。

特點：適用于更薄、更小的晶圓或高密度芯片設計。

優(yōu)點：

缺點：

類比：類似激光雕刻，通過非接觸方式完成精細切割，損傷小但設備昂貴。

隱形切割（Stealth Dicing）：

工藝復雜，適合特定晶圓類型。

切割表面無損傷。

非常適合薄晶圓和密集電路設計。

方法：使用激光在晶圓內(nèi)部創(chuàng)建隱形裂紋，隨后通過外力分離 Die。

特點：無需切割表面，切割損耗極低。

優(yōu)點：

缺點：

類比：像在玻璃內(nèi)部劃出裂紋后，通過輕微外力讓玻璃分離成小塊。

Dicing 的主要步驟

晶圓貼膜（Wafer Mounting）：

在晶圓背面貼上一層支撐膜（Dicing Tape），固定晶圓并避免切割過程中移動。

類比：就像在木板上貼保護膜，既能固定又能防止損傷。

對準（Alignment）：

根據(jù)晶圓上的切割標記（Scribe Line），對齊刀片或激光位置，確保切割精度。

類比：類似裁剪布料前對齊裁剪線。

切割（Dicing）：

通過機械刀片、激光或隱形切割技術，沿 Scribe Line 切割晶圓。

類比：將大蛋糕按照預定切割線分成一塊塊小蛋糕。

清洗（Cleaning）：

清除切割過程中產(chǎn)生的碎屑（如硅粉、膠渣），確保 Die 表面潔凈。

類比：清理裁剪后的布料邊角，避免影響成品。

取出（Die Pick-Up）：

從支撐膜上取出獨立的 Die，為封裝工藝做準備。

類比：像從模具中取出已成型的零件。

Dicing 的關鍵參數(shù)

切割線寬度（Kerf Width）：

指切割所占的寬度，越小越能減少材料損耗。

激光切割通常比機械切割的 Kerf 更小。

應力控制：

切割過程中避免對晶圓和芯片產(chǎn)生過多機械應力。

切割精度：

切割線的位置精度，直接影響芯片的外形質(zhì)量和后續(xù)封裝。

薄晶圓處理：

對于超薄晶圓（如 100μm 以下），需要更加精細的切割工藝和支撐技術。

Dicing 的重要性

直接影響芯片良率：

切割過程中的應力或裂紋會導致芯片失效，影響最終良品率。

支持高集成度工藝：

隨著芯片設計密度提高，Dicing 工藝需要更高的精度以適應狹窄的 Scribe Line。

減少材料浪費：

更先進的 Dicing 工藝（如隱形切割）可降低材料浪費，優(yōu)化成本。

類比：Dicing 是芯片制造的“精準裁縫”

晶圓是裁縫手中的大布料，Dicing 就是把它按照設計線裁剪成一塊塊適合使用的小布片（Die）。

不同的裁剪工具（機械刀片、激光、隱形切割）對應不同的布料類型（晶圓厚度、材質(zhì)）。

Dicing 的精確性決定了成品的質(zhì)量和美觀，就像裁縫的技術決定了衣服的剪裁效果。

總結(jié)

Dicing 是從晶圓到獨立芯片的重要過渡步驟，其核心目標是將晶圓上的 Die 精確切割為獨立的最小功能單元，同時避免機械應力或裂紋對芯片性能的損傷。通過不斷改進切割技術（如激光切割、隱形切割），Dicing 工藝已能夠滿足現(xiàn)代半導體制造對高精度、高密度和低成本的要求，是芯片制造中不可或缺的一環(huán)。